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cmos電路

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cmos電路技術(shù)

TTL電路和CMOS電路的區(qū)別和聯(lián)系

TTL(晶體管-晶體管邏輯)和CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)是兩種主要的集成電路(IC)技術(shù),它們廣泛應(yīng)用于數(shù)字電子設(shè)備中。

2024-05-28 標(biāo)簽:集成電路TTL電路CMOS電路 3775 0

淺析CMOS電路的靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗

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CMOS電路功耗主要由動(dòng)態(tài)功耗和靜態(tài)功耗組成,動(dòng)態(tài)功耗又分為開(kāi)關(guān)功耗、短路功耗兩部分

2024-04-01 標(biāo)簽:NMOS靜態(tài)功耗CMOS電路 8168 0

淺析SoC芯片的DVFS技術(shù)

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DVFS(Dynamic Voltage and Frequency Scaling)即動(dòng)態(tài)電壓頻率調(diào)節(jié)技術(shù),是一種高效的低功耗技術(shù),它通過(guò)動(dòng)態(tài)調(diào)整工作...

2024-04-05 標(biāo)簽:芯片socCMOS電路 3469 0

CMOS電路什么輸入為高電平 cmos門(mén)電路輸出電平判斷

CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)電路是一種常見(jiàn)的電子邏輯門(mén)電路技術(shù),由一個(gè)PMOS(P型金屬氧...

2024-02-22 標(biāo)簽:門(mén)電路CMOS電路漏電流 6118 0

CMOS電路和TTL電路的區(qū)別 cmos電路和ttl電路優(yōu)缺點(diǎn)

CMOS電路和TTL電路是兩種常見(jiàn)的數(shù)字電路技術(shù),它們?cè)陔娐方Y(jié)構(gòu)、功耗、速度、噪聲抗擾能力等方面存在差異。下面是對(duì)CMOS電路和TTL電路的比較,以及它...

2024-02-22 標(biāo)簽:TTL電路數(shù)字電路場(chǎng)效應(yīng)晶體 1.3萬(wàn) 0

兩位格雷碼減法器數(shù)字電路設(shè)計(jì)

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目前,針對(duì)數(shù)字電路研究的主要目標(biāo)都是為了提高電路的運(yùn)算速度、降低電路的功耗和減少電路邏輯輸出的誤差,因此延時(shí)、功耗和誤差是數(shù)字電路三個(gè)最重要的性能指標(biāo)。

2024-02-19 標(biāo)簽:邏輯門(mén)二進(jìn)制格雷碼 1659 0

TTL電路是什么意思?TTL邏輯電平 TTL電路如何工作?

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TTL電路是一種晶體管-晶體管邏輯電路,它是Transistor-Transistor Logic的縮寫(xiě)。TTL電路是一種數(shù)字電路,主要用于處理數(shù)字信號(hào)...

2024-02-17 標(biāo)簽:TTL電路晶體管邏輯電平 2.0萬(wàn) 0

低功耗設(shè)計(jì)之Power Switch Cell

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CMOS電路中的功耗分為兩部分:靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗;

2024-01-16 標(biāo)簽:動(dòng)態(tài)功耗靜態(tài)功耗低功耗設(shè)計(jì) 6019 0

閂鎖效應(yīng)(Latch-up)原理及其抑制方法解析

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閂鎖效應(yīng):實(shí)際上是由于CMOS電路中基極和集電極相互連接的兩個(gè)BJT管子(下圖中,側(cè)面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的

2023-12-01 標(biāo)簽:CMOS電路VDD閂鎖效應(yīng) 2.2萬(wàn) 0

如何做一個(gè)低抖動(dòng)的PLL?PLL噪聲優(yōu)化

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Xilinx最新一代UltraScale+ FPGA ^[1]^ 將RF AD/DA、SerDes等系統(tǒng)完美集成在一顆芯片打造出了一個(gè)全方位的通信鏈

2023-10-31 標(biāo)簽:VCOCMOS電路PLL電路 3425 0

半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體工業(yè)(九)

在之前眾多技術(shù)的量變積累之上,終于觸發(fā)質(zhì)變效應(yīng),仙童半導(dǎo)體公司引入了平面化技術(shù),將之前的這些點(diǎn)技術(shù)集合到了一起。

2023-10-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管MOS 798 0

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隨著ChatGPT強(qiáng)勢(shì)來(lái)襲,AI人工智能應(yīng)用層出不窮。智能化時(shí)代,數(shù)據(jù)量指數(shù)型增長(zhǎng),摩爾定律已經(jīng)不能滿足當(dāng)前的數(shù)據(jù)處理需求,元器件的物理尺寸已經(jīng)接近極限。

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本文提出了一種基于逐次逼近的壓阻式加速度計(jì)低功耗CMOS接口電路。該接口電路包括放大器、累加器、比較器、雙向可逆計(jì)數(shù)器、鎖存器、啟動(dòng)控制邏輯和D/A轉(zhuǎn)換器。

2023-10-17 標(biāo)簽:放大器比較器加速度計(jì) 1372 0

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多諧振蕩器可以發(fā)出音頻信號(hào),驅(qū)動(dòng)喇叭發(fā)聲。但是這種頻率固定的信號(hào)時(shí)間長(zhǎng)了會(huì)使人厭倦。為此,各種調(diào)制音頻信號(hào)被廣泛使用。光敏電阻可以用來(lái)解決聲音頻率的變化問(wèn)題。

2023-10-11 標(biāo)簽:數(shù)字電路信號(hào)發(fā)生器光敏電阻 2377 0

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CMOS也叫互補(bǔ)金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路,它在速度、功耗、兼容性等方面性能優(yōu)越,因而得到日益廣泛的應(yīng)用,特別適合制作小型和便攜式的電子作品。

2023-10-11 標(biāo)簽:電容器反相器發(fā)光二極管 2772 0

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主要介紹幾種邏輯電路的高速特性包括 ITL 邏輯電路、 CMOS 邏輯電路、 ECL 邏輯電0路,和 LVDS 器件的基本結(jié)構(gòu)、 工作原理和特點(diǎn),以及邏...

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cmos門(mén)電路靜態(tài)功耗怎么算,cmos靜態(tài)功耗影響因素

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CMOS靜態(tài)功耗是指在CMOS電路中,當(dāng)輸入信號(hào)不變時(shí),電路中的電流仍然存在,這種電流被稱(chēng)為靜態(tài)電流,也被稱(chēng)為漏電流。CMOS靜態(tài)功耗是指在這種情況下,...

2023-07-21 標(biāo)簽:CMOS靜態(tài)功耗CMOS電路 4381 0

淺析芯片功耗的控制方法與驗(yàn)證方式

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隨著移動(dòng)設(shè)備的興起和芯片工藝的提升,功耗成為近年來(lái)芯片設(shè)計(jì)越來(lái)越關(guān)注的話題。對(duì)功耗關(guān)注度的提升大致可以從兩方面進(jìn)行分析,用戶角度和芯片設(shè)計(jì)者角度。

2023-06-29 標(biāo)簽:芯片設(shè)計(jì)CMOS電路預(yù)分頻器 6993 0

隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFET)的工作原理分析

每個(gè)晶體管的兩個(gè)p-n結(jié)提供了電荷流動(dòng)的電子能壘,而晶體管可以通過(guò)向溝道上方的柵極施加電壓來(lái)導(dǎo)通。

2023-03-24 標(biāo)簽:MOSFET晶體管CMOS電路 1.1萬(wàn) 1

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