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標簽 > 驅動電壓
驅動電壓，使器件開始工作所需的最小供電電壓。
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IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應用于電力電子領域的功率半導體器件，具有高輸入阻抗、低導通壓降、快速開關速度等特點。在IGBT的應用過程中，驅動電...
IGBT的工作原理和結構 IGBT是一種三端子功率半導體器件，由N型外延層、P型襯底、N型緩沖層、P型集電區、N型發射區、柵極和發射極組成。IGBT的工...
達林頓模塊（Darlington Module）是一種電子元件，通常用于功率放大器、驅動器和開關電路中。它由兩個或多個晶體管組成，具有較高的電流增益和電...
外置OTP及主動降功率功能的PD快充芯片U8733的主要特點有哪些
深圳銀聯寶科技最新推出的U8733，是一款30W PD GAN帶OTP保護及主動降功率功能的PD快充芯片，與之前推出的集成650V E-GaN快充芯片U...
在超聲波檢測系統中，探頭的使用通常取決于特定的應用需求和系統設計。一個超聲波發射電路或接收電路理論上可以連接多個探頭，但在實際操作中，這種做法可能會受到...
功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻變小。詳細的關系...
所謂集中過電流保護，就是檢測逆變橋輸入直流母線上的電流，當該電流值超過設定的閾值時，封鎖所有橋臂IGBT的驅動信號。
IGBT在結構上類似于MOSFET，其不同點在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板（漏極）上增加了一個 P+基板（IGBT 的集電極），形成P...
MOSFET在雪崩效應發生時能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高，器件的可靠性越好。參數：雪崩耐量 - SURG （Surge Tolerance）
若該電阻太大，因為MOS管會有結電容，管子太大充電速度慢，管子很長時間達不到飽和開通狀態，從而過熱燒毀。該電阻阻值一般10k以內即可。
KP85402 開關節點耐壓為 650V，輸出峰值拉電流和灌電流能力分別為 300mA 和 1000mA，專用于驅動功率 MOSFETs 或 IGBTs...
額定門極驅動電壓：門極驅動電壓在±20V范圍內施加超過此范圍的電壓時，門極-發射極間的氧化膜（SiO2）有可能發生絕緣破壞或導致可靠性下降。
高頻、高速開關是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優勢之一，這能讓系統效率顯著提升，但也會在寄生電感和電容上產生更大的振蕩，從而在驅動電壓上產生更大的尖峰。
高頻、高速開關是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優勢之一，這能顯著提升系統效率，但也會在寄生電感和電容上產生更大的振蕩，從而讓驅動電壓產生更大的尖峰。
本文就MOSFET的開關過程進行相關介紹與分析，幫助理解學習工作過程中的相關內容。首先簡單介紹常規的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關斷的過...
SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
2023-12-05 標簽：SiC驅動電壓SiC MOSFET 2783 0
在電子電路中，具有動態特性的器件往往是我們難以理解和掌握的，典型的動態特性器件如電感和電容
功率密度的大幅提升離不開第三代半導體的助力，氮化鎵是第三代半導體材料的典型代表，它可在更高的頻率下運行，且具有更快的開關速度和更低的功耗。2018年前后...
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