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標(biāo)簽 > cmos
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,電壓控制的一種放大器件,是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。
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DS1045為4位雙通道可編程延遲線,支持兩個(gè)可編程輸出,從 單輸入。該CMOS器件能夠以二進(jìn)制步進(jìn)產(chǎn)生輸出,最大延遲 高達(dá) 84 ns。選擇四個(gè)標(biāo)準(zhǔn)器...
在上期的芝識(shí)課堂中,我們和大家簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)了邏輯IC的基本知識(shí)和分類,并且特別提到CMOS邏輯IC因成本、系統(tǒng)復(fù)雜度和功耗的平衡性最好,因此得到了最廣泛應(yīng)用...
使用互補(bǔ)的p溝道和n溝道MOSFET組合的電路稱為CMOS(互補(bǔ)MOS)。CMOS邏輯IC以各種方式組合MOSFET來(lái)實(shí)現(xiàn)邏輯功能。
CMOS逆變器非常簡(jiǎn)單,它將功耗降至最低水平。它由一對(duì)增強(qiáng)型NMOS和PMOS組成,作為交換機(jī)運(yùn)行,串聯(lián)連接,如圖所示。請(qǐng)注意,每個(gè)晶體管用作另一個(gè)晶體...
基于載流子復(fù)合抑制及傳輸增強(qiáng)的Sb?Se?光電探測(cè)器
光電探測(cè)器利用半導(dǎo)體對(duì)光的吸收將光信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào),在國(guó)民經(jīng)濟(jì)生活和軍事上扮演重要作用。
二極管邏輯:上下拉電阻能夠增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力
在這么原始的邏輯電路中就已經(jīng)出現(xiàn)了上下拉電阻,這里面的原理也非常簡(jiǎn)單粗暴:利用開關(guān)的閉合(電阻為0)和開啟(電阻無(wú)窮大)的特性,配合電阻,就可以輕松實(shí)現(xiàn)...
新一代GSPS(每秒千兆采樣)ADC(模數(shù)轉(zhuǎn)換器)在系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)中提供了業(yè)界領(lǐng)先的性能和可靠性。但是,如果SPI接口每次讀取都回讀0xFF,那么這肯定是不可...
咱們前幾期講的一直是NMOS,導(dǎo)電靠的是溝道中的自由電荷。而PMOS與NMOS結(jié)構(gòu)上的不同點(diǎn)在于半導(dǎo)體基板的材料恰恰相反,是在N型摻雜基板的基礎(chǔ)上加了兩...
PCB板設(shè)計(jì)中幾種典型的通用ESD保護(hù)電路
ESD,也就是我們常說(shuō)的靜電釋放(Electro-Static discharge)。從學(xué)習(xí)過的知識(shí)中可以知道,靜電是一種自然現(xiàn)象,通常通過接觸、摩擦、...
詳解嵌入式系統(tǒng)知識(shí)和總線電路及信號(hào)驅(qū)動(dòng)
組合邏輯電路:電路在任一時(shí)刻的輸出,僅取決于該時(shí)刻的輸入信號(hào),而與輸入信號(hào)作用前電路的狀態(tài)無(wú)關(guān)。常用的邏輯電路有譯碼器和多路選擇器等。
2023-02-15 標(biāo)簽:CMOS邏輯電路嵌入式系統(tǒng) 686 0
為了繼續(xù)針對(duì)非RF工程師的RF系列簡(jiǎn)短討論,我們將討論IC衰減器,并對(duì)其類型、配置和規(guī)格提供一些見解。本文旨在幫助工程師開始使用各種IC產(chǎn)品,并為最終應(yīng)...
CMOS的靜電放電可能會(huì)導(dǎo)致電路損壞,而過壓可能會(huì)導(dǎo)致電路過熱,從而影響電路的性能和可靠性。因此,在使用CMOS時(shí),應(yīng)注意防止靜電放電和過壓。
氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,在上世紀(jì)90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用,多年來(lái)氮化鎵已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn),被稱為第三代半導(dǎo)體,它具有更...
T3/E3/STS-1 LIU二次浪涌保護(hù)設(shè)計(jì)
T3、E3 和 STS-1 線路主要用于建筑內(nèi)應(yīng)用,將一臺(tái)設(shè)備連接到另一臺(tái)設(shè)備。盡管與外部線路(如T1)相比,建筑物內(nèi)線路的雷擊和電力線交叉的潛在危險(xiǎn)本...
已經(jīng)開發(fā)出新的RS232接口芯片,與1488和1489等舊設(shè)備相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。與舊器件相比,新型 RS232 接口 IC 提高了速度、功率、電壓電源要...
2023-02-13 標(biāo)簽:電源CMOS驅(qū)動(dòng)器 1760 0
為了提高效率,當(dāng)今的電子系統(tǒng)越來(lái)越模塊化。特別是,電池供電的那些具有各種電壓要求。雖然核心數(shù)字控制和數(shù)據(jù)處理子系統(tǒng)通常使用1.8 V(或更低,如1.2 ...
硅基氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體,屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。
2023-02-12 標(biāo)簽:CMOS半導(dǎo)體硅基氮化鎵技術(shù) 1305 0
為單電源供電設(shè)計(jì)電路通常是一種有吸引力的簡(jiǎn)化方法,可以降低生產(chǎn)成本。然而,許多應(yīng)用只需要幾個(gè)額外的電源來(lái)解決簡(jiǎn)單的接口問題。此處提供的示例描述了高級(jí)RS...
2023-02-10 標(biāo)簽:電源CMOS轉(zhuǎn)換器 1163 0
芯片的底層數(shù)學(xué)原理就是由0和1的各種邏輯組成的。從數(shù)學(xué)原理到物理實(shí)現(xiàn)的邏輯電路是比想象要困難的,接下來(lái)我們來(lái)介紹一 下基本的一-些邏輯門]。
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