激光與碳化硅相互作用的機(jī)理及應(yīng)用

本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理，并重點(diǎn)對(duì)碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片...

2023-05-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光晶圓 2613 0

聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案

碳化硅 (SiC) 技術(shù)能在大幅提高當(dāng)前電力系統(tǒng)效率的同時(shí)降低其尺寸、重量和成本，因此市場(chǎng)需求不斷攀升。但是SiC 解決方案并不是硅基解決方案的直接替代...

2023-05-17 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器SiC碳化硅 544 0

基于國(guó)產(chǎn)單晶襯底的150mm 4H-SiC同質(zhì)外延技術(shù)進(jìn)展

本文研究了一種用于5G通信的射頻微系統(tǒng)與天線一體化三維扇出型集成封裝技術(shù). 通過(guò)在玻璃晶圓 上使用雙面布線工藝，實(shí)現(xiàn)毫米波天線陣列的制作. 將TSV轉(zhuǎn)接...

2023-05-14 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體天線 1205 0

SMPD先進(jìn)絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)

SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device)，是先進(jìn)的頂部散熱絕緣封裝，由IXYS（現(xiàn)在是Littelfuse公...

2023-05-12 標(biāo)簽：MOSFET封裝功率器件 2857 0

基于SIC功率模塊的200kW車載逆變控制器介紹

在電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)控制器中，逆變控制器是實(shí)現(xiàn)能量交直流轉(zhuǎn)化的關(guān)鍵部件，用于電機(jī)的驅(qū)動(dòng)或制動(dòng)時(shí)的能量回收或是提供交流電源。市場(chǎng)對(duì)于逆變控制器的能量傳輸效率、功...

2023-05-11 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車控制器晶體管 2459 0

半導(dǎo)體制造裝置之SiC涂層石墨基座介紹

SiC涂層的制備方法主要有凝膠-溶膠法、包埋法、刷涂法、等離子噴涂法、化學(xué)氣相反應(yīng)法(CVR)和化學(xué)氣相沉積法(CVD)。

2023-05-11 標(biāo)簽：SiCGaN碳化硅 5071 0

小心彎曲：為什么不應(yīng)通過(guò)元件腳端彎曲來(lái)走捷徑

許多電力工程師都知道如何使用其手工原型獲得可行的成果，但在生產(chǎn)環(huán)境中，我們需要更好地控制腳端彎曲。否則，可能會(huì)引起數(shù)不盡的問(wèn)題。本博客文章討論了獲得可靠...

2023-05-10 標(biāo)簽：電路板封裝元件 628 0

碳化硅功率器件及應(yīng)用

碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料。作...

2023-05-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 2415 0

相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動(dòng)和電動(dòng)汽車的能效和性能？

隨著人們對(duì)電動(dòng)汽車 (EV) 和混動(dòng)汽車 (HEV) 的興趣和市場(chǎng)支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴(kuò)大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，競(jìng)爭(zhēng)日益激烈。由于 EV 的...

2023-05-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車安森美IGBT 8957 0

簡(jiǎn)述碳化硅襯底類型及應(yīng)用

碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。

2023-05-09 標(biāo)簽：SiC碳化硅 5476 0

測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng)：一般測(cè)量方法

SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：...

2023-05-08 標(biāo)簽：MOSFET柵極SiC 1280 0

什么是寬禁帶半導(dǎo)體？

半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代...

2023-05-05 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 1.1萬(wàn) 0

功率器件封裝結(jié)構(gòu)散熱設(shè)計(jì)原則

針對(duì)功率器件的封裝結(jié)構(gòu)，國(guó)內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)和 企業(yè)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面進(jìn)行了大量的理論研究和開 發(fā)實(shí)踐，多種結(jié)構(gòu)封裝設(shè)計(jì)理念被國(guó)內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)提出并研究，一些結(jié)構(gòu)設(shè)...

2023-05-04 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 1837 0

淺談高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀

高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術(shù)存在著幾個(gè)重要瓶頸：1）器件漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻隨電壓等級(jí)相應(yīng)增加，其他結(jié)構(gòu)（溝道、JFET區(qū)等）的存在進(jìn)一步提高了總導(dǎo)通電阻。

2023-05-04 標(biāo)簽：二極管MOSFET導(dǎo)通電阻 3612 0

SiC MOSFET：是平面柵還是溝槽柵？

溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進(jìn)的技術(shù)，指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小，與平面柵相比，溝槽柵MOSFET...

2023-04-27 標(biāo)簽：電阻MOSFETSiC 7467 0

陶瓷封裝工藝介紹

陶瓷封裝工藝是指采用陶瓷外殼 (Ceramic Packaging Shell, CPS)或陶瓷基板作為封裝載體，在陶瓷外殼的芯腔或陶瓷基板芯片安裝區(qū)黏...

2023-04-27 標(biāo)簽：cpsSiCPGA封裝 1.0萬(wàn) 0

SiC半導(dǎo)體如何成為比舊有技術(shù)更具成本競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案

隨著電動(dòng)汽車、可再生能源和 5G 等領(lǐng)域的創(chuàng)新步伐不斷加快，為滿足消費(fèi)者和行業(yè)的需求，越來(lái)越多的工程師也在尋求全新解決方案，并對(duì)技術(shù)提出了更高的要求。

2023-04-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBTFET 810 0

APEX微技術(shù)發(fā)布碳化硅SiC半橋集成電源模塊：SA111

SA111采用碳化硅（SiC）技術(shù)和領(lǐng)先的封裝設(shè)計(jì)，突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。

2023-04-27 標(biāo)簽：MOSFET電源模塊SiC 1322 0