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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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三管MOS DRAM基本單元電路原理 單管MOS動(dòng)態(tài)RAM基本單元電路原理
如果需要讀出數(shù)據(jù),首先需要給T4加上一個(gè)預(yù)充電信號(hào),然后VDD給讀數(shù)據(jù)線充電,代表需要讀出的數(shù)據(jù)是“1”,進(jìn)行讀出時(shí),讀選擇線是高電平。此時(shí),如果原...
SIC MOS驅(qū)動(dòng)電壓15V和18V之辯
使用SIC MOS的開發(fā)人員是越來越多,但驅(qū)動(dòng)電壓到底選15V還是18V,每個(gè)人都有自己的理解,今晚聽許老師講SIC MOS驅(qū)動(dòng)技術(shù),有些感悟分享給大家。
2022-11-07 標(biāo)簽:MOSSiC驅(qū)動(dòng)電壓 3762 0
OVP過壓保護(hù)IC:為了保護(hù)后級(jí)電路,平芯微早早推出了系列OVP過壓保護(hù)芯片產(chǎn)品,很多客戶對(duì)于OVP過壓保護(hù)芯片的功能和使用仍然存在一些誤解。這次我們平...
MOS晶體管開關(guān)電路設(shè)計(jì)與理論知識(shí)
晶體管開關(guān)電路(工作在飽和狀態(tài))在現(xiàn)代電路設(shè)計(jì)應(yīng)用中很常見。經(jīng)典的74LS、74ALS和其他集成電路內(nèi)部使用晶體管開關(guān)電路,但它們只有共同的驅(qū)動(dòng)能力。晶...
2022-11-28 標(biāo)簽:開關(guān)電路晶體管MOS 3718 0
泄放電路就是將一部分能量轉(zhuǎn)換成熱或者其它形式能量的電路。單板斷電后,LED燈長時(shí)間沒有熄滅,就是對(duì)儲(chǔ)能器件的能量沒有合理的泄放掉。
2024-01-24 標(biāo)簽:led三極管開關(guān)電源 3707 0
常規(guī)LDO一般采用PMOS作為功率管,壓差受到PMOS特性影響。而NMOS管作為功率MOS性能優(yōu)于PMOS;ME6403采用NMOS功率MOS,極大程度...
2022-09-30 標(biāo)簽:芯片線性穩(wěn)壓器MOS 3674 0
適用于LLC變壓器,其特征在于,包括:第一MOS開關(guān)管、第二MOS開關(guān)管、第一電容、電感和至少兩個(gè)變壓器;所述變壓器的原邊串聯(lián)、副邊并聯(lián);所述第一MOS...
便攜式設(shè)備的開關(guān)機(jī)電源電路設(shè)計(jì)
便攜式設(shè)備最大的特點(diǎn)是攜帶方便、可以在任何時(shí)間、任何場(chǎng)合進(jìn)行使用,可以脫離電源線供電,使用電池,且大多產(chǎn)品支持電池的自行更換,這個(gè)電量問題經(jīng)常也是用戶...
2023-04-24 標(biāo)簽:原理圖電路設(shè)計(jì)便攜式設(shè)備 3648 0
引言:在開始講解MOS的減速加速電路之前,我們還是先來回顧MOS開啟與關(guān)閉的根本機(jī)制。以NMOS為例,開啟NMOS本質(zhì)是對(duì)G極進(jìn)行充電,至Cgs電荷充滿...
2023-07-23 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)NMOSMOS 3648 0
直流充電樁基本構(gòu)成包括:功率單元、控制單元、計(jì)量單元、充電接口、供電接口及人機(jī)交互界面等。功率單元是指直流充電模塊,控制單元是指充電樁控制器。
2023-11-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBTMOS 3639 0
mos雙向電平轉(zhuǎn)換電路_二極管電平轉(zhuǎn)換電路
電平轉(zhuǎn)換電路在電路設(shè)計(jì)中會(huì)經(jīng)常用到,市面上也有專用的電平轉(zhuǎn)換芯片,專用的電平轉(zhuǎn)換芯片主要是其轉(zhuǎn)換速度較快,多使用在速度較高的通訊接口,一般對(duì)速度要求不高...
2022-11-09 標(biāo)簽:二極管MOS電平轉(zhuǎn)換電路 3633 0
根據(jù)要求設(shè)計(jì)MOS驅(qū)動(dòng)電路
當(dāng)使用5V電源,這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于三極管的be有0.7V左右的壓降,導(dǎo)致實(shí)際最終加在gate上的電壓只有4.3V。
一、對(duì)于一個(gè)部件,比如射頻功放,供電是直流48V,其他的接口都是信號(hào)的輸入/輸出/控制等,像這類的部件需要單獨(dú)進(jìn)行EMC要求嗎,如果要測(cè)試EMC,一般測(cè)...
什么是MOSFET?MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fi...
什么是場(chǎng)效應(yīng)管 MOS場(chǎng)效應(yīng)管的電路符號(hào)
場(chǎng)效應(yīng)管,即場(chǎng)效應(yīng)晶體管(簡(jiǎn)稱FET),是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。
2024-02-20 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管JFETFET 3582 0
開關(guān)電源的設(shè)計(jì)是一份非常耗時(shí)費(fèi)力的苦差事,需要不斷地修正多個(gè)設(shè)計(jì)變量,直到性能達(dá)到設(shè)計(jì)目標(biāo)為止。 本文step-by-step介紹反激變換器的設(shè)計(jì)步驟,...
2023-03-07 標(biāo)簽:變壓器開關(guān)電源MOS 3482 0
Lg越大,P-WeLL的長度越大,P-WeLL的阱電阻越大,面對(duì)ESD的過沖電壓越高,開啟電阻Ron也隨之增大。同時(shí)載流子的穿透深度越大,其壽命越長,從...
2023-12-04 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻二極管ESD 3472 0
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