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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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差分探頭畸變指標（過沖）對實測開關電源MOS管DS極電壓的影響
上面我們講解過畸變這個指標，差分探頭的輸入線很長，容易產(chǎn)生振蕩，產(chǎn)生過沖，所以這個指標在設計時也非常關鍵，不同廠家這個指標可能相差很遠，造成測量時誤差很...
綠聯(lián)GS2200戶外電源采用華羿微電MOS管提升效率，兼容PD3.1 140W輸出
近期，充電頭網(wǎng)深入拆解揭示，此款戶外電源選用了華羿微電出品的MOS管，型號HYG012N08NS1TA，耐電壓達到80V，導電阻率僅為0.9mΩ，封裝采...
MOS管導通電流能否反著流？MOS管體二極管能過多大的電流？
MOS管導通電流能否反著流？MOS管體二極管能過多大的電流？ MOS管是一種主要用于電子設備中的半導體器件。它是一種特殊的場效應晶體管，具有晶體管的放大...
為什么單片機I/O口驅(qū)動MOS管時，不是直接驅(qū)動，而是經(jīng)過三極管
為什么單片機I/O口驅(qū)動MOS管時，不是直接驅(qū)動，而是經(jīng)過三極管 單片機I/O口驅(qū)動MOS管時，通常會通過三極管進行中間驅(qū)動，而不是直接驅(qū)動。這是因為三...
三極管和MOS管作為開關管使用時，有什么區(qū)別？該如何選擇？
三極管和MOS管作為開關管使用時，有什么區(qū)別？該如何選擇？ 三極管和MOS管都是常見的開關管。它們在電子設備中扮演著重要的角色，用于控制電流的流動，實現(xiàn)...
如何增強MOS管的帶載能力呢？ 增強MOS管的帶載能力是通過優(yōu)化器件的設計和選擇適合的工作條件來實現(xiàn)的。下面將詳細介紹如何增強MOS管的帶載能力。 1....
2024-01-12 標簽：MOS管漏電流散熱系統(tǒng) 1395 0
BVDSS表示漏源極之間能承受的電壓值，這里標注的是最小值650V。VGS(th)表示MOSFET的開啟電壓，它是負溫度系數(shù)，隨著溫度的增加，器件的開啟...
對于絕大部分buck芯片而言其上下兩管都集成到芯片內(nèi)部，那么該如何觀測兩管的工作狀況呢？實際應用中我們通過觀測上下兩管交替點的電壓來判斷上下MOS管的開...
森國科推出一款緊湊型全塑封SOP-23H封裝的IPM智能功率模塊
隨著全球家用電器變頻化的加速滲透，5G、AI以及數(shù)據(jù)計算等終端系統(tǒng)復雜度的提升，也為智能功率模塊市場帶來大量增長。
SiC材料具有優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性、耐腐蝕性、熱導性能和機械強度等優(yōu)勢，因此受到廣泛關注和應用。
LED車燈芯片AP5160降壓恒流支持PWM調(diào)光短路保護
AP5160 是一款效率高，穩(wěn)定可靠的 LED 燈恒流驅(qū)動控制芯片，內(nèi)置高精度比較器，固定關斷時間控制電路，恒流驅(qū)動電路等，特別適合大功率 LED 恒流驅(qū)動。
隨著社會生活水平的不斷提高，越來越多的人開始重新定義品質(zhì)生活。在智能科技迅速發(fā)展的今天，選擇高科技智能機器人來協(xié)助家務已經(jīng)變得司空見慣。
在高壓大電流降壓應用中，很多工程師在產(chǎn)品設計中遇到的比較頭疼的問題是，如何解決控制芯片自身發(fā)熱的問題，特別是48V以上的輸入電壓。
隨著社會生活水平的不斷提高，越來越多的人開始重新定義品質(zhì)生活。在智能科技迅速發(fā)展的今天，選擇高科技智能機器人來協(xié)助家務已經(jīng)變得司空見慣。
MOS管在電路中如何控制電流大??？ MOS管是一種非常常見的電子器件，常用于各種電路中來控制電流的大小。 一、MOS管的基本原理和結構 MOS管全稱金屬...
英飛凌（Infineon）作為世界半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的先行者和引領者，一直致力于打造先進的產(chǎn)品和全面的系統(tǒng)解決方案，為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領域——高能效、...
這項發(fā)明專利被命名為：驅(qū)動過流檢測電路。它由驅(qū)動管、 MOS管、運算放大電路、第一電流鏡電路及基準電流源組成。其中，運算放大電路的第一輸入端與驅(qū)動管的漏...
MOS管如何實現(xiàn)隔離作用呢？ MOS管（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）作為一種常見的半導體器件，具有重要的隔離功能。隔離作用指的是在電路中，不同部分...
一般來說任何情況下MOSFET工作狀態(tài)超過以下指標，均可能造成器件的損壞，以龍騰650V 99mΩ器件規(guī)格書為例
igbt與mos管的區(qū)別? IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOS管（Metal-Oxide-Semic...
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