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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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電子器件的使用環境逐漸惡劣,航空航天、石油探測領域前景廣闊,在熱導率、擊穿場等上的要求更高,那么以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的第三代半導體材...
大家好,看到TI一篇關于IGBT和SiC器件柵極驅動應用的文檔,雖然比較基礎,但是概括的比較好,適合電力電子專業的初學者,總體內容如下。
碳化硅的主要特性是什么?為什么碳化硅在高頻下的性能優于IGBT?
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料家族。
碳化硅(SiC)技術改進了各種應用中的多個系統和子系統組件。與硅相比,碳化硅通過更快的開關、在整個溫度范圍內的平坦RDS(on)和更好的體二極管性能表現...
功率系統中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數自動測試與計算新方案
柵極參數設計是通過理論計算或建模仿真,模擬器件的開關狀態,掌握其動態特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等,其核心還是理論計算。
Qorvo SiC FET在ZVS軟開關技術應用中的卓越表現
從石器時代到信息時代,人類對高效率的追求從未停止。如今,隨著人工智能、電動汽車和可再生能源系統等前沿科技的蓬勃發展,電力電子設備面臨的挑戰與日俱增。開關...
深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET
眾多終端產品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝,來開發基于雙極結型晶體管(BJT)、結柵場效應晶體管(JFET)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(M...
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