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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

使用隔離放大器實(shí)現(xiàn)高成本效益的充分IGBT保護(hù)方案

使用隔離放大器實(shí)現(xiàn)高成本效益的充分IGBT保護(hù)方案

絕緣柵雙極晶體管(IGBT, Insulated-Gate Bipolar Transistor)需要充分的保護(hù)以避免短路、過載和過電壓等錯(cuò)誤情況所造成...

2021-03-15 標(biāo)簽:放大器變頻器igbt 3331 0

利用有源米勒鉗位技術(shù)有效緩解緩米勒效應(yīng)

利用有源米勒鉗位技術(shù)有效緩解緩米勒效應(yīng)

當(dāng)IGBT在開關(guān)時(shí)普遍會(huì)遇到的一個(gè)問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺(tái)。米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中影響是很明顯的。基于門極G與集電極C之間的耦合,...

2021-03-15 標(biāo)簽:電容igbt 2.2萬 0

利用隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器延長IGBT驅(qū)動(dòng)電路的使用時(shí)長

利用隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器延長IGBT驅(qū)動(dòng)電路的使用時(shí)長

IGBT是電源中的一個(gè)核心部分,其主要特點(diǎn)是開關(guān)速度快,通常應(yīng)用于逆變器或電機(jī)控制系統(tǒng)。一般IGBT的驅(qū)動(dòng)電路由體積小、效率高的DC/DC轉(zhuǎn)換器組成,因...

2021-03-15 標(biāo)簽:發(fā)動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)換器igbt 3283 0

大功率IGBT驅(qū)動(dòng)的技術(shù)特點(diǎn)及發(fā)展趨勢(shì)分析

大功率IGBT驅(qū)動(dòng)的技術(shù)特點(diǎn)及發(fā)展趨勢(shì)分析

由于igbt具有開關(guān)頻率高、導(dǎo)通功耗小及門極控制方便等特點(diǎn),在大功率變換系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用。在igbt應(yīng)用中,除其本身的技術(shù)水平以外,另一個(gè)要考慮的重...

2021-03-11 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器變換器igbt 8581 0

英飛凌逆向?qū)ㄐ虸GBT的特點(diǎn)及應(yīng)用

英飛凌逆向?qū)ㄐ虸GBT的特點(diǎn)及應(yīng)用

由于現(xiàn)在經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展,能源的消耗也是急劇增加,我們?nèi)绾稳p少能源的損耗做到節(jié)能減排?這就要求我們的產(chǎn)品有一個(gè)更高的效率,更低的成本。

2021-03-11 標(biāo)簽:英飛凌igbt 6217 0

IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)有哪些類型

IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)有哪些類型

IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)為可靠驅(qū)動(dòng)絕緣柵器件,目前已有很多成熟電路。當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)與功率器件不需要隔離時(shí),驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)是比較簡單的,目前也有了許多優(yōu)...

2021-02-08 標(biāo)簽:變壓器MOSFETIGBT 8725 0

MOS管與三極管和IGBT之間到底有什么關(guān)系

MOS管與三極管和IGBT之間到底有什么關(guān)系

1、P型和N型半導(dǎo)體:本征半導(dǎo)體摻雜三價(jià)元素,根據(jù)高中學(xué)的化學(xué)鍵穩(wěn)定性原理,會(huì)有“空穴”容易導(dǎo)電,因此,這里空穴是“多子”即多數(shù)載流子,摻雜類型為P(p...

2021-02-09 標(biāo)簽:三極管IGBTMOS 1.1萬 0

IGBT中的閂鎖效應(yīng)到底是什么

IGBT中的閂鎖效應(yīng)到底是什么

閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象,當(dāng)然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片...

2021-02-09 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 1.7萬 0

分析和比較驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)和功率回路耦合特性對(duì)于并聯(lián)IGBT均流特性的影響

分析和比較驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)和功率回路耦合特性對(duì)于并聯(lián)IGBT均流特性的影響

本文作者北京交通大學(xué)電氣工程學(xué)院穆峰,劉宜鑫,賈靜雯,郝欣,楊勇,黃先進(jìn) 摘要:隨著電力電子應(yīng)用越發(fā)趨于高壓與高功率密度,單個(gè)模塊已經(jīng)無法滿足其需求,功...

2021-02-14 標(biāo)簽:耦合IGBT功率 5048 0

離網(wǎng)逆變器到底是什么?并網(wǎng)逆變器的原理詳細(xì)說明

離網(wǎng)逆變器到底是什么?并網(wǎng)逆變器的原理詳細(xì)說明

逆變器是眾多設(shè)備中不可缺少的一環(huán),由此可見逆變器的重要性。為增進(jìn)大家對(duì)逆變器的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)離網(wǎng)逆變器、并網(wǎng)逆變器進(jìn)行介紹,并探討離網(wǎng)逆變器、并網(wǎng)逆變器...

2021-01-03 標(biāo)簽:DSP逆變器IGBT 2.7萬 0

一文知道IGBT和MOSFET的工作區(qū)命名

一文知道IGBT和MOSFET的工作區(qū)命名

搞電力電子的應(yīng)該都知道IGBT和MOSFET屬于全控型電力電子器件,在應(yīng)用的時(shí)候把它當(dāng)作一個(gè)開關(guān)就可以了,但估計(jì)很少人能夠說出IGBT和MOSFET工作...

2021-01-01 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電子器件 2.4萬 1

如何通過柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)SiC性能的最大化

如何通過柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)SiC性能的最大化

SiC和其他寬禁帶器件的基本優(yōu)勢(shì)源于它們的帶隙,價(jià)帶頂部和導(dǎo)帶底部之間的能量差。電子從低能價(jià)帶移動(dòng)到高能導(dǎo)帶使材料導(dǎo)電。

2021-02-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT電源開關(guān) 2834 0

一文解析雜散電感存儲(chǔ)的磁場能量

我們都知道電力電子裝置中換流回路的雜散電感對(duì)器件的開關(guān)過程影響非常大,如果前期設(shè)計(jì)不注意,后期麻煩事會(huì)非常多,例如:器件過壓高、振蕩嚴(yán)重,EMI超標(biāo)等。...

2021-02-22 標(biāo)簽:電感器IGBT寄生電感 1.3萬 0

英飛凌實(shí)現(xiàn)4個(gè)6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)方案解析

英飛凌實(shí)現(xiàn)4個(gè)6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)方案解析

以對(duì)稱的布板設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)4個(gè)6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián),給出了實(shí)際的測量結(jié)果。最后還通過門特卡羅分析來演繹批量器件應(yīng)用在并聯(lián)場合下的溫度偏差。由此可以看出碳...

2021-02-21 標(biāo)簽:MOSFETIGBT碳化硅 5247 0

電動(dòng)車用大功率 IGBT模塊測試解決方案

功率半導(dǎo)體器件種類眾多,按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類,其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大,是最主要的品類。

2020-11-25 標(biāo)簽:電動(dòng)車IGBT功率半導(dǎo)體 2818 0

碳化硅功率模塊及電控的設(shè)計(jì)、測試與系統(tǒng)評(píng)估

碳化硅功率模塊及電控的設(shè)計(jì)、測試與系統(tǒng)評(píng)估

前言:臻驅(qū)科技(上海)有限公司(以下簡稱臻驅(qū)科技)是一家以研發(fā)、生產(chǎn)和銷售新能源車動(dòng)力總成及其功率半導(dǎo)體模塊為核心業(yè)務(wù)的高科技公司。2 019 年底,臻...

2020-11-24 標(biāo)簽:IGBT 2236 0

PWM的死區(qū)時(shí)間到底是什么如何計(jì)算死區(qū)時(shí)間

PWM的死區(qū)時(shí)間到底是什么如何計(jì)算死區(qū)時(shí)間

什么是死區(qū)時(shí)間?PWM是脈沖寬度調(diào)制,在電力電子中,最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。對(duì)三相電來說,就需要三個(gè)橋臂。以兩電平為例,每個(gè)...

2020-11-22 標(biāo)簽:PWMIGBT電力電子 3.0萬 0

IGBT模塊上續(xù)流二極管的作用是什么

IGBT模塊上續(xù)流二極管的作用是什么

在 IGBT 的 CE 極上并聯(lián)“續(xù)流二極管”。有了這個(gè)續(xù)流二極管,電機(jī)的電流就是連續(xù)的。

2020-11-21 標(biāo)簽:IGBT續(xù)流二極管IGBT模塊 3.1萬 0

IGBT主要參數(shù),IGBT驅(qū)動(dòng)電路

IGBT是電壓控制型器件,它只有開關(guān)特性(通和斷兩種狀態(tài)),沒有放大特性。由IGBT等效電路可知,它是以晶體管為主導(dǎo)元件,以MOS管為驅(qū)動(dòng)元件的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)。

2020-11-21 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路IGBT驅(qū)動(dòng) 4.3萬 0

如何用萬用表對(duì)IGBT進(jìn)行引腳識(shí)別和檢測

如何用萬用表對(duì)IGBT進(jìn)行引腳識(shí)別和檢測

IGBT可以用指針式萬用表和數(shù)字式萬用表進(jìn)行引腳識(shí)別和檢測,檢測前應(yīng)先將IGBT三只引腳短路放電,避免影響檢測的準(zhǔn)確度。

2020-11-13 標(biāo)簽:萬用表IGBT引腳 2.7萬 0

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    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開發(fā)工具包,軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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