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N溝道

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MOS管的的三個(gè)極，中間的電極為G極，兩根線相交的極就是S極。而單獨(dú)引線的就是D極，接著判斷N溝道，由S極指向D極的為N溝道，接著判斷P溝道，由D極指向S極為P溝道。

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n溝道技術(shù)

Analog Devices Inc. LTC7065半橋雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

Analog Devices Inc. LTC7065半橋雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款柵極驅(qū)動(dòng)器，在高達(dá)100V的輸入電壓下工作，具有獨(dú)立于電源的三...

2025-06-06 標(biāo)簽：MOSFET N溝道 Analog 154 0

Analog Devices Inc. LT8349兩相低IQ同步升壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊

Analog Devices LT8349兩相低IQ同步升壓轉(zhuǎn)換器異相驅(qū)動(dòng)兩個(gè)內(nèi)部N溝道功率MOSFET級(jí)。多相操作允許使用更小的電感器，與單相等效產(chǎn)品...

2025-05-29 標(biāo)簽：MOSFET 升壓轉(zhuǎn)換器 N溝道 147 0

Analog Devices Inc. LTC7892兩相升壓控制器數(shù)據(jù)手冊

Analog Devices LTC7892兩相升壓控制器可驅(qū)動(dòng)所有N溝道同步氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）功率級(jí)，輸出電壓高達(dá)100V。高性能...

2025-05-27 標(biāo)簽：FET N溝道 GaN 178 0

MAX14922帶限流功能的高端開關(guān)控制器技術(shù)手冊

概述 MAX14922是一款高側(cè)、n溝道FET控制器，用于實(shí)現(xiàn)工業(yè)高側(cè)開關(guān)，以進(jìn)行接地負(fù)載開關(guān)操作。MAX14922器件控制一個(gè)外部nMOS功率晶體管，...

2025-05-21 標(biāo)簽：控制器 FET N溝道 116 0

JFE150 超低噪聲、低柵極電流、音頻、N 溝道JFET技術(shù)手冊

JFE150 是使用德州儀器 (TI) 的現(xiàn)代高性能模擬雙極工藝構(gòu)建的 Burr-Brown? 分立式 JFET。JFE150 具有以前較舊的分立式 J...

2025-04-02 標(biāo)簽：JFET N溝道低噪聲 466 0

JFE2140 雙路、超低噪聲、低柵極電流音頻N溝道JFET技術(shù)手冊

JFE2140 是使用德州儀器 (TI) 現(xiàn)代高性能模擬雙極工藝構(gòu)建的 Burr-Brown? 音頻、匹配對(duì)分立式 JFET。JFE2140 具有以前較...

2025-04-02 標(biāo)簽：JFET N溝道低噪聲 523 0

TO-252封裝N溝道MOSFET，智能機(jī)器人領(lǐng)域的首選器件

從工廠流水線到家庭服務(wù)，人形機(jī)器人正掀起新一輪革命。但無論是奔跑跳躍的關(guān)節(jié)電機(jī)，還是精準(zhǔn)避障的傳感器，背后都離不開最基礎(chǔ)的“隱形功臣”——二極管、三極管...

2025-03-14 標(biāo)簽：MOSFET N溝道智能機(jī)器人 913 0

高性能N溝道MOSFET是開關(guān)、放大和驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的最優(yōu)選擇

N溝道MOSFET通過控制柵源電壓來控制源漏間電子通路的導(dǎo)通與截止。當(dāng)柵源電壓高于閾值電壓時(shí)，柵極下方會(huì)形成N型導(dǎo)電溝道，源極電子在電場作用下流向漏極，...

2025-03-14 標(biāo)簽：MOSFET N溝道 519 0

功率MOSFET的選型法則

功率MOSFET有二種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇，N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多，成本低；P溝...

2024-10-30 標(biāo)簽：MOSFET 封裝 N溝道 909 0

N溝道增強(qiáng)型MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)

N溝道增強(qiáng)型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體...

2024-09-23 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體晶體管 1617 0

n溝道帖子

請問如何測量N溝道MOSFET好壞？

標(biāo)簽：MOSFET N溝道 470 1

結(jié)型場效應(yīng)管和金屬氧化物場效應(yīng)管的分類

標(biāo)簽：MOS N溝道 p溝道 13518 1

CWS55R140B_DS_EN_V1.0數(shù)據(jù)手冊

標(biāo)簽：MOSFET N溝道 548 0

CWS55R190A_DS_EN_V1.0數(shù)據(jù)手冊

標(biāo)簽：MOSFET N溝道 503 0

CWS20N60A_DS_EN_V1.10數(shù)據(jù)手冊

標(biāo)簽：MOSFET N溝道 588 0

CWS11N65A_DS_EN_V1.20數(shù)據(jù)手冊

標(biāo)簽：MOSFET N溝道 569 0

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標(biāo)簽：MOSFET N溝道 628 0

CWS15N65A_DS_EN_V1.20數(shù)據(jù)手冊

標(biāo)簽：MOSFET N溝道 508 0

CWS15N70A_DS_EN_V1.10數(shù)據(jù)手冊

標(biāo)簽：MOSFET N溝道 477 0

CWS24N60A_DS_EN_V1.20數(shù)據(jù)手冊

標(biāo)簽：N溝道 MOSFET管 484 0

n溝道資料下載

ZSKY-ZS8N65A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書立即下載

類別：電子資料 2025-05-14 標(biāo)簽：MOSFET N溝道 72 0

ZSKY-ZS7N65A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書立即下載

類別：IC datasheet pdf 2025-05-14 標(biāo)簽：MOSFET N溝道 36 0

ZSKY-WNM2030規(guī)格書立即下載

類別：IC datasheet pdf 2025-05-14 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管 N溝道 37 0

ZSKYN- 120N06D- TO252-2L N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書立即下載

類別：IC datasheet pdf 2025-05-14 標(biāo)簽：MOSFET N溝道 67 0

ZSKY-CCS6081EP N溝道60V快速開關(guān)MOSFETs規(guī)格書立即下載

類別：電子資料 2025-05-14 標(biāo)簽：MOSFET N溝道 36 0

ZSKY-CCS3125BP N溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管規(guī)格書立即下載

類別：電子資料 2025-05-13 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管 N溝道 53 0

ZSKY-3402I-5A SOT-23 N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書立即下載

類別：電子資料 2025-05-13 標(biāo)簽：MOSFET N溝道 36 0

ZSKY-3400 N溝道20伏(D-S) MOSFET規(guī)格書立即下載

類別：電子資料 2025-05-13 標(biāo)簽：MOSFET N溝道 60 0

ZSKY-3400-3A SOT-23 N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書立即下載

類別：電子資料 2025-05-13 標(biāo)簽：MOSFET N溝道 33 0

ZSKY-2302-20V-3A N溝道MOSFET規(guī)格書立即下載

類別：電子資料 2025-05-13 標(biāo)簽：MOSFET N溝道 31 0

n溝道資訊

MOS管的工作原理：N溝道與P溝道的區(qū)別

MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是現(xiàn)代電子設(shè)備中最常用的半導(dǎo)體器件之一。它通過電場效應(yīng)控制電流的導(dǎo)通與截止，廣泛應(yīng)用于放大、開關(guān)和信號(hào)處理等電路...

2025-05-09 標(biāo)簽：MOS管 N溝道 p溝道 481 0

納祥科技30V 30A雙N溝道MOSFET NX7011，PIN TO PIN AP20G02BDF

NX7011采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供了出色的RDS(ON)和較低的柵極電荷。該器件具有兩個(gè)獨(dú)立的MOSFET且漏源導(dǎo)通電阻低，可最大限度地降低損耗并減少...

2025-03-26 標(biāo)簽：MOSFET N溝道 PIN 255 0

新潔能12-200V N-Channel Trench MOSFET系列產(chǎn)品

新潔能12-200V N-Channel Trench MOSFET系列產(chǎn)品覆蓋了12V至200V的電壓范圍，主要適用于中低壓場合，特別是在低壓領(lǐng)域具有...

2024-12-04 標(biāo)簽：MOSFET MOS N溝道 659 0

FHP1906V高可靠性的N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)小型化和高效率

? 在12V蓄電池輸入的車載高頻逆變器中，利用DC/DC推挽拓?fù)涞纳龎弘娐分饕蕾嘙OS管來實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。由此可知，在電路設(shè)計(jì)中如何給車載高頻逆變...

2024-11-24 標(biāo)簽：場效應(yīng)管 MOS管 N溝道 844 0

深入探索TK160F10N1L MOSFET：性能、優(yōu)勢及應(yīng)用

在當(dāng)今電子產(chǎn)品的發(fā)展中，功率半導(dǎo)體元件如MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor...

2024-11-08 標(biāo)簽：MOSFET MOS N溝道 769 0

惠海HC005N03L 30V70A 70N03 N溝道MOS管大電流發(fā)熱小投影儀方案

MOS管的工作原理是基于在P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體之間形成的PN結(jié)，通過改變柵極電壓來調(diào)整溝道內(nèi)載流子的數(shù)量，從而改變溝道電阻和源極與漏極之間的電流大小。...

2024-10-10 標(biāo)簽：MOS管投影儀 N溝道 485 0

MT3287 N溝道場效應(yīng)管70V,80A,6.8mΩ。

MT3287 N溝道場效應(yīng)管是一款高性能的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中。其獨(dú)特的70V耐壓、80A的電流承載能力以及6.8毫歐的低電阻特性...

2024-07-04 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體場效應(yīng)管 1236 0

惠海100V 15A HC070N10L TO-252封裝 N溝道MOS管打火機(jī)/BMS電源板應(yīng)用

惠海100V 15A HC070N10L TO-252封裝 N溝道MOS管打火機(jī)/BMS電源板應(yīng)用 MOS管的工作原理是基于在P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體之...

2024-07-01 標(biāo)簽：電源電阻 MOS管 1003 0

Littelfuse推出800V N溝道耗盡型MOSFET CPC3981Z

Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。

2023-10-18 標(biāo)簽：MOSFET 封裝 N溝道 1306 0

東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40...

2023-08-24 標(biāo)簽：東芝封裝 N溝道 1197 0

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智慧城市

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智慧城市就是運(yùn)用信息和通信技術(shù)手段感測、分析、整合城市運(yùn)行核心系統(tǒng)的各項(xiàng)關(guān)鍵信息，從而對(duì)包括民生、環(huán)保、公共安全、城市服務(wù)、工商業(yè)活動(dòng)在內(nèi)的各種需求做出智能響應(yīng)。
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pt100是鉑熱電阻，它的阻值會(huì)隨著溫度的變化而改變。PT后的100即表示它在0℃時(shí)阻值為100歐姆，在100℃時(shí)它的阻值約為138.5歐姆。
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TE Connectivity Ltd(泰科電子)公司設(shè)計(jì)和制造的50多萬種產(chǎn)品，連接和保護(hù)了我們?nèi)粘Ｊ褂玫母鞣N產(chǎn)品中的電力和數(shù)據(jù)流動(dòng)。
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電子管，是一種最早期的電信號(hào)放大器件。被封閉在玻璃容器（一般為玻璃管）中的陰極電子發(fā)射部分、控制柵極、加速柵極、陽極（屏極）引線被焊在管基上。利用電場對(duì)真空中的控制柵極注入電子調(diào)制信號(hào)，并在陽極獲得對(duì)信號(hào)放大或反饋振蕩后的不同參數(shù)信號(hào)數(shù)據(jù)。
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本文詳細(xì)介紹了OLED顯示屏發(fā)光原理機(jī)OLED 和 LCD 什么區(qū)別，對(duì)于技術(shù)人員有所幫助！
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BT136是電子元器件型號(hào)的一種，為雙向可控硅。而可控硅又是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。
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匯頂科技（603160.SH）是一家基于芯片設(shè)計(jì)和軟件開發(fā)的整體應(yīng)用解決方案提供商，目前主要面向智能終端、物聯(lián)網(wǎng)及汽車電子領(lǐng)域提供領(lǐng)先的半導(dǎo)體軟硬件解決方案。產(chǎn)品和解決方案已經(jīng)廣泛應(yīng)用于華為、OPPO、vivo、小米、Samsung、Google、Amazon、Dell、HP、LG、一加、Nokia、ASUS等國際國內(nèi)知名品牌
LED燈珠

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LED英文為（light emitting diode），LED燈珠就是發(fā)光二極管的英文縮寫簡稱LED，這是一個(gè)通俗的稱呼。LED燈珠廣泛用于燈飾照明、LED大屏幕顯示、交通燈、裝飾、電腦、電子玩具禮品、交換機(jī)、電話機(jī)、廣告、城市光彩工程等諸多生產(chǎn)領(lǐng)域
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電阻式觸摸屏是一種傳感器，它將矩形區(qū)域中觸摸點(diǎn)（X，Y）的物理位置轉(zhuǎn)換為代表X坐標(biāo)和Y坐標(biāo)的電壓。很多LCD模塊都采用了電阻式觸摸屏，這種屏幕可以用四線、五線、七線或八線來產(chǎn)生屏幕偏置電壓，同時(shí)讀回觸摸點(diǎn)的電壓。
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　　限流電阻是由電阻串聯(lián)于電路中，用以限制所在支路電流的大小，以防電流過大燒壞所串聯(lián)的元器件。同時(shí)限流電阻也能起分壓作用。
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MAX31855

MAX31855

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MAX31855冷端補(bǔ)償熱電偶至數(shù)字輸出轉(zhuǎn)換器，高精度熱電偶數(shù)字轉(zhuǎn)換器IC，有效簡化設(shè)計(jì)并降低系統(tǒng)成本。
硅基

硅基

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硅基智能成立于2017年8月，總部位于中國南京，是一家以服務(wù)智能化和知識(shí)智能化為核心的人工智能創(chuàng)新企業(yè)。
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鈉離子電池是一種二次電池（充電電池），主要依靠鈉離子在正極和負(fù)極之間移動(dòng)來工作，與鋰離子電池工作原理相似。鈉離子電池使用的電極材料主要是鈉鹽，相較于鋰鹽而言儲(chǔ)量更豐富，價(jià)格更低廉。由于鈉離子比鋰離子更大，所以當(dāng)對(duì)重量和能量密度要求不高時(shí)，鈉離子電池是一種劃算的替代品。
滑動(dòng)變阻器

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　　滑動(dòng)變阻器是電路元件，它可以通過來改變自身的電阻，從而起到控制電路的作用。
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