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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

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如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應(yīng)

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使用IGBT時,面臨的常見問題之一是由于米勒電容器而導(dǎo)致的寄生導(dǎo)通。在0至+15 V型柵極驅(qū)動器(單電源驅(qū)動器)中,這種影響是明顯的。

2021-05-17 標(biāo)簽:電容器IGBT柵極驅(qū)動器 8481 0

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我之前一直以為 Taycan 用的是 Delphi 的 SiC 的器件,但是根據(jù)目前日立所 AMS 披露的,包括 Taycan 里面維修手冊所描述的情況...

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在這種情況下,不再容易忽略需要重新加載的內(nèi)部電容,而這些電容在小型MOSFET的控制中幾乎不起任何作用。

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由于電導(dǎo)率調(diào)制,它具有非常低的導(dǎo)通狀態(tài)電壓降,并具有出色的導(dǎo)通狀態(tài)電流密度。因此,較小的芯片尺寸是可能的,并且可以降低成本。

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分立式電路的一個顯著缺點(diǎn)是它不提供保護(hù),而柵極驅(qū)動器IC集成了對于確保可預(yù)測和穩(wěn)定的柵極驅(qū)動非常重要的功能。

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本應(yīng)用筆記介紹了為反向阻斷功能而開發(fā)的新型 IGBT。應(yīng)用筆記介紹了新型 IGBT 的應(yīng)用及其電氣特性。 抽象的 開發(fā)了一種新的 IGBT,具有反向阻斷...

2021-06-01 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器逆變器 3495 1

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現(xiàn)代廚房技術(shù)現(xiàn)在涉及感應(yīng)烹飪,以提供更簡單的方法和更快的食物準(zhǔn)備。由于不同制造商品牌在市場上競爭,秘訣在于感應(yīng)加熱器可產(chǎn)生更多功率輸出,從而縮短烹飪時間...

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