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標(biāo)簽 > FET
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。
FET電路工作原理
一般在網(wǎng)上只有三極管放大電路的原理，而FET的工作原理很少提及，現(xiàn)在我簡單地分析一下它的放大原理：電路中柵極的直流電位VG是電源電壓VDD被偏壓電阻R3和R2分壓后的電位，即：VG=R2/（R1+R2）*VDD。這與三極管發(fā)射極接地的放大電路基極直流電位相同。但是由于雙極型晶體管中有基極電流流動，所以實際基極電位要比電源被R2和R3分壓要低一些（晶體管是電流控制電流，F(xiàn)ET是電壓控制電流）。但對于FET，由于柵極沒有電流流過，所以實際的柵極電位就是分壓公式所求得的值。源極的直流電位VS比VG高出柵極源極間電壓VGS的值，即： VS=VG+VGS 實際上，VGS是以源極為基準(zhǔn)的，像N溝JFET那樣，當(dāng)源極電位比柵極高應(yīng)該給VGS置以負(fù)號。因此，VS等于將VGS加到VG上時，就成為： VS=VG-VGS 雙極晶體管VBE=0.6V或者0.7V，是能夠相互置換的。但是對于FET來說，當(dāng)器件型號和工作點（ID）不同時，VGS的值是不同的。流過源極的直流電流Is可以由下式求得： Is=VS/RS=（VG-VGS）/RS 漏極的直流電位VD是從電源電壓VDD減去RD上的電壓降的部分。如果漏極電流的直流成分為ID，則有： VD=VDD-ID*RD 由于FET的柵極上沒有電流流過，ID=IS，所以上式也可以寫成： VD=VDD-Is*RD 下面來求它的交流放大倍數(shù)。
由輸入Vi引起的源極電流表的交流變化量#is為： #is=vi/RS 高漏極電流的交流變化量為#id，那么可以認(rèn)為vd的交流變化量#vd就是#id在漏極電阻RD上的電壓降，即： #vd=#id*RD 又因為漏極電流和源極電流相等，所以#vd為： #vd=#is*RD=vi/RS*RD 另外，交流輸出電壓vo是被輸出電容C2隔斷VD的直流成分后的成分，也就是vd的交流成分#vd，即： Vo=#vd=vi/RS*RD 所以不難求得：交流放大倍數(shù)Av為： Av=vo/vi=RD/RS
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Analog Devices Inc. MAX77972 FET充電器數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices Inc. MAX77972 FET充電器是一款獨立的AccuCharge?降壓充電器，可在13.7V輸入電壓和高達(dá)16V保...
TPS542021 4.5V 至 30V 輸入、2A、500kHz 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
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2025-05-28 標(biāo)簽：FET輸入電壓同步降壓轉(zhuǎn)換器 210 0
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2024-04-23 標(biāo)簽：FET場效應(yīng)晶體管光電子器件 2306 0
利用連續(xù)滴定工藝制備一種高品質(zhì)HgTe量子點短波紅外探測器
碲化汞（HgTe）納米晶體具有可調(diào)諧紅外吸收光譜、溶液可加工性、低制造成本以及易與硅基電路集成等特點。
2024-04-07 標(biāo)簽：FET場效應(yīng)晶體管紅外探測器 1103 0
Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列
Nexperia（安世半導(dǎo)體）再次在 APEC 上展示產(chǎn)品創(chuàng)新，宣布發(fā)布幾款新型 MOSFET，以進(jìn)一步拓寬其分立開關(guān)解決方案的范圍，可用于多個終端市場...
OVP可調(diào)過壓過流保護(hù)芯片集成功率FET開關(guān)
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針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應(yīng)管，采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術(shù)，開創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相...
2023-12-24 標(biāo)簽：場效應(yīng)管FET氮化鎵 1049 0
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