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標(biāo)簽 > MOS管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。
場(chǎng)效應(yīng)管通過投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管，或，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。
場(chǎng)效應(yīng)管通過投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管，或，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。
一、經(jīng)典防反接電路1、二極管防反接這種電路使用一個(gè)二極管將電源的正極與負(fù)極相連，當(dāng)電源的極性正確時(shí)，二極管處于正向?qū)顟B(tài)，電流可以正常流過；而當(dāng)電源的...
不管是車載高頻逆變器還是太陽能離網(wǎng)工頻逆變器存在有推挽拓?fù)洹⑷珮蛲負(fù)潆娐罚陔娐烽_發(fā)的過程中工程師是需要結(jié)合不同的電路特性來選型的。因此對(duì)于推挽拓?fù)洹?..
MOS管在電源控制中的應(yīng)用：正負(fù)極驅(qū)動(dòng)原理與設(shè)計(jì)要點(diǎn)
MOS管因其高效、可靠的開關(guān)特性，廣泛應(yīng)用于電子電路設(shè)計(jì)中。N-MOS和P-MOS的導(dǎo)電載流子類型和電壓極性需求不同，控制負(fù)極和正極需分別采用N-MOS...
在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，經(jīng)常會(huì)用到MOS管做開關(guān)電路，而在驅(qū)動(dòng)一些大功率負(fù)載時(shí)，主控芯片并不會(huì)直接驅(qū)動(dòng)大功率MOS管，而是在MCU和大功率MOS管之間加入柵極...
2025-06-06 標(biāo)簽：mcuMOS管驅(qū)動(dòng)電路 783 0
如何準(zhǔn)確計(jì)算 MOS 管驅(qū)動(dòng)電流？
驅(qū)動(dòng)電流是指用于控制MOS管開關(guān)過程的電流。在MOS管的驅(qū)動(dòng)過程中，需要將足夠的電荷注入或抽出MOS管的柵極，以改變MOS管的導(dǎo)通狀態(tài)。驅(qū)動(dòng)電流的大小與...
2025-05-08 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電流開關(guān)速度 455 0
MOS管驅(qū)動(dòng)電路——電機(jī)干擾與防護(hù)處理
此電路分主電路(完成功能)和保護(hù)功能電路。MOS管驅(qū)動(dòng)相關(guān)知識(shí)：1、跟雙極性晶體管相比,一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流,只要GS電壓(Vbe類似)高于...
2025-05-06 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電路電機(jī)干擾 817 0
飛虹MOS管FHP180N08V在音響功放中的應(yīng)用
音響功放領(lǐng)域的MOS管在不斷迭代，近年來都是往高效、高功率密度和低失真的發(fā)展趨勢(shì)。對(duì)于音響功放影響其失真的因素會(huì)有很多，在MOS管領(lǐng)域就會(huì)有跨導(dǎo)（gm）...
防反接電路的設(shè)計(jì)：使用二極管、整流橋、MOS管等防反接
防反接電路是一種用于防止電源極性接反導(dǎo)致設(shè)備損壞的保護(hù)電路，常見類型有二極管防反接、整流橋防反接、MOS管防反接及保險(xiǎn)絲+穩(wěn)壓管防反接電路等。1二極管防...
飛虹MOS管FHP4310V的特點(diǎn)參數(shù)
2025年關(guān)稅大戰(zhàn)引發(fā)國際貿(mào)易動(dòng)蕩，對(duì)于企業(yè)廠家最需要做的就是強(qiáng)化自身產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)，強(qiáng)化供應(yīng)鏈優(yōu)勢(shì)才能存活于市場(chǎng)之中。飛虹半導(dǎo)體結(jié)合市場(chǎng)需求，重磅推出抗沖擊...
1.外圍電路1.1.柵極電阻R51的柵極電阻可以控制MOS管的GS結(jié)電容的充放電速度。對(duì)于MOS管而言，開通速度越快，開通損耗越小。但是速度太快容易引起...
NS1716內(nèi)置MOS管開關(guān)降壓型LED恒流驅(qū)動(dòng)器中文手冊(cè)立即下載
類別：IC中文資料 2025-04-09 標(biāo)簽：ledMOS管恒流驅(qū)動(dòng)器
如何區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管mos管三個(gè)引腳立即下載
類別：電子資料 2025-03-07 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
類別：電子資料 2025-03-06 標(biāo)簽：開關(guān)電源MOS管波形
類別：電子資料 2025-01-08 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
SIF2N60F場(chǎng)效應(yīng)管MOS管2A600V封裝TO-251/TO-252深愛半導(dǎo)體-深圳加權(quán)光電立即下載
類別：電子資料 2024-07-24 標(biāo)簽：MOS管深愛半導(dǎo)體SIF2N60
SIF24N50F深愛半導(dǎo)體MOS管場(chǎng)效應(yīng)管24A500V封裝TO-220F/TO-3P深圳加權(quán)光電立即下載
類別：電子資料 2024-07-23 標(biāo)簽：MOS管深愛半導(dǎo)體加權(quán)光電
類別：電子資料 2024-07-22 標(biāo)簽：MOS管深愛半導(dǎo)體
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)在開關(guān)過程中易產(chǎn)生電壓尖峰，可能引發(fā)器件損壞或電磁干擾問題。為有效抑制電壓尖峰，需從電路設(shè)計(jì)、器件選型、布局布線...
2025-06-13 標(biāo)簽：MOS管 71 0
開關(guān)器件應(yīng)用辨析：可控硅能否替代MOS管？
在電力電子系統(tǒng)中，可控硅（晶閘管）與MOS管（場(chǎng)效應(yīng)管）均屬于關(guān)鍵開關(guān)器件。針對(duì)工程師常提出的"是否可用可控硅直接替換MOS管"這一...
2025-06-11 標(biāo)簽：可控硅MOS管開關(guān)器件 132 0
飛虹MOS管FHP4310V在UPS系統(tǒng)中的應(yīng)用
在UPS（不間斷電源）系統(tǒng)的核心功率電路設(shè)計(jì)中，MOS管的性能、效率與可靠性直接決定了整機(jī)的轉(zhuǎn)換效率、輸出質(zhì)量、熱管理和長(zhǎng)期運(yùn)行穩(wěn)定性。因此，對(duì)于UPS...
電動(dòng)牙刷的電機(jī)驅(qū)動(dòng)與電源管理系統(tǒng)中，MOS管作為核心功率開關(guān)器件，直接決定了產(chǎn)品的效率、續(xù)航及可靠性。合科泰電子針對(duì)旋轉(zhuǎn)式與聲波式電動(dòng)牙刷的不同需求，通...
2025-06-06 標(biāo)簽：MOS管電動(dòng)牙刷 119 0
在快充技術(shù)飛速發(fā)展的當(dāng)下，充電器的效率、體積與溫控成為關(guān)鍵挑戰(zhàn)。作為電能轉(zhuǎn)換的核心開關(guān)器件，MOS管的性能優(yōu)化對(duì)解決這些痛點(diǎn)至關(guān)重要。合科泰基于詳實(shí)的實(shí)...
2025-06-05 標(biāo)簽：MOS管電能轉(zhuǎn)換 110 0
MOS管在汽車領(lǐng)域的相關(guān)應(yīng)用
在汽車電子系統(tǒng)中，MOS管扮演著關(guān)鍵角色，特別是在動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件中。以車載充電單元為例，交流電網(wǎng)通過充電樁接口輸入后，需要經(jīng)過多級(jí)功率轉(zhuǎn)換才能為動(dòng)力...
2025-06-04 標(biāo)簽：MOS管 134 0
MOS管在藍(lán)牙耳機(jī)的應(yīng)用技術(shù)痛點(diǎn)解析
在無線耳機(jī)市場(chǎng)爆發(fā)式增長(zhǎng)的今天，用戶對(duì)耳機(jī)的需求早已超越“聽個(gè)響”的基礎(chǔ)功能。如音樂愛好者追求的是CD級(jí)的無損音質(zhì)，通勤一族需要耳機(jī)全天候的穩(wěn)定連接，手...
2025-06-04 標(biāo)簽：MOS管藍(lán)牙耳機(jī) 90 0
新品推薦 | MOS管在戶用儲(chǔ)能產(chǎn)品上的應(yīng)用
戶用儲(chǔ)能的定義及結(jié)構(gòu)戶用儲(chǔ)能又稱家庭儲(chǔ)能系統(tǒng)，業(yè)內(nèi)簡(jiǎn)稱戶儲(chǔ)。類似于微型儲(chǔ)能電站，是指將可再生能源或電網(wǎng)供電期間存儲(chǔ)的電能儲(chǔ)存在戶用側(cè)，并在需要時(shí)釋放的一...
MOS管的品質(zhì)直接影響到音響功放電路設(shè)計(jì)的效果，而其中可靠性、穩(wěn)定性是對(duì)于音響功放設(shè)計(jì)最看重的要求效果之一。因此對(duì)于電路研發(fā)工程師，如何選擇好的、能代換...
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