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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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英飛凌TLE49SR系列角度傳感器的原理和特性

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2024-09-13 標簽：半導體功率器件 SiC 1366 0

SiC FET的起源和發展

高頻開關等寬帶隙半導體是實現更高功率轉換效率的助力。SiC FET就是一個例子，它由一個SiC JFET和一個硅MOSFET以共源共柵方式構成。

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【泰克電源設計與測試】致工程師系列之四：寬禁帶半導體器件GaN、SiC設計優化驗證

選擇TIVH差分探頭的基本原則是以驅動信號的上升時間為依據，儀器系統對被測點的影響小于3%。上管信號測量考慮因素：帶寬、電壓范圍（共模和差模）、CMRR和連接。

2020-08-11 標簽：SiC GaN 泰克科技 1362 0

大面積燒結的進步提高了功率模塊的性能

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2023-11-21 標簽：SiC 氮化鎵功率模塊 1360 0

SiC MOSFET：柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路的電路板布局注意事項

關于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產生的浪涌，在之前發布的Tech Web基礎知識 SiC功率元器件應用篇的“SiC MOSFET：橋式結構中柵極...

2023-02-09 標簽：MOSFET 電路板 SiC 1351 0

碳化硅功率模塊最大限度提高有源前端效率

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碳化硅襯底片比較重要的參數有哪些？

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SiC模塊的特征和電路構成

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOS...

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為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣

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2023-08-14 標簽：二極管 SiC MPS 1337 0

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本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處...

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