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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3051個 瀏覽：253902次 帖子：482個

      igbt技術

      為何SiC模塊受到市場高度關注？

      絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是一種三端功率半導體器件，常用作電子開關。憑借出色的開關特性、耐高溫性、輕量級和成本效益等特征，IGBT 電源模塊逐漸成...

      2023-02-16 標簽：IGBT晶體管功率模塊 726 0

      功率半導體類型及特點

      功率半導體的類型有多種，其中最常用的是MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（可控硅晶體管）和SCR（可控整流器）。MOSFET是一種可...

      2023-02-15 標簽：MOSFETIGBT功率半導體 1684 0

      隔離驅動IGBT的設計技巧

      隔離驅動IGBT的意義在于，它可以將低電壓的控制信號轉換為高電壓的控制信號，從而控制IGBT晶體管的開關，從而實現高效的電力控制。

      2023-02-15 標簽：IGBT控制信號隔離驅動 1451 0

      碳化硅MOSFET和IGBT的區別與聯系

      碳化硅MOSFET技術是一種半導體技術，它可以用于控制電流和電壓，以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數，以確定電子設備是否正常工作。碳化硅MOSFET技...

      2023-02-15 標簽：MOSFETIGBT碳化硅 9469 0

      IGBT基礎知識：IGBT工作原理/優缺點/選型/應用

      IGBT的柵極-發射極電壓VGE類似于MOSFET的柵極-源極電壓VGS，集電極電流IC類似于漏極電流ID，集電極-發射極電壓VCE類似于漏源電壓VDS。

      2023-02-14 標簽：三極管場效應管IGBT 9320 0

      電子封裝用陶瓷基板材料及其制備工藝

      相對于LTCC和HTCC，TFC為一種后燒陶瓷基板。采用絲網印刷技術將金屬漿料涂覆在陶瓷基片表面，經過干燥、高溫燒結（700~800℃）后制備。金屬漿料...

      2023-02-14 標簽：IGBT電鍍電子封裝 1077 0

      淺談各種SiC IGBT器件的制作過程與相關性能

      通常來講，全控型半導體器件可以依照其導通狀態下的載流子類型分為單極型半導體器件和雙極型半導體器件，在每一類中又可以分為電流控制型和電壓控制型。

      2023-02-13 標簽：IGBTSiC功率半導體 2365 0

      背后功率器件那些事兒：MOSFET、IGBT及碳化硅的應用

      當充電樁向高壓架構發展的趨勢越來越明顯，高性能MOSFET的需求也越來越大，通過改進器件結構的超級結MOSFET應運而生了。

      2023-02-13 標簽：MOSFETIGBT功率器件 2035 0

      什么是IGBT？

      什么是IGBT？

      什么是IGBT？本文的關鍵要點?IGBT是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的縮寫，中文名稱是“絕緣柵雙極晶體管”。

      2023-02-13 標簽：MOSFETIGBT晶體管 5430 0

      功率MOSFET - 48V系統中的重要組件

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      在討論了48伏特架構（“48伏特輕度混合動力系統的出現”）并描述了一些主要應用（“48伏特起動發電機”）后，我們需要深入研究這些新系統的電氣要求。在這篇...

      2023-02-13 標簽：MOSFETIGBT發電機 1134 0

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      　　開關器件在運行過程中存在短路風險，配置合適的短路保護電路，可以有效減少開關器件在使用過程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比，碳化硅MOSFET短...

      2023-02-12 標簽：MOSFETIGBT開關器件 2737 0

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      　　在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率...

      2023-02-12 標簽：MOSFETIGBTPN結 3680 0

      為您的設計選擇最佳選項：碳化硅MOSFET相對于IGBT的優勢！

      GBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）用于許多不同類型的電源應用，包括可再生能源、航空航天、汽車和運輸、測試和測量以及...

      2023-02-12 標簽：MOSFETIGBT晶體管 1035 0

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      DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡稱，由三菱電機于1997年正式推向市場，迄今已在家電、工業和汽車空調等領域獲得廣泛應用。本講座主要介紹DIPIP...

      2023-02-12 標簽：pcbIGBTPCB設計 2798 0

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      2023-02-10 標簽：IGBTSiCGaN 871 0

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      • ESP8266
        ESP8266
        +關注
        wifi模塊ESP8266的默認波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設置的時候，必不可少的要先用轉串口調試下載器。
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