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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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目前存在哪些與800V電動汽車動力總成架構有關的設計和測試挑戰(zhàn)

電動汽車 (EV) 普及率的上升激發(fā)了市場對優(yōu)化設計、降低成本和提升車輛運行效率的需求，并為產品測試提出了新的難題。

2024-02-19 標簽：電動汽車逆變器功率轉換器 1181 0

用碳化硅(SiC)重新思考軟開關效率

從理論上講，碳化硅(SiC)技術比硅(Si)具有優(yōu)勢，這使得它看起來可以作為電力電子中現(xiàn)有MOSFET的直接替代品。這在一定程度上是正確的，但只要關注該...

2024-06-19 標簽：電阻 MOSFET SiC 1181 0

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究...

2023-02-08 標簽：MOSFET 晶體管 SiC 1180 0

碳化硅和硅相比有何性能優(yōu)勢

硅早已是大多數(shù)電子應用中的關鍵半導體材料，但與SiC相比，則顯得效率低下。SiC現(xiàn)在已開始被多種應用采納，特別是電動汽車，以應對開發(fā)高效率和高功率器件所...

2023-02-03 標簽：功率器件 SiC 能源 1178 0

淺談碳化硅功率器件的封裝技術

SiC作為第三代半導體材料具有優(yōu)越的性能，相比于前兩代半導體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、熱導率高、電子飽和速率高以及抗輻射能力強等特點，...

2023-06-28 標簽：封裝功率器件 SiC 1178 0

SiC SBD器件結構和特征

1. 器件結構和特征 SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因...

2023-02-07 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 1176 0

碳化硅功率器件的工作原理和應用

碳化硅（SiC）功率器件近年來在電力電子領域取得了顯著的關注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點，使其在高效能、高頻率和高溫...

2024-09-13 標簽：半導體功率器件 SiC 1171 0

【當代材料電學測試】系列之四：寬禁帶材料測試

隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應用于射頻與超高壓等領域。

2021-03-26 標簽：萬用表 SiC GaN 1169 0

功率模塊銅線鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設計方案

為了提高功率模塊銅線鍵合性能，采用6因素5水平的正交試驗方法，結合BP（Back Propaga‐tion）神經(jīng)網(wǎng)絡與遺傳算法，提出了一種銅線鍵合工藝參...

2024-01-03 標簽：SiC 功率模塊鍵合 1165 0

有效測量碳化硅信號

SiC器件市場涵蓋廣泛的功率和應用（電動汽車充電，太陽能和風能等能量收集，電源逆變器，工業(yè)電源，數(shù)據(jù)中心）。在低端（1–50 kW），分立式 MOSF...

2023-05-20 標簽：晶體管 SiC 碳化硅 1164 0

擴展到900V的氮化鎵產品滿足汽車、家電及工業(yè)類應用需求

日前，Power Integrations（PI）舉辦新品媒體線上溝通會，公司資深技術培訓經(jīng)理Jason Yan介紹了在美國APEC展（國際電力電子應用...

2023-03-24 標簽：功率開關 PD SiC 1159 0

AEC-Q101|SiC功率器件高溫反偏

SiC（碳化硅）功率器件以其耐高溫、耐高壓、低開關損耗等特性，能有效實現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求，受到了新能源汽車、光伏發(fā)...

2023-06-09 標簽：汽車電子功率器件 SiC 1158 0

下一代主流SiC IGBT模塊封裝技術研發(fā)趨勢——環(huán)氧灌封技術

今天講解的是下一代主流SiC IGBT模塊封裝技術研發(fā)趨勢——環(huán)氧灌封技術給大家進行學習。之前梵易Ryan對模塊分層的現(xiàn)象進行了三期的分享，有興趣的朋...

2024-12-30 標簽：封裝 IGBT SiC 1158 0

電動汽車中的SiC半導體

電子產品節(jié)能的呼吁可能很難與電子產品節(jié)能的呼聲聯(lián)系起來，因為這意味著您的電費只需減少幾美分或對減少全球 CO 2排放量的貢獻很小，但是當電動汽車的效率更...

2022-07-26 標簽：電動汽車 MOSFET SiC 1158 0

分立3.3 kV SiC MOSFET關鍵指標的分析

理由相信潮流正在轉變。正如TechInsights在不久前發(fā)布的PCIM Europe 2023 -產品公告和亮點博客[4]文章中所討論的那樣，英飛凌宣...

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微電網(wǎng) - 脫離公共電網(wǎng)的高效選擇

我們中許多擁有電動汽車的人不得不考慮充電問題 — 重點在于節(jié)約能源，所以微電網(wǎng)從當?shù)乜稍偕茉粗蝎@取電能絕對符合時代精神。電動車電池是一種大型充電負載，...

2023-05-16 標簽：電動汽車 SiC 可再生能源 1146 0

碳化硅與工業(yè)應用的未來

首先，讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么，以及它與傳統(tǒng)硅的一些不同之處。關于SiC的一個有趣的事實是，碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物質。事實上，碳化...

2023-05-20 標簽：電源轉換器 SiC 1146 0

SiC功率器件的特點和優(yōu)勢

SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應用中的優(yōu)勢日益顯現(xiàn)。Wol...

2024-12-05 標簽：晶體管功率器件 SiC 1144 0

碳化硅SBD反向恢復特性

SiC（碳化硅）是由硅和碳化物組成的化合物半導體。與硅相比，SiC具有許多優(yōu)勢，包括10倍的擊穿電場強度，3倍的帶隙，以及實現(xiàn)器件結構所需的更廣泛的p型...

2023-02-03 標簽：SBD SiC 碳化硅 1144 0

SiC單晶襯底加工技術的工藝流程

SiC單晶是一種硬而脆的材料，切片加工難度大，磨削精度要求高，因此晶圓制造是一個長時間且難度較高的過程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術以及近年來...

2024-11-14 標簽：SiC 工藝流程加工技術 1143 0

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