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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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利用SLC技術(shù)改善熱導率,增強IGBT模塊功率密度
第七代工業(yè)IGBT模塊已成功開發(fā)用于650V和1200V級,以滿足高效率、高功率密度和高可靠性等重要電力電子系統(tǒng)要求。與低損耗第七代芯片組結(jié)合的SLC技...
參數(shù)漂移是隨著部件退化而發(fā)生的,而電學特性,如V行政長官(ON)或IC冰漂在可接受的操作范圍內(nèi),由于在設(shè)備或模塊內(nèi)累積損壞
2023-03-13 標簽:IGBT 911 0
SiC MOSFET用于電機驅(qū)動的優(yōu)勢在哪里
在我們的傳統(tǒng)印象中,電機驅(qū)動系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關(guān)器件,而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動汽車充電等需要高頻變換的應用相關(guān)聯(lián)。但在特...
變流器主電路在空間產(chǎn)生的磁場強度隨輸入、輸出母線中通過電流的強弱而變化,同時IGBT模塊產(chǎn)生的空間交變電磁場的強度隨其兩端電壓和電流突變的劇烈程度而變化...
高壓固態(tài)軟啟動柜是一種廣泛應用于工業(yè)領(lǐng)域的電氣設(shè)備,主要用于高壓電動機的啟動。它通過采用先進的電力電子技術(shù),實現(xiàn)了對電動機啟動過程中電流和電壓的有效控制...
英飛凌|1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳,助力提升變頻器系統(tǒng)性能(上)
本文介紹了針對電機驅(qū)動進行優(yōu)化的全新1200 V IGBT和二極管技術(shù)。該IGBT結(jié)構(gòu)基于全新微溝槽技術(shù),與標準技術(shù)相比,可大幅減少靜態(tài)損耗,并具備高可...
使用新型C3M 650V MOSFET節(jié)省BOM成本
為了在電動汽車市場取得成功,公司需要擴大續(xù)航里程并降低物料清單 (BOM) 成本,以有效地與根深蒂固的內(nèi)燃機 (ICE) 競爭。為了實現(xiàn)更大的續(xù)航里程,...
BM6337xS系列配備了可監(jiān)控LVIC(Low Side Gate Driver)溫度的熱關(guān)斷電路,當LVIC的Tj達到規(guī)定溫度以上時,熱關(guān)斷電路將啟...
新能源汽車焊接材料五大失效風險與應對指南——從焊點看整車可靠性
本文從廠家視角解析新能源汽車焊接封裝材料四大失效模式:機械失效(熱循環(huán)與振動導致焊點疲勞)、熱失效(高溫下焊點軟化與散熱不足)、電氣失效(電遷移與接觸電...
比較兩種并聯(lián)驅(qū)動方式對功率回路耦合特性分析
作為一種電壓控制型器件,絕緣柵雙極型晶體管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)由于其通態(tài)壓降低、開關(guān)速度高...
高可靠性驅(qū)動器6AB0460T12-NR01概述及特點
受政策利好、技術(shù)發(fā)展等多重因素的疊加,儲能行業(yè)持續(xù)火熱迎來高速發(fā)展期。儲能變流器是儲能產(chǎn)業(yè)鏈重要一環(huán),對提高電能質(zhì)量和新能源利益率起著積極作用。青銅劍技...
具體而言,SiC 近年來在很多領(lǐng)域都有應用,比如工業(yè)領(lǐng)域。對于 GAN 來說,可使用場景非常廣泛。SiC 產(chǎn)品在高功率市場中有著很好的應用,例如 IGB...
特別是對于SiC MOSFET,柵極驅(qū)動器IC必須將開關(guān)和傳導損耗(包括導通和關(guān)斷能量)降至最低。
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