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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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FHA60T65A IGBT單管為何是后極逆變電路中的首選元器件呢?
對(duì)于后極逆變電路中的Two-level要選擇FHA60T65A型號(hào)的IGBT單管來應(yīng)用。尤其是對(duì)于單相光伏逆變器的產(chǎn)品,為何?
2023-04-11 標(biāo)簽:UPSIGBT快恢復(fù)二極管 2364 0
未來幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品,設(shè)計(jì)師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。
薩科微slkor半導(dǎo)體的高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器SL27511介紹
電機(jī)作為工業(yè)生產(chǎn)的一種重要設(shè)備,為了能夠滿足不同應(yīng)用場景需求,對(duì)電機(jī)的控制要求也不斷的提高。
2023-04-10 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電機(jī)控制 1303 0
上篇我們聊了變頻器主回路的設(shè)計(jì)和計(jì)算,主要的還是主要參數(shù)的計(jì)算以及選型的注意事項(xiàng),今天我們繼續(xù)往下說,聊聊變頻器的輔助電源部分。
2023-04-08 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)變頻器DC-DC 4133 0
IGBT由柵極(G)、發(fā)射(E)和集電極(C)三個(gè)極控制。 如圖1,IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGB...
IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
前面我們也聊到過IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),雖然今天聊的可能有些重復(fù),但是感覺人到中年,最討厭的就是記憶力不夠用,就當(dāng)回顧和加重記憶吧。
2023-04-06 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 3255 0
閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象,當(dāng)然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片...
IGBT是高頻開關(guān)器件,芯片內(nèi)部的電流密度大。當(dāng)發(fā)生過流或短路故障時(shí),器件中流過的大于額定值的電流時(shí),極易使器件管芯結(jié)溫升高,導(dǎo)致器件燒壞。今天我們就...
電磁爐主要由主機(jī)電路板、按鍵顯示面板、線圈盤、風(fēng)扇等組成,其核心控制部分是主機(jī)電路板,主機(jī)電路板上主要的元器件有諧振電容、抗干擾電容、濾波電容、扼流線圈...
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳...
2023-04-06 標(biāo)簽:開關(guān)電源變頻器IGBT 2356 0
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅與氮化鎵無疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。
PN結(jié)是半導(dǎo)體的基礎(chǔ),摻雜是半導(dǎo)體的靈魂,先明確幾點(diǎn)。
VSC目前已成為首選實(shí)施對(duì)象,原因如下:VSC具有較低的系統(tǒng)成本,因?yàn)樗鼈兊呐湔颈容^簡單。VSC實(shí)現(xiàn)了電流的雙向流動(dòng),更易于反轉(zhuǎn)功率流方向。VSC可以控...
2023-04-06 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器IGBTVSC 4054 0
測量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng):一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET:...
BGH75N120HF1在工商業(yè)儲(chǔ)能PCS變流器中的應(yīng)用
NPC(Neutral Point Clamped)三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是一種應(yīng)用最為廣泛的多電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
有哪些國產(chǎn)優(yōu)質(zhì)IGBT型號(hào)可以用于高頻車載正弦波逆變器呢?
IGBT在高頻車載正玄波逆變器中一般起到控制和調(diào)節(jié)電流的作用。
在電子電路中,二極管是最常用的基礎(chǔ)電子元器件之一,在電力電子電路中,二極管與開關(guān)器件形影相隨,并且在很多情況下,二極管的數(shù)量要多于開關(guān)器件,可見其重要性...
IGBT技術(shù)發(fā)展歷史 IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理
根據(jù)應(yīng)用場景的電壓不同,IGBT有超低壓、低壓、中壓和高壓等類型,其中新能源汽車、工業(yè)控制、家用電器等使用的IGBT以中壓為主,而軌道交通、新能源發(fā)電和...
2023-04-04 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)IGBT功率半導(dǎo)體 2992 0
變頻器缺相故障是常見的故障之一,要知道變頻器產(chǎn)品中主要有單相220V與三相380V的區(qū)分,當(dāng)然輸入缺相檢測只存在于三相的產(chǎn)品中。圖1所示為變頻器主電路,...
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