標(biāo)簽 > igbt器件
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IGBT器件是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,是通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
用于 LTE 和 NR 頻段的前端模塊 SkyOne? LiTE 中頻和高頻帶前 0.3 至 5.0 GHz、100 W 耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器 2.3 至 4.2 GHz 120 W 2300-2700 MHz 高增益和線性 700 – 1000 MHz 高增益和線 用于 2G/3G 收發(fā)器的 700-10 1700-2200 MHz 高增益 700-1000 MHz 高增益 700–1000 MHz 高線性度、單通 200-5000 MHz 單下變頻混頻器
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