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氮化鎵技術(shù)驅(qū)動的高效逆變器設計:硅與GaN器件的比較分析
通過重新設計基于氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案,DRS優(yōu)化的車輛逆變器性能使開關(guān)頻率提高了四倍,減少了體積和重量...
基于LMG3410R070 UCD3138A 和 UCD7138的HV GaN FET的24V/500W諧振轉(zhuǎn)換器參考設計
此參考設計是高頻諧振轉(zhuǎn)換器參考設計。使用諧振頻率為 500 kHz 的諧振電路,輸出電壓調(diào)節(jié)至 24 V,輸入電壓范圍為 380 V 至 400 V。此...
用戶指南#LMG34XX-BB-EVM適用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系統(tǒng)級評估主板
LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分線板,可將任何 LMG341x 半橋板(如 LMG3410-HB-EVM)配置為同步降壓轉(zhuǎn)換器。通過提供...
PMP21842 采用 HV GaN FET 的 12V/500W諧振轉(zhuǎn)換器參考設計
此高頻諧振轉(zhuǎn)換器參考設計使用諧振頻率為 500kHz 的諧振電路,在 380V 至 400V 輸入電壓范圍內(nèi)調(diào)節(jié) 12V 輸出。使用我們的高壓 GaN ...
2025-02-25 標簽:諧振轉(zhuǎn)換器偏置電源同步整流器 422 0
EVM用戶指南:LMG2650EVM-100 LMG2650半橋子卡評估模塊
LMG2650EVM-100 旨在提供一個快速簡便的平臺,用于評估任何半橋拓撲中的 TI 集成 GaN 器件。該板設計為使用板底部邊緣的 6 個電源引腳...
氮化鎵(GaN),作為一種具有獨特物理和化學性質(zhì)的半導體材料,憑借卓越的功率轉(zhuǎn)換效率、超快的開關(guān)速度以及出色的耐高溫性能,在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中...
聚焦大功率氮化鎵(GaN)器件及其在實際應用中所面臨的相關(guān)熱問題
熱設計是一個至關(guān)重要的課題,其中的各種規(guī)則、縮略語和復雜方程時常讓人感到它似乎是個深不可測的神秘領(lǐng)域;
半導體產(chǎn)業(yè)往往指以半導體材料為基礎(chǔ)的整個產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài),這里可以包括半導體材料的生產(chǎn)(屬于化學產(chǎn)業(yè)),利用半導體材料生產(chǎn)加工的產(chǎn)業(yè),幫助半導體材料生產(chǎn)加工的...
從模塊電源技術(shù)發(fā)展角度看模塊電源的統(tǒng)型與選型
模塊電源(BMP)因其高效、安全、可靠、系統(tǒng)升級容易等特點,廣泛的應用于工業(yè)自動化、繼電保護、配網(wǎng)自動化、軌道交通、汽車電子、航空航天等高可靠性高性能的領(lǐng)域。
ControlNet給出的實驗結(jié)果實在是過于驚艷了,近期視覺領(lǐng)域最讓人興奮的工作。
當前軍事與航天領(lǐng)域是氮化鎵技術(shù)最大的市場。最早就是在美國國防部的推動下,開始了氮化鎵技術(shù)的研究,慢慢地就行成了現(xiàn)在GaN器件的市場。據(jù)統(tǒng)計,軍事和航天領(lǐng)...
2023-02-12 標簽:雷達硅基氮化鎵技術(shù)GaN器件 682 0
SOI獨特的“Si/絕緣層/Si”三層結(jié)構(gòu),帶來了諸多優(yōu)勢:首先,“絕緣埋層”實現(xiàn)了器件功能有源部分和襯底的全介質(zhì)隔離,減小了寄生電容,開關(guān)頻率得以提高。
不同種類的 GaN 可能具有不同的柵極驅(qū)動要求,這可能是使用 GaN 組件進行設計時面臨的最大挑戰(zhàn)之一。
2022-11-10 標簽:CGDdcdc轉(zhuǎn)換器GaN器件 3172 0
對于工程師來說,設計 GaN PA 的第一步就是獲得半導體制造商的產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊 ;第二部就是查看 S 參數(shù)。PA 設計工程師還可以利用測得的負載牽引數(shù)據(jù)...
為什么GaN FET是LLC轉(zhuǎn)換器設計的最佳選擇
氮化鎵(GaN)器件以最小的尺寸提供了最佳的性能,提高了效率,并降低了48 V電源轉(zhuǎn)換應用的系統(tǒng)成本。迅速增長的采納的eGaN的?在大批量這些應用FET...
2021-03-31 標簽:發(fā)動機混合動力車LLC轉(zhuǎn)換器 3463 0
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