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finfet存儲器+關注0人關注

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　　與平面工藝相比，FinFET的復雜性一般會導致更加昂貴的制造工藝，FinFET降低了工作電壓，提高了晶體管效率，對靜態功耗（線性）和動態功耗（二次方）都有積極作用。可節省高達50%的功耗。性能也更高——在0.7V上，性能（吞吐量）比平面工藝高37%。

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