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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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基于Lifetime控制技術(shù)的超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS
ROHM獨(dú)有的超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS,運(yùn)用ROHM獨(dú)創(chuàng)的Lifetime控制技術(shù)優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)了極快*的反向恢復(fù)時(shí)間(trr),非常有助于...
2021-01-07 標(biāo)簽:逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 3706 0
IGBT組成的H橋功率單元和級(jí)聯(lián)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有什么不同?
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種電力電子設(shè)備中常用的高效能開(kāi)關(guān)器件,它結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極晶體管的低導(dǎo)通壓降特點(diǎn)。
目前IGBT 的電流/電壓等級(jí)已達(dá)1800A/1200V,關(guān)斷時(shí)間已經(jīng)縮短到40ns,工作頻率可達(dá)40kHz,擎住現(xiàn)象得到改善,安全工作區(qū)(SOA)擴(kuò)大...
2023-02-16 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源IGBT功率器件 3702 0
功率器件終端區(qū)設(shè)計(jì)的必要性及注意事項(xiàng)有哪些?
功率器件有源區(qū)含有PN結(jié),施加反向耐壓時(shí),靠PN結(jié)承壓。實(shí)際平面工藝中,在芯片發(fā)射極表面光刻掩膜開(kāi)窗口后進(jìn)行雜質(zhì)注入推結(jié),制作出的 PN結(jié)在中間大部分區(qū)...
2023-08-08 標(biāo)簽:芯片設(shè)計(jì)IGBT功率器件 3689 0
為何需要選擇一款igbt來(lái)替換FGH60N60SMD型號(hào)參數(shù)呢?
這幾年來(lái)伴隨可再生能源以及分布式發(fā)電技術(shù)的發(fā)展,在光伏發(fā)電系統(tǒng)中Heric逆變器的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛。
2023-04-11 標(biāo)簽:逆變器電力系統(tǒng)IGBT 3683 0
淺談MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器理論及其應(yīng)用
本應(yīng)用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器理論及其應(yīng)用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術(shù),驅(qū)動(dòng)器的類型,隔離技術(shù)以及MOSFET / IGB...
2021-05-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 3680 0
在SiC MOSFET的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面,與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率...
有哪些國(guó)產(chǎn)優(yōu)質(zhì)IGBT型號(hào)可以用于高頻車載正弦波逆變器呢?
IGBT在高頻車載正玄波逆變器中一般起到控制和調(diào)節(jié)電流的作用。
基于IGBT器件的三相逆變器驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與分析
電 力 電 子 變 換 技 術(shù) 的 發(fā) 展 , 使 得 各 種 各 樣 的 電 力 電 子 器 件 得 到 了 迅 速 的 發(fā) 展 。 20世 紀(jì) 80...
2020-07-16 標(biāo)簽:逆變器igbt驅(qū)動(dòng)電路 3647 0
直流充電樁基本構(gòu)成包括:功率單元、控制單元、計(jì)量單元、充電接口、供電接口及人機(jī)交互界面等。功率單元是指直流充電模塊,控制單元是指充電樁控制器。
2023-11-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBTMOS 3645 0
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和BJT(雙極型晶體管)特性的高效能半導(dǎo)體器件。它特別適用于需要高...
IGBT的動(dòng)態(tài)特性及開(kāi)通過(guò)程
導(dǎo)通時(shí),當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓,電流開(kāi)始通過(guò)IGBT。飽和電壓下降速度表示在IC(集電極電流)上升到特定值時(shí),VCE(集電極-發(fā)射極電壓)下降的速度。
相對(duì)于IGBT,SiC-MOSFET降低了開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的損耗,實(shí)現(xiàn)了高頻率工作,有助于應(yīng)用的小型化。相對(duì)于同等耐壓的SJ-MOSFET,導(dǎo)通電阻較小,可減...
VE-Trac IGBT和碳化硅(SiC)模塊如何延長(zhǎng)電動(dòng)車?yán)m(xù)航能力
因續(xù)航能力有限而導(dǎo)致的“里程焦慮”是許多消費(fèi)者采用電動(dòng)車的一個(gè)障礙。增加電池密度和提高能量轉(zhuǎn)換過(guò)程的效率是延長(zhǎng)車輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關(guān)鍵。能效至關(guān)...
2022-08-31 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 3586 0
IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”,作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。
功率器件的可靠性是指在規(guī)定條件下,器件完成規(guī)定功能的能力,通常用使用壽命表示。由于半導(dǎo)體器件主要是用來(lái)實(shí)現(xiàn)電流的切換,會(huì)產(chǎn)生較大的功率損耗,因此,電力電...
為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過(guò)程中準(zhǔn)確的功率損耗,基于數(shù)學(xué)模型及測(cè)試,建立了 一種準(zhǔn)確計(jì)算功率逆變器損耗模型的方法。通過(guò)雙脈沖測(cè)試對(duì)影響...
銀 (Ag)/銅 (Cu) 壓力燒結(jié)(見(jiàn)圖 1)是一種應(yīng)用于粉末材料(即納米顆粒)的熱處理工藝,以提供更高的強(qiáng)度、完整性和導(dǎo)電性。
2021-11-12 標(biāo)簽:熱敏電阻IGBT功率半導(dǎo)體 3547 0
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