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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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由于襯底和外延和芯片的技術發展相關性不是特別大,所以我單獨把這兩個流程拿出來和大家分享,接下來的芯片技術發展比如MOSFET的平面結構或者溝槽結構都是直...
設計多電飛機(MEA)的飛機制造商希望將飛行控制系統從液壓轉換為電動,以減輕重量和設計復雜性。
碳化硅作為一種寬禁帶材料,具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導率等優點,可以實現高壓、大功率、高頻、高溫應用的新型功率半導體器件。該文對碳化硅功率...
SA111采用碳化硅(SiC)技術和領先的封裝設計,突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。
碳化硅(SiC) 是第三代半導體,相較于前兩代半導體(一代硅,二代砷化鉀)碳化硅在使用極限性能,上優于硅襯底,可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的...
SOI獨特的“Si/絕緣層/Si”三層結構,帶來了諸多優勢:首先,“絕緣埋層”實現了器件功能有源部分和襯底的全介質隔離,減小了寄生電容,開關頻率得以提高。
相比IGBT芯片面積減少了50% ,取消了IGBT使用的反并聯二極管。 逆變器效率主要與功率器件的導通損耗和開關損耗相關,而SiC逆 變器在這兩點均...
SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求,對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結了近年來封裝形式的結構優化和技術創新,包括鍵合...
碳化硅市場產業鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產、碳化硅件研發和封裝測試四個部分,分別占市場總成本的45%15%、25%、 15%。 海外以IDM為主要...
純SiC晶體是通過Lely升華技術生長的。晶體主要是6H-SiC,但包括其它多型體。1978年,Tairov和Tsvetkov發明了一種可復制的SiC晶...
使用物理氣相傳輸法(PVT)制備出直徑 209 mm 的 4H-SiC 單晶,并通過多線切割、研磨和拋光等一系列加工工藝制備出標準 8 英寸 SiC 單...
一旦硅開始達不到電路需求,碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導體材料浮出水面。與單獨的硅相比,這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復雜的電子產...
傳統上,半導體生產中最常用的材料是硅(Si),因為它豐富且價格合理。但是,半導體制造商可以使用許多其他材料。此外,它們中的大多數還提供額外的好處,例如碳...
到20世紀中葉,電力已然在人們的生活中發揮著重要作用。愛迪生發明的電燈通過照亮街道、工廠和住宅,提高了生產力、生活質量和安全性;通過高效電機實現的制冷,...
本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關動作中,SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產生什么樣的電流和電壓。
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