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MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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MOS管是電子制造的基本元件,但面對(duì)不同封裝、不同特性、不同品牌的MOS管時(shí),該如何抉擇?有沒(méi)有省心、省力的遴選方法?下面我們就來(lái)看一下老司機(jī)是如何做的。
最近在公司碰到MOS驅(qū)動(dòng)芯片損壞的問(wèn)題,啃了一些資料后還算搞明白了點(diǎn)東西,來(lái)分享一些其中的基本原理吧。
2022-10-31 標(biāo)簽:MOS驅(qū)動(dòng)電路自舉電容 6642 1
TX/RX傳輸?shù)腗OS電平轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)案例
今天給大家分享下TX/RX傳輸?shù)腗OS電平轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)案例,既規(guī)誡自己以后設(shè)計(jì)電路需嚴(yán)謹(jǐn)再?lài)?yán)謹(jǐn),也向大家再次從犯錯(cuò)糾錯(cuò)的角度介紹TX/RX傳輸?shù)腗OS電...
2022-08-03 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS電平轉(zhuǎn)換 6605 0
MOS結(jié)電容(下)MOS的結(jié)電容應(yīng)用特性分解
我們需要先將結(jié)電容與關(guān)斷波形聯(lián)系起來(lái)。三個(gè)結(jié)電容的容值是Vds電壓的函數(shù),同時(shí),電壓Vds的變化(dv/dt)又與結(jié)電容相關(guān)。
開(kāi)關(guān)電源“炸機(jī)”關(guān)鍵原因在這里
電源工程師最怕什么?炸機(jī)!炸機(jī)的狀況總會(huì)成為他們心里說(shuō)不出的“痛”,里面昂貴的元器件如果出現(xiàn)炸機(jī)狀況,那么在設(shè)計(jì)過(guò)程中的成本就會(huì)大幅提升。那么問(wèn)題來(lái)了,...
2023-09-05 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源PWM電源適配器 6484 0
22nm工藝下如何實(shí)現(xiàn)高效率低壓大電流輸出
從這篇文章來(lái)看,優(yōu)勢(shì)是頻率更高,因此瞬態(tài)響應(yīng)和紋波更好,同時(shí)用低壓管耐高壓,減小了rds_on,從而提高了效率。同時(shí)頻率的提高減小了所需的電感值,該文章...
2019-07-31 標(biāo)簽:電路MOSBuck-Boost 6461 0
MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,屬于絕緣柵型。在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因而具有很高的輸入電阻(最高可達(dá)10l5Ω)。它分為...
2019-11-30 標(biāo)簽:萬(wàn)用表MOSMOS場(chǎng)效應(yīng)管 6391 0
MOS場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)
由于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗非常高,這本來(lái)是它的優(yōu)點(diǎn),但在使用上卻帶來(lái)新的問(wèn)題。由于輸入阻抗高,當(dāng)帶電荷物體一旦靠近柵極時(shí),在柵極感應(yīng)出來(lái)的電荷就很難通...
2019-06-11 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS 6264 0
電平轉(zhuǎn)換電路和電源轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)
電平及電源轉(zhuǎn)換電路是硬件設(shè)計(jì)中的常見(jiàn)電路,用于將一個(gè)電平/電源轉(zhuǎn)換為另一個(gè)不同電平/電源,確保外設(shè)之間可以正常通信和工作。
2023-09-20 標(biāo)簽:仿真MOS電平轉(zhuǎn)換 6166 0
在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,保護(hù)板是一種重要的組件,它能夠保護(hù)電池在過(guò)充、過(guò)放、過(guò)流、短路等情況下不受損害。保護(hù)板通常由一些電子元件組成,如MOSFET...
金屬-絕緣體(氧化層)-半導(dǎo)體構(gòu)成MOS結(jié)構(gòu),金屬作為柵極,當(dāng)柵極零偏時(shí),理想情況下半導(dǎo)體能帶是平的,意味著半導(dǎo)體內(nèi)沒(méi)有凈電荷存在。
說(shuō)明:主要存在于單獨(dú)MOS中,這三種叫法意思都一樣。本文以NMOS來(lái)說(shuō)明。
2023-03-10 標(biāo)簽:NMOSMOS電子開(kāi)關(guān) 5912 0
開(kāi)關(guān)電源最常見(jiàn)的三種結(jié)構(gòu)布局是降壓(buck)、升壓(boost)和降壓–升壓(buck-boost),這三種布局都不是相互隔離的。今天介紹的主角是bo...
利用MOS管的開(kāi)關(guān)特性,控制電路的導(dǎo)通和斷開(kāi)來(lái)設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路,由于功率MOS管的內(nèi)阻很小,解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過(guò)大的問(wèn)題。
2016-11-10 標(biāo)簽:mos 5713 0
MOS柵結(jié)構(gòu)是MOSFET的重要組成部分,一個(gè)典型的N溝道增強(qiáng)型結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。其中柵極、源極和漏極位于同一個(gè)平面內(nèi),半導(dǎo)體的另一個(gè)平面可以稱(chēng)為體...
開(kāi)關(guān)電容的噪聲仿真通常有三種方法:基本的.ac/.noise Spice仿真,周期穩(wěn)態(tài)仿真,瞬態(tài)噪聲。
2023-10-13 標(biāo)簽:電路圖電路設(shè)計(jì)adc 5549 0
MOSFET規(guī)格書(shū)中單脈沖雪崩能量EAS如何理解?電路設(shè)計(jì)咋用它計(jì)算MOS會(huì)損壞嗎?
單脈沖雪崩能量簡(jiǎn)稱(chēng)是EAS,這一參數(shù)是描述MOSFET在雪崩模式下能承受的能量極限的參數(shù),我們一般在電路設(shè)計(jì)中拿這個(gè)參數(shù)來(lái)評(píng)估MOSFET 的瞬態(tài)過(guò)壓耐...
2024-11-25 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)MOS 5537 0
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