完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > sic
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
文章:2803個(gè) 瀏覽:64604次 帖子:124個(gè)
如何確保SiC驗(yàn)證測(cè)試準(zhǔn)確度?
SiC正在應(yīng)用于功率更高、電壓更高的設(shè)計(jì)中,如電動(dòng)汽車(EV)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車快速充電樁、車載及非車載充電器、風(fēng)能及太陽能逆變器及工控電源。
電子器件的使用環(huán)境逐漸惡劣,航空航天、石油探測(cè)領(lǐng)域前景廣闊,在熱導(dǎo)率、擊穿場(chǎng)等上的要求更高,那么以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的第三代半導(dǎo)體材...
擴(kuò)展到900V的氮化鎵產(chǎn)品滿足汽車、家電及工業(yè)類應(yīng)用需求
日前,Power Integrations(PI)舉辦新品媒體線上溝通會(huì),公司資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan介紹了在美國APEC展(國際電力電子應(yīng)用...
2023-03-24 標(biāo)簽:功率開關(guān)PDSiC 1158 0
母線電容過壓時(shí),軟件及時(shí)判斷并進(jìn)行關(guān)脈沖處理,除此之外,母線電容上還需要并聯(lián)TVS,才能在軟件保護(hù)無效時(shí),通過TVS保護(hù)母線電容。
利用C2000實(shí)時(shí)MCU提高GaN數(shù)字電源設(shè)計(jì)實(shí)用性
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對(duì)于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...
2023-03-20 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器晶體管 1039 0
AMB陶瓷基板在IGBT中應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)
AMB(活性金屬釬焊)工藝技術(shù)是DBC(直接覆銅)工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實(shí)現(xiàn)銅箔與陶瓷基片間的焊接。
對(duì)Si3N4-AMB覆銅基板較為關(guān)心的三大方面
隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高,器件對(duì)于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求。
隔離比較器在電機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)用
電機(jī)在工業(yè)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用,而電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的趨勢(shì)是高效率,高功率密度和高可靠性。功率半導(dǎo)體供應(yīng)商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)速度上實(shí)現(xiàn)突破,推出更高的電流等級(jí)...
2023-03-16 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體電機(jī) 809 0
在特斯拉投資者大會(huì)上,特斯拉表示下一代汽車平臺(tái)的動(dòng)力總成中將減少75%的碳化硅使用。
2023-03-14 標(biāo)簽:微控制器電動(dòng)汽車SiC 1894 0
顯然特斯拉用的是意法半導(dǎo)體2018年的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品,第四代產(chǎn)品目前還沒有推出。溝槽型是發(fā)展方向,但意法半導(dǎo)體要到2025年才開始推出。
隨著新能源領(lǐng)域的發(fā)展, 在數(shù)字電源控制系統(tǒng)中要求功率密度高且轉(zhuǎn)換效率高。其中,整機(jī)功率密度的提升,就需要提高開關(guān)頻率, 大部分現(xiàn)有產(chǎn)品的開關(guān)頻率在50k...
戰(zhàn)爭(zhēng)在戰(zhàn)壕中決出勝負(fù),而溝槽就是我們的前線戰(zhàn)壕。也就是說,前線奮戰(zhàn)人員憑借他們的集體合作和努力決定最終的勝利。作為電源管理應(yīng)用的設(shè)計(jì)工程師,本文的讀者就...
SiC器件不同濕法腐蝕工藝的腐蝕機(jī)理和應(yīng)用領(lǐng)域
SiC 晶體中不同類型的位錯(cuò)通常是根據(jù)腐蝕坑的形貌和尺寸來完成定量分析的。如圖 7(a)所示, 大六邊形沒有底部的腐蝕坑代表 MP,中六邊形有底部的腐蝕...
為什么選擇SiC作為下一個(gè)雙向板載充電器設(shè)計(jì)呢?
硅(Si)基電力電子器件長期以來一直主導(dǎo)著電力電子行業(yè),因?yàn)樗鼈兊募夹g(shù)成熟度和相對(duì)容易獲得。
2023-03-07 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器充電器 1031 0
針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策
只是由于SiC MOSFET的跨導(dǎo)比Si MOSFET的跨導(dǎo)小一個(gè)數(shù)量級(jí)以上,因此不會(huì)立即流過過大的直通電流。所以即使流過了直通電流,也具有足夠的冷卻能...
低邊開關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作
下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。與導(dǎo)通時(shí)的做法一樣,為各事件進(jìn)行了(IV)、(V)、(VI)編號(hào)。與導(dǎo)通時(shí)相比,只是...
低邊開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的Gate-Source間電壓的動(dòng)作
當(dāng)SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí),首先ID會(huì)變化(下述波形示意圖T1)。此時(shí)LS的ID沿增加方向、HS的ID沿減少方向流動(dòng),受下述等效電路圖中所示的事...
2023-02-28 標(biāo)簽:MOSFETSiC電動(dòng)勢(shì) 730 0
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |