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標(biāo)簽 > cmos
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,電壓控制的一種放大器件,是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。
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我們的研究遠(yuǎn)景來自多年的研究資助。由NSF、DARPA、UC探索計(jì)劃和我們的BWRC的工業(yè)贊助商。
Lumerical關(guān)于CMOS Image Sensor的寬帶模擬
本例介紹了CMOS傳感器仿真工作流,其中包括三維寬帶光學(xué)和電學(xué)仿真,與前面的案例(Lumerical 針對 CMOS image sensor 仿真中的...
在本文中,我們將介紹相反的問題:我們有一個(gè)3.3V輸出,我們需要驅(qū)動(dòng)一個(gè)5V系統(tǒng)。
2022-12-20 標(biāo)簽:CMOS二極管轉(zhuǎn)換器 4728 0
mos管的工作區(qū)域 從之前的文章中可以知道,mos管有三個(gè)工作區(qū)域: 截止區(qū)域 線性(歐姆)區(qū)域 飽和區(qū)域 當(dāng) VGS VTH時(shí),mos管工作在截止區(qū)域...
2022-12-19 標(biāo)簽:CMOS開關(guān)電路MOS管 3.6萬 0
采用28納米CMOS技術(shù)的12-b 10-GS/s交錯(cuò)式流水線ADC
本文介紹了一種 12 位 10GS/s 交錯(cuò) (IL) 流水線模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)。該 ADC 采用 4 GHz 輸入信號實(shí)現(xiàn) 55 dB 的信噪比和...
2022-12-15 標(biāo)簽:CMOS轉(zhuǎn)換器adc 3065 0
16位16MS/s SAR ADC采用55nm CMOS進(jìn)行片上校準(zhǔn)
逐次逼近寄存器(SAR)ADC已獲得大量研究 過去十年左右的興趣[1]-[9]。相對簡單的架構(gòu)由于 無需運(yùn)算放大器即可重用硬件 更節(jié)能,更易于在進(jìn)程之間...
仿真在構(gòu)建任何系統(tǒng)時(shí)都起著關(guān)鍵作用。它允許設(shè)計(jì)人員預(yù)見問題并防止耗時(shí)且昂貴的修訂。目標(biāo)始終是第一次就做對!在高速數(shù)字接口仿真的情況下,如果設(shè)計(jì)不當(dāng),簡單...
如何有效地比較CMOS開關(guān)與固態(tài)繼電器的性能
源極和漏極之間的關(guān)斷電容,CDS(關(guān)閉),是衡量關(guān)斷開關(guān)阻止源極信號耦合到漏極的能力的指標(biāo)。它是固態(tài)繼電器(也稱為 PhotoMOS、OptoMOS、光...
當(dāng)核心區(qū)域和 I/O 區(qū)域都已經(jīng)生長晶體管后,沉積多晶硅層(Poly-Si)和硬掩模層(薄的SiON和PECVD二氧化硅)。沉積柵疊層(Cate-Sta...
2022-12-08 標(biāo)簽:CMOS晶體管場效應(yīng)晶體管 7643 1
利用CMOS數(shù)字隔離器提高智能計(jì)量解決方案的數(shù)據(jù)完整性和可靠性
隨著消費(fèi)者從傳統(tǒng)的機(jī)電電表升級到聯(lián)網(wǎng)的智能電表,自動(dòng)讀表(AMR)市場預(yù)計(jì)在未來幾年將以兩位數(shù)的速度增長。當(dāng)今先進(jìn)的智能電表使用最新的集成電路(IC)技...
2022-12-03 標(biāo)簽:CMOS光耦合器數(shù)字隔離器 1141 0
關(guān)于5G相關(guān)RFIC/CMOS技術(shù)
今天大多數(shù)收音機(jī)都會(huì)向各個(gè)方向噴射能量。這不僅是對權(quán)力的巨大浪費(fèi),而且會(huì)導(dǎo)致更多的干擾!
IS61LV25616AL異步SRAM存儲(chǔ)器功能簡介
IS61LV25616AL是ISSI公司的一款容量為256Kx 16bits的且引腳功能完全兼容的4Mb的異步SRAM。也是一款大容量且存儲(chǔ)時(shí)間相對較短...
什么是硅光技術(shù)?硅光子技術(shù)三大優(yōu)勢介紹
在芯片技術(shù)的發(fā)展過程中,隨著芯片制程的逐步縮小,互連線引起的各種效應(yīng)成為影響芯片性能的重要因素。芯片互連是目前的技術(shù)瓶頸之一,而硅光子技術(shù)則有可能解決這一問題。
2022-11-22 標(biāo)簽:處理器CMOS數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 9753 0
適配于智能駕駛系統(tǒng)各類不同視覺傳感器的去畸變方法
我們知道,攝像頭在進(jìn)行圖像拍攝時(shí),最理想的位置是能垂直與拍攝平面的,這樣能保證圖像能按照原來的幾何比重重現(xiàn)。
高速CMOS光耦合器在工業(yè)現(xiàn)場總線網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用
從20世紀(jì)80年代中期開始,現(xiàn)場總線技術(shù)就準(zhǔn)備進(jìn)入工廠。工業(yè)現(xiàn)場總線根據(jù)其性能能力進(jìn)行分類。人們最終選擇的現(xiàn)場總線標(biāo)準(zhǔn)主要取決于總線能夠處理的數(shù)據(jù)量及其...
2022-11-21 標(biāo)簽:CMOS光耦合器現(xiàn)場總線 1127 0
模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)-第三章課后習(xí)題深度解答
前言 《模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)》是本人讀書期間的學(xué)習(xí)用書,在工作中也逐漸成為手頭必備的工具書。該書的內(nèi)容以其語言精練,內(nèi)容詳實(shí),重在基礎(chǔ)等特點(diǎn),逐漸成...
了解為高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)供電方案的挑戰(zhàn)
了解為當(dāng)今高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)供電方案的關(guān)鍵挑戰(zhàn),是設(shè)計(jì)一個(gè)滿足每位設(shè)計(jì)工程師要求的含LDO (DC-DC, PMIC)的優(yōu)化的電源系...
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器SRAM是靠什么去存儲(chǔ)信息的呢
靜態(tài)ram是靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來記憶信息的;動(dòng)態(tài)RAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的
Everspin展示了28nm單機(jī)1Gb STT-MRAM芯片
everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì),制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無二的。Everspin擁有超過600項(xiàng)有效專利和申請的知識(shí)產(chǎn)權(quán)...
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