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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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物理氣相傳輸法生長SiC晶圓中的缺陷和測試

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8英寸SiC晶體生長熱場的設計與優化

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2023-12-20 標簽：半導體功率器件 SiC 3257 0

SiC MOSFET驅動電壓尖峰的抑制方法簡析（下）

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碳化硅功率器件的技術、應用與發展簡析

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SiC MOSFET用于電機驅動的優勢在哪里

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隔離式柵極驅動器的演變（IGBT/SiC/GaN）

報告內容包含：效率和功率密度推動變革基本的 MOSFET 柵極驅動器功能驅動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）驅動器進化以支持 ...

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高頻、高速開關是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優勢之一，這能顯著提升系統效率，但也會在寄生電感和電容上產生更大的振蕩，從而讓驅動電壓產生更大的尖峰。

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隨著微電子技術日新月異的發展，作為傳統半導體材料的硅（Si）與砷化鎵（GaAs）在半導體器件中表現出的電學性能已逐漸接近其理論極限。

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淺談SiC MOSFET芯片的短路能力

SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承諾短路能力，有少數在數據手冊上標明短路能力的幾家，也通常把短路耐受時間（SCWT：shor...

2023-12-13 標簽：芯片 MOSFET IGBT 4424 0

碳化硅功率器件的優勢、應用領域及未來趨勢

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