晶粒知識(shí)

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  EBSD在晶粒度測(cè)量中的分析和應(yīng)用

  EBSD技術(shù)在WC粉末晶粒度測(cè)量中的應(yīng)用晶粒尺寸分布是評(píng)價(jià)碳化鎢（WC）粉末質(zhì)量的關(guān)鍵因素，它直接影響材料的物理特性。電

  2025-01-10 標(biāo)簽： 測(cè)量 晶粒 596 0

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  半導(dǎo)體制造三要素：晶圓、晶粒、芯片的傳奇故事

  在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓、晶粒與芯片是三個(gè)至關(guān)重要的概念，它們各自扮演著不同的角色，卻又緊密相連，共同構(gòu)成了現(xiàn)代電子設(shè)備的

  2024-12-05 標(biāo)簽： 芯片 半導(dǎo)體 晶圓 2854 0

• 晶圓/晶粒/芯片之間的區(qū)別和聯(lián)系

  本文主要介紹??????晶圓 （wafer）/晶粒 （die）/芯片 （chip）之間的區(qū)別和聯(lián)系。 ? 晶圓（Wafe

  2024-11-26 標(biāo)簽： 芯片 晶圓 晶粒 1733 0

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  反極圖實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的分析方法

  利用樣品的軋面（ND面）、與軋向垂直的剖面（RD面）、與橫向垂直的剖面（TD面）等3個(gè)觀察面的普通粉末衍射數(shù)據(jù)，進(jìn)行2種

  2024-11-05 標(biāo)簽： 材料 X射線 晶粒 1785 0

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  高加速壽命試驗(yàn)對(duì)焊點(diǎn)的可靠性評(píng)估

  高加速壽命試驗(yàn)是加速電子產(chǎn)品在實(shí)際使用中會(huì)出現(xiàn)的損壞因素，以比實(shí)際使用更短的時(shí)間引發(fā)失效，藉此鑒定產(chǎn)品是否符合設(shè)計(jì)要求，

  2024-01-31 標(biāo)簽： 焊點(diǎn) IMC 晶粒 912 0

• 拉伸孿晶和壓縮孿晶對(duì)比

  孿晶誘導(dǎo)細(xì)晶強(qiáng)化，相互交錯(cuò)的孿晶界將母晶分割成若干細(xì)小的晶粒，誘發(fā)Hall-Petch效應(yīng)的同時(shí)也會(huì)阻礙位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)，位錯(cuò)

  2024-01-06 標(biāo)簽： 晶格 晶粒 1391 0

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  濺射沉積鎳薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和應(yīng)力演化

  眾所周知，材料的宏觀性質(zhì)，例如硬度、熱和電傳輸以及光學(xué)描述符與其微觀結(jié)構(gòu)特征相關(guān)聯(lián)。通過(guò)改變加工參數(shù)，可以改變微結(jié)構(gòu)，從

  2023-11-22 標(biāo)簽： IC 晶粒 983 0

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  使用UCIe IP確保多Die系統(tǒng)可靠性

  多Die（晶粒）系統(tǒng)由多個(gè)專(zhuān)用功能晶粒（或小芯片）組成，這些晶粒組裝在同一封裝中，以創(chuàng)建完整的系統(tǒng)。多晶粒系統(tǒng)最近已經(jīng)成

  2023-11-16 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 IP 晶粒 964 0

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  金屬學(xué)與熱處理知識(shí)匯總總結(jié)

  為便于了解晶體中原子排列的規(guī)律性，通常將實(shí)體晶體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化為完整無(wú)缺的理想晶體。若將其中每個(gè)院子抽象為純幾何點(diǎn)，即可得到一

  2023-08-29 標(biāo)簽： 晶體 熱處理 液態(tài)金屬 1524 0

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  什么是硅片工藝

  當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。如果這些晶核長(zhǎng)

  2023-02-13 標(biāo)簽： 單晶硅 單質(zhì)硅 晶粒 3100 0

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