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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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通常來講,全控型半導體器件可以依照其導通狀態下的載流子類型分為單極型半導體器件和雙極型半導體器件,在每一類中又可以分為電流控制型和電壓控制型。
IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳...
在此應用中IGBT的總功率損耗包含導通損耗、導電損耗、關閉損耗及二極管損耗。二極管損耗在總功率損耗中所占比例可以忽略不計,而如果使用了零電壓開關(ZVS...
2013-12-18 標簽:IGBT 2353 0
在車載鏡頭領域,舜宇光學(02382.HK)龍頭地位穩固,其車載鏡頭出貨量已連續9年穩居世界第一,2020年市占率32%,與第二名份額拉開較大差距。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)作為一種新型功率半導體器件,是國際上公認的電力電子技術第三次革命最具代表性...
IGBT雙脈沖仿真—脈沖寬度、負柵極電壓、發射極寄生電感的影響
階段2(tl—t2):在t1時刻,VGE>Vth,溝道開啟,電子開始通過溝道注入到基區,同時背面的集電極開始向基區內注入空穴,集電極開始產生電流I...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)是兩種常見的功率半導體器件,它們在許多電子設備中都有廣泛的應用。盡管它們在...
電機和逆變器的使用在工業自動化、機器人、電動汽車、太陽能、白色家電和電動工具等應用中持續增長。伴隨著這種增長,對提高效率、降低成本、縮小封裝和簡化整體設...
采用IGBT5.XT技術的PrimePACK?為風能變流器提供卓越的解決方案
本文由英飛凌科技的現場應用工程師MarcelMorisse與高級技術市場經理MichaelBusshardt共同撰寫。鑒于迫切的環境需求,我們必須確保清...
SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區別 SiC-MOSFET與IGBT的區別
率轉換電路中的晶體管的作用非常重要,對其改良可以實現低損耗與應用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導體具有低損耗、高速開關、高溫工作等優勢。
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應用于電力電子領域的功率半導體器件。它結合了MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)和BJT(雙極型晶體管)的...
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