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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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淺談各種SiC IGBT器件的制作過程與相關性能

通常來講，全控型半導體器件可以依照其導通狀態下的載流子類型分為單極型半導體器件和雙極型半導體器件，在每一類中又可以分為電流控制型和電壓控制型。

2023-02-13 標簽：IGBT SiC 功率半導體 2355 0

在功率二極管中損耗最小的SiC-SBD

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2023-02-13 標簽：二極管功率二極管 SiC 963 0

碳化硅是由分子還是原子組成的？

碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

2023-02-12 標簽：SiC 碳化硅 4946 0

碳化硅MOSFET概述、特性及應用

　　在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率...

2023-02-12 標簽：二極管 MOSFET 濾波器 3779 0

小編科普一下碳化硅的理化性質

碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅為應用最廣泛、...

2023-02-12 標簽：SiC 碳化硅電熱元件 2659 0

碳化硅SiC MOSFET器件的結構及特性

　　SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，如圖1所示。這種結構的特點是工藝簡單，單元...

2023-02-12 標簽：MOSFET SiC 氮化鎵 5924 0

SiC MOSFET和SiC IGBT的區別

　　在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率...

2023-02-12 標簽：MOSFET IGBT PN結 3666 0

碳化硅二極管的區別和用途

隨著終端應用電子架構復雜程度提升，硅基器件物理極限無法滿足部分高壓、高溫、高頻及低功耗的應用要求。近 20 多年來，以碳化硅(silicon carb...

2023-02-10 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 1271 0

簡述碳化硅MOSFET尖峰的抑制 2

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優勢，在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。其中一個...

2023-02-10 標簽：MOSFET SiC 寬禁帶半導體 1756 0

什么是碳化硅？碳化硅的拋光方法主要有哪些？

碳化硅（SiC）材料是功率半導體行業主要進步發展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。

2023-02-10 標簽：功率器件 SiC CMP 3535 0

硅基氮化鎵技術到底有啥優勢？

具體而言，SiC 近年來在很多領域都有應用，比如工業領域。對于 GAN 來說，可使用場景非常廣泛。SiC 產品在高功率市場中有著很好的應用，例如 IGB...

2023-02-10 標簽：IGBT SiC GaN 866 0

搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹

ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC...

2023-02-10 標簽：開關 MOSFET IGBT 2193 0

第三代SiC肖特基勢壘二極管SCS3系列介紹

ROHM近期推出的"SCS3系列"是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱"SiC-SBD"）產品。ROHM的每...

2023-02-10 標簽：二極管電壓 SiC 610 0

實現大電流化的技術要點

轉換器，開發出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。

2023-02-10 標簽：模塊電流封裝 463 0

1200V耐壓、400A/600A的全SiC功率模塊BSM400D12P3G002和BSM600D12P3G001

ROHM面向工業設備用電源、太陽能發電功率調節器及UPS等的逆變器、轉換器，開發出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D1...

2023-02-10 標簽：電源模塊 SiC 1474 0

高耐壓超級結MOSFET的種類與特征

上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結MOSF...

2023-02-10 標簽：MOSFET IGBT SiC 2236 0

BD9S系列: 配置Power Good功能的車載ADAS用超小型降壓DC/DC轉換器（2）

ROHM最近面向ADAS（高級駕駛輔助系統）的傳感器、攝像頭及雷達等要求小型化、節能化和高可靠性的汽車安全駕駛輔助模塊，開發出二次降壓DC/DC轉換器“...

2023-02-09 標簽：轉換器 MOSFET SiC 818 0

高可靠性1700V全SiC功率模塊BSM250D17P2E004介紹

ROHM面向以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業設備用電源的逆變器和轉換器，開發出實現行業領先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全...

2023-02-09 標簽：MOSFET 功率 SiC 1118 0

采用4引腳封裝的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列

SiC MOSFET：SCT3xxx xR系列是面向服務器用電源、太陽能逆變器和電動汽車充電站等要求高效率的應用開發而成的溝槽柵極結構SiC MOSFE...

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SiC MOSFET柵-源電壓測量：探頭頭部的安裝位置

關鍵要點?除了測量位置之外，探頭的安裝位置也很重要。?如果不慎將電壓探頭安裝在磁通量急劇變化的空間內，就會受到磁通量變化的影響，而體現在觀測波形上。

2023-02-09 標簽：電流 MOSFET 探頭 655 0

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