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標(biāo)簽 > vdd
Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正,Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C,和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss,含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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高精度恒壓和恒流輸出的開(kāi)關(guān)電源芯片U6773H介紹
U6773H是一款高性能準(zhǔn)諧振式、原邊控制功率開(kāi)關(guān)電源芯片,可提供高精度恒壓和恒流輸出性能,綠色環(huán)保!
2023-02-15 標(biāo)簽:MOSFETOTP開(kāi)關(guān)電源芯片 3472 0
CH32V307后備寄存器(BKP)提供了10個(gè)16位的通用數(shù)據(jù)寄存器(BKP_DATARx),可以用來(lái)存儲(chǔ)20個(gè)字節(jié)的用戶數(shù)據(jù)。
通常CH32V307工作電壓VDD的范圍為2.4V~3.6V,當(dāng)使用ETH或USB時(shí),工作電壓VDD的范圍為 3.0V~3.6V。
2023-02-15 標(biāo)簽:mcu電源管理電源系統(tǒng) 1932 0
U65133電源管理芯片在小家電市場(chǎng)有著不錯(cuò)的銷(xiāo)量,今天給還沒(méi)了解過(guò)的小伙伴介紹下!
2023-02-14 標(biāo)簽:emi驅(qū)動(dòng)電路電源管理芯片 3444 0
短溝器件的特性與前一節(jié)分析的電阻工作區(qū)和飽和區(qū)的模型有所不同,主要原因是速度飽和效應(yīng)。 載流子的速度正比于電場(chǎng),遷移率是一個(gè)常數(shù),當(dāng)溝道電場(chǎng)達(dá)到某一臨界...
一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開(kāi)關(guān)
同步整流芯片U7710 &U7711就是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開(kāi)關(guān),內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。
手機(jī)需要處理的事務(wù)越來(lái)越多,手機(jī)配備的鋰離子電池容量也越來(lái)越大,人們都希望能夠在盡量短的時(shí)間內(nèi)給自己的手機(jī)充得足夠的電量,以滿足自己日常生活和工作的需要。
DCDC降壓開(kāi)關(guān)電源芯片U6119介紹
DCDC降壓開(kāi)關(guān)電源芯片U6119被優(yōu)化為使用盡可能少的外部組件即可運(yùn)行,并且可以實(shí)現(xiàn)低待機(jī)電流。
2023-02-06 標(biāo)簽:線性穩(wěn)壓器DCDC開(kāi)關(guān)電源芯片 3714 0
10W高精度離線式開(kāi)關(guān)電源芯片CY2525D分享
手機(jī)充電器大致可以分為旅行充電器、座式充電器和維護(hù)型充電器,一般用戶接觸的主要是前面兩種。
2023-02-06 標(biāo)簽:手機(jī)充電器開(kāi)關(guān)電源芯片功率開(kāi)關(guān)管 1993 0
數(shù)字IC版圖設(shè)計(jì)中Power Mesh打的太寬怎么辦
調(diào)整PG structure,讓電源地間隔放置。或者合理減少power,不要打太多、不要打太寬。
副邊15W機(jī)頂盒電源ic SF1538內(nèi)置高功率MOSFET管,耐壓650V,可編程外部過(guò)溫保護(hù)OTP,專(zhuān)利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗。
2023-01-13 標(biāo)簽:充電器OTPLED驅(qū)動(dòng)電源 1040 0
友恩充電器芯片U6101選型參考5V-12A~1A、12V-5A~1A,外推MOS,可兼容多種啟動(dòng)供電模式。
電源ic U6107D輸出規(guī)格5V4A、12V3A,集成有完備的保護(hù)功能,包括:VDD欠壓保護(hù)(UVLO)、VDD過(guò)壓保護(hù)(OVP)
高性能同步整流開(kāi)關(guān)—5v3A同步整流ic U7712
U7712內(nèi)置VDD高壓供電模塊,無(wú)需VDD輔助繞組供電,減低了系統(tǒng)成本。
FB系統(tǒng)反饋管腳。輔助繞組電壓經(jīng)電阻分壓后送至FB管腳,用于CV模式輸出電壓控制及CC模式輸出電流控制。
STM32電源框圖解析(VDD、VSS、VDDA、VSSA、VREF+、VREF-、VBAT等的區(qū)別)
STM32的工作電壓(VDD )為2.0~3.6V,通過(guò)內(nèi)置的電壓調(diào)節(jié)器提供所需的1.8V電源,當(dāng)主電源VDD 掉電后,通過(guò)VBAT 腳為實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RT...
做過(guò)單片機(jī)產(chǎn)品的朋友都知道,STM32芯片有多組VDD和VSS。
PFS122是應(yīng)廣推出的一顆,可以多次燒錄的2K程序空間的帶數(shù)字12位AD轉(zhuǎn)換的單片機(jī)。目前以高性價(jià)比重新獲得用戶的喜愛(ài),其價(jià)格優(yōu)勢(shì)明顯,比九齊的062...
在手機(jī)充電器的應(yīng)用中,電池與充電器之間一般會(huì)通過(guò)一定長(zhǎng)度的電纜相連,由此也將導(dǎo)致輸送到電池端的電壓產(chǎn)生一定的電壓降。
含125字節(jié)EEPROM,最少擦寫(xiě)次數(shù)為1000,寫(xiě)入最小電壓2.5V,讀取最小電壓1.8V的規(guī)格。
2022-11-14 標(biāo)簽:EEPROM驅(qū)動(dòng)電流VDD 1772 0
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