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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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SiC外延生長技術(shù)的生產(chǎn)過程及注意事項
SiC外延生長技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一,外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應用較多的SiC外延生長方法是化學氣相沉積(CVD),本文簡...
壓縮機是汽車空調(diào)的一部分,它通過將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體,再流經(jīng)冷凝器,節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱,實現(xiàn)車內(nèi)外的冷熱交換。傳統(tǒng)燃油車以發(fā)動機為動力,通過皮帶...
隨著全球?qū)稍偕茉春颓鍧嶋娏ο到y(tǒng)的需求不斷增長,光儲充一體化市場為實現(xiàn)能源的高效利用和優(yōu)化配置提供了創(chuàng)新解決方案。在此趨勢引領下,碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)...
電隔離式(GI)柵極驅(qū)動器在優(yōu)化碳化硅(SiC)MOSFET性能方面扮演著至關重要的角色,特別是在應對電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、...
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入,可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂啤1疚暮喴榻B離子注入工藝及其注意事項。
意法半導體一年一度的工業(yè)峰會于近日在深圳福田香格里拉大酒店舉辦,工業(yè)峰會是意法半導體充分展示工業(yè)產(chǎn)品技術(shù)和解決方案廣度和深度的頂級盛會,今年已經(jīng)進行到第...
如何設計 IGBT 和 SiC FET 驅(qū)動電路以防止誤觸發(fā)?
在設計IGBT或SiCFET橋接電路時,門驅(qū)動電路的正確設計與選擇晶體管同樣重要,以確保高可靠性。對環(huán)境的關注是可再生能源、智能工業(yè)和電動出行等趨勢背后...
碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領域受到了廣泛的關注。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、特點以及在能源轉(zhuǎn)換中的...
功率器件的熱設計基礎(二)——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
/前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低...
如何通過高壓SiC電池斷開開關提升電氣系統(tǒng)的可靠性與效率
電氣系統(tǒng)的直流母線電壓在400伏特或更高,由單相或三相電網(wǎng)電源或能量存儲系統(tǒng)(ESS)供電,可以通過固態(tài)電路保護提高其可靠性和韌性。在設計高壓固態(tài)電池斷...
2024-10-23 標簽:SiC電氣系統(tǒng)電池 525 0
IGBT和SiC功率模塊封裝用的環(huán)氧材料在現(xiàn)代電子器件中起著至關重要的作用。以下是從多個角度對這些環(huán)氧材料的詳細分析:1.熱管理導熱性能:環(huán)氧樹脂需要具...
SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動設計
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導體器件,具有導通電阻低,開關損耗小的特...
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