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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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驅(qū)動電路對動態(tài)均流的影響:驅(qū)動電路對并聯(lián)均流的影響也是顯而易見的,如果并聯(lián)工作的IGBT驅(qū)動電路不同步,則先驅(qū)動的IGBT要承擔(dān)大得多的動態(tài)電流。
經(jīng)常聽到功率循環(huán)這個實(shí)驗(yàn),總覺得這個不是很簡單嗎,不就是IGBT溫度在一定范圍波動,然后經(jīng)過幾萬次循環(huán),再測試IGBT的Vcesat或Rth是否異常來確...
IGBT芯片的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和性能優(yōu)勢
當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多,但是有一個模塊需...
安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動應(yīng)用
近年來,我國年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸
IGBT與MOS管、可控硅的區(qū)別 IGBT驅(qū)動電路設(shè)計(jì)
IGBT在結(jié)構(gòu)上是NPN行MOSFET增加一個P結(jié),即NPNP結(jié)構(gòu),在原理上是MOS推動的P型BJT。
TPAK封裝IGBT模塊在新能源電機(jī)控制器上的應(yīng)用
自從特斯拉第三代電驅(qū)系統(tǒng)選用TPAK SiC模塊獲得廣泛應(yīng)用和一致好評后,國內(nèi)各大IGBT模塊封測廠家、新能源汽車主機(jī)廠及電驅(qū)動系統(tǒng)開發(fā)商也紛紛把目光投...
硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)
Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來說,MOSFET更適合高頻開關(guān)應(yīng)用,而IGBT更適合高功率應(yīng)用。
2023-10-17 標(biāo)簽:MOSFET逆變器電機(jī)驅(qū)動 4805 0
未來對電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進(jìn)一步提高。輸出功率應(yīng)適應(yīng)不同終端客戶的不同項(xiàng)目。同時,變流器仍需具有成本競爭力。本文展示了新...
對于這些電力電子系統(tǒng)中使用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),從經(jīng)典的兩電平變流器到更先進(jìn)的無源或有源控制的T型或 3 電平 NPC 拓?fù)洌俚礁鼜?fù)雜的變流器
IGBT是變頻器的核心部件,自然要分外關(guān)注。 在實(shí)際應(yīng)用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。 IGBT實(shí)物圖+電路符號圖...
雙脈沖試驗(yàn)及注意事項(xiàng)對于電力電子工程師來說,功率元件是我們的設(shè)計(jì)對象,而IGBT由于其優(yōu)良的特性被廣泛應(yīng)用于功率元件。功率元件的效率、保護(hù)功能、EMC等...
SKiN技術(shù)由2011年開始使用,包括將芯片燒結(jié)到DCB基板,將芯片的頂部側(cè)燒結(jié)到柔性電路板,以及將基板燒結(jié)到針翅片散熱器。該技術(shù)減小了模塊的體積和重量...
數(shù)字電源的驅(qū)動電路設(shè)計(jì)講解
驅(qū)動電路位于電源主電路和數(shù)字控制核心之間,其本質(zhì)是將數(shù)字控制核心產(chǎn)生的PWM信號進(jìn)行功率放大,以驅(qū)動功率開關(guān)器件的開斷。優(yōu)良的驅(qū)動電路能夠提高數(shù)字電源的...
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