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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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自“雙碳”目標(biāo)確定以來(lái),我國(guó)能源綠色低碳轉(zhuǎn)型穩(wěn)步推進(jìn),光伏、風(fēng)電、儲(chǔ)能等新能源行業(yè)也迎來(lái)了井噴式發(fā)展。下圖是一個(gè)光伏系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖,其中逆變器作為光伏發(fā)電系...
為了安全使用SiC模塊,需要計(jì)算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫,并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計(jì)算與IGBT既有相似之處,也有不同。相對(duì)IGBT,M...
浮思特 | 揭開(kāi)(IGBT)的神秘面紗,結(jié)構(gòu)原理與應(yīng)用解析
在(絕緣柵雙極型晶體管)IGBT出來(lái)之前,最受歡迎和常用的功率電子開(kāi)關(guān)器件是雙極結(jié)晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。然而,這兩種組件在高電...
測(cè)量回路雜散電感常用方法有雙脈沖法、短路法及諧振法。雙脈沖法通過(guò)測(cè)量獲取IGBT關(guān)斷時(shí)的尖峰電壓Vpeak和電流變化率,利用公式來(lái)計(jì)算雜散電感Lstra...
回路中各環(huán)節(jié)電感值對(duì)于減小回路的總雜散電感而言十分重要。由于直流支撐電容器和IGBT的內(nèi)部電感是定值,其降低只能通過(guò)器件制造商提高制造和工藝水平來(lái)實(shí)現(xiàn)。...
研究IGBT器件的開(kāi)關(guān)及特性對(duì)實(shí)現(xiàn)IGBT變流器的高性能具有重要的意義,IGBT DC Link主回路的寄生電感會(huì)影響IGBT的開(kāi)關(guān)特性。本文研究IGB...
新能源汽車焊接材料五大失效風(fēng)險(xiǎn)與應(yīng)對(duì)指南——從焊點(diǎn)看整車可靠性
本文從廠家視角解析新能源汽車焊接封裝材料四大失效模式:機(jī)械失效(熱循環(huán)與振動(dòng)導(dǎo)致焊點(diǎn)疲勞)、熱失效(高溫下焊點(diǎn)軟化與散熱不足)、電氣失效(電遷移與接觸電...
Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動(dòng)逆變器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要素
Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動(dòng)逆變器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要素
IGBT功率模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試中夾具雜散電感的影響
在IGBT功率模塊的動(dòng)態(tài)測(cè)試中,夾具的雜散電感(Stray Inductance,Lσ)是影響測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確性的核心因素。雜散電感由測(cè)試夾具的layout...
2025-06-04 標(biāo)簽:IGBT功率模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試 459 0
ADUM4135單電源/雙電源高電壓隔離IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)
ADuM4135是一款單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,專門針對(duì)驅(qū)動(dòng)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)進(jìn)行了優(yōu)化。ADI公司的**i**Coupler ^?^ 技術(shù)在輸入信號(hào)...
2025-06-04 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 237 0
功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析:以SiC與IGBT為例
隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展,碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝...
ADuM4136單電源/雙電源高電壓隔離IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)
ADuM4136是一款單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,專門針對(duì)驅(qū)動(dòng)絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)進(jìn)行了優(yōu)化。ADI公司的**i**Coupler ^?^ 技術(shù)在輸入...
2025-06-03 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 192 0
NSG4427柵極驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)品特性
NSG4427是低電壓功率MOSFET和IGBT同相位柵驅(qū)動(dòng)器。專有的閂鎖免疫CMOS技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)高魯棒性。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTT...
2025-05-30 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 240 0
ADuM4138具有隔離式反激控制器的高電壓隔離式IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)
ADuM4138 是一款已針對(duì)絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅(qū)動(dòng)進(jìn)行優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器。ADI 公司的 **i**Coupler^?^ 技術(shù)在輸...
2025-05-30 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 317 0
ADuM4137具有故障檢測(cè)功能的高電壓隔離式IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)
ADuM4137^1^ADuM4138 是一款已專門針對(duì)絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅(qū)動(dòng)進(jìn)行優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器。ADI 公司的 **i**Co...
2025-05-30 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 227 0
在電子制造領(lǐng)域,傳統(tǒng)插件封裝器件(如TO-247/TO-220)正面臨轉(zhuǎn)型升級(jí)的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。盡管這類封裝方案仍占據(jù)特定市場(chǎng)份額,但居高不下的生產(chǎn)成本以及勞...
電動(dòng)汽車充電站電源模塊設(shè)計(jì)方案
分析了移相全橋變換器的工作原理,提出一種安全可靠的IGBT驅(qū)動(dòng)電路。據(jù)此設(shè)計(jì)了一種面向電動(dòng)汽車充電站應(yīng)用的電源模塊,該電源模塊具有恒壓和恒流兩種輸出方式...
2025-05-23 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT電源模塊 2654 0
為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關(guān)斷特性及短路特性之間的矛盾,提高器件的綜合性能和可靠性,在IGBT中引入了一種電子注入增強(qiáng)效應(yīng)(Injection Enha...
盡管開(kāi)關(guān)器件內(nèi)部工作機(jī)理不同,但對(duì)于吸收電路的分析而言,則只需考慮器件的外特性,IGBT關(guān)斷時(shí)模型可以等效為電壓控制的電流源,開(kāi)通時(shí)可以等效為電壓控制的...
2025-05-21 標(biāo)簽:模塊IGBT開(kāi)關(guān)器件 439 0
UCC27524 具有 5V UVLO、使能和 1ns 延遲匹配的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27524 器件是一款雙通道、高速、低側(cè)、柵極驅(qū)動(dòng)器器件,能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開(kāi)關(guān)。該 UCC27524 增加了直接在輸...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開(kāi)關(guān)IGBT 334 0
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