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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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AC/DC轉(zhuǎn)換器IC BM2SC12xFP2-LBZ介紹

內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC：BM2SC12xFP2-LBZ－優(yōu)點(diǎn)篇－使采用了SiC MOSFET的高效AC...

2023-02-08 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET 封裝 906 0

第三代雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET介紹

在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽...

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET SiC 2516 0

SiC-MOSFET體二極管的特性說明

上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對(duì)SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進(jìn)行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFE...

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 1911 0

SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-...

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 晶體管 2286 0

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究...

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 SiC 1180 0

SiC-MOSFET和功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較

近年來超級(jí)結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開...

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 SiC 1082 0

SiC-MOSFET的特征

繼前篇結(jié)束的SiC-SBD之后，本篇進(jìn)入SiC-MOSFET相關(guān)的內(nèi)容介紹。功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一...

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 SiC 487 0

SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征及優(yōu)勢(shì)

關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。

2023-02-08 標(biāo)簽：SBD SiC 肖特基勢(shì)壘二極管 1842 0

SiC-SBD的發(fā)展歷程

為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對(duì)象，對(duì)特性進(jìn)行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。

2023-02-08 標(biāo)簽：二極管 SBD SiC 926 0

SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

二極管的正向電壓VF無限接近零、對(duì)溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實(shí)是不是零、并會(huì)受溫度影響而變動(dòng)。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND...

2023-02-08 標(biāo)簽：二極管 PND SBD 1002 0

SiC-SBD與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較

下面從SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特...

2023-02-08 標(biāo)簽：二極管 PND SBD 1006 0

SiC肖特基勢(shì)壘二極管和Si肖特基勢(shì)壘二極管的比較

繼SiC功率元器件的概述之后，將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢(shì)壘二極管開始。SiC肖特基勢(shì)壘二極管和Si肖特基勢(shì)壘二極管：下面從SiC肖...

2023-02-08 標(biāo)簽：二極管 SBD SiC 1196 0

牽引逆變器：汽車創(chuàng)新與性能的相互交融

踩下電動(dòng)汽車 (EV) 的踏板，即可獲得快速、平穩(wěn)的加速。對(duì)此感到非常滿足？當(dāng)然不。您大可不必如此，因?yàn)樾滦碗妱?dòng)汽車將擁有更高的性能和更長(zhǎng)的續(xù)航里程。...

2023-02-08 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器電機(jī) 1.1萬 0

在半導(dǎo)體行業(yè)中碳化硅有哪些應(yīng)用呢？

碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成，其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了

2023-02-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2569 0

SiC模塊的特征和電路構(gòu)成

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOS...

2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1341 0

SiC SBD器件結(jié)構(gòu)和特征

1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因...

2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1170 0

SiC的物性和特征

SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)...

2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1110 0

碳化硅的工作原理、優(yōu)點(diǎn)及主要用途

　　碳化硅，是一種無機(jī)物，化學(xué)式為SiC，碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子組成，密度是3.2g/cm3，天然碳化硅非常罕見，主要通過人工合...

2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 8796 0

氮化鎵技術(shù)壁壘是什么，氮化鎵優(yōu)異特性介紹

達(dá)摩院指出，近年來第三代半導(dǎo)體的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)，正在打開應(yīng)用市場(chǎng)：SiC元件已用作汽車逆變器，GaN快速充電器也大量上市。

2023-02-07 標(biāo)簽：逆變器 SiC 氮化鎵 786 0

什么是電力電子？為什么碳化硅對(duì)電力電子很重要？

碳化硅電力電子支持可再生能源等新興產(chǎn)業(yè)（包括太陽的,燙的和風(fēng)力）、EV/HEV動(dòng)力系統(tǒng)，以及電動(dòng)火車、公共汽車和其他類型的公共交通工具。

2023-02-06 標(biāo)簽：MOSFET 電力電子 SiC 1624 0

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

系統(tǒng)電源

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董明珠

董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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