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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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IGBT 和 GaN、SiC 和硅 FET 的統(tǒng)一視圖和價格-性能分析
在設(shè)計電力電子設(shè)備時,我們需要評估所有業(yè)務(wù)需求和技術(shù)要求,以優(yōu)化設(shè)計周期時間,從而以更低的成本實現(xiàn)更高性能的系統(tǒng)。這是DiscoverEE及其創(chuàng)始人 S...
使能引腳可以在錯誤條件下輕松覆蓋 PWM 控制輸入,從而提高安全性和可靠性。此外,框圖中間的 UVLO 模塊有助于控制驅(qū)動器的斜升(它使驅(qū)動器保持關(guān)閉,...
2022-08-03 標(biāo)簽:mcuIGBT模數(shù)轉(zhuǎn)換器 1306 0
功率器件作為電力電子裝置的核心器件,在設(shè)計及使用過程中如何保證其可靠運行,一直都是研發(fā)工程師最為關(guān)心的問題。功率器件除了要考核其電氣特性運行在安全工作區(qū)...
2022-08-01 標(biāo)簽:IGBT功率器件散熱系統(tǒng) 4444 0
使用繼電器或者IGBT y以上電路就是使用PWM控制IGBT快速開關(guān)實現(xiàn)控制大電流的例子。 IGBT是以GTR為主導(dǎo)元件,MOSFET為驅(qū)動元件的達(dá)林頓...
功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進(jìn)一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化,一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢前面已經(jīng)介紹過,如低損耗、高速...
2022-07-26 標(biāo)簽:IGBT晶體管SiC-MOSFET 2849 0
工業(yè)領(lǐng)域的電力應(yīng)用通常基于強(qiáng)大的電動機(jī),用于連續(xù)運行的風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動器、壓縮機(jī)、縫紉機(jī)和冰箱。工業(yè)領(lǐng)域最常見的配置是三相電動機(jī),由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯?..
IGBT的三種安全工作區(qū)(FBSOA/RBSOA/SCSOA)
失效器件送到原廠做FA分析,看到的字眼通常包含over voltage,over current,short circuit,EOS等,但是,其失效的深...
納芯微單通道隔離式柵極驅(qū)動器NSi66x1A和NSi6601M發(fā)布
納芯微單通道隔離式柵極驅(qū)動器兩款新品NSi66x1A和NSi6601M雙雙發(fā)布,均適用于驅(qū)動SiC,IGBT和MOSFET等功率管,兼具車規(guī)(滿足AEC...
全面解讀DIPIPMTM的基礎(chǔ)、功能、應(yīng)用和失效分析技巧
通常大家所提到的IGBT,一般指分立IGBT器件或IGBT模塊,這些器件的結(jié)構(gòu)和工作機(jī)理都是以IGBT芯片為基礎(chǔ),一代IGBT芯片技術(shù)決定了一代IGBT...
基于IGBT模塊和驅(qū)動器IC的電機(jī)驅(qū)動和逆變器設(shè)計方案
電機(jī)和逆變器的使用在工業(yè)自動化、機(jī)器人、電動汽車、太陽能、白色家電和電動工具等應(yīng)用中持續(xù)增長。伴隨著這種增長,對提高效率、降低成本、縮小封裝和簡化整體設(shè)...
2022-07-21 標(biāo)簽:逆變器電機(jī)驅(qū)動IGBT 2311 0
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...
IGBT過流保護(hù)技術(shù)在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動中的應(yīng)用
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶...
隨著快充市場的飛速發(fā)展和競爭加劇,對整體方案降本的要求更加嚴(yán)苛,為了更好地支持客戶提升競爭力與優(yōu)化性價比,晶豐明源推出了契合市場需求、集成具有IGBT結(jié)...
IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度...
風(fēng)力發(fā)電的逆變設(shè)備,可以將蓄電池中的DC12V直流電轉(zhuǎn)換為和市電相同AC220V交流電。逆變器主要是由MOS場效應(yīng)管與電源變壓器為核心,通過模擬電路...
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