轉變，不少專注GaN器件的Fabless公司正在 有著越來越大的影響力。 ? 器件設計 GaN器件設計根據類型我們可以分為三個部分，分別是：射頻、功率和光電子，這次主要關注的是射頻以及功率方面的應用。 ? ? GaN射頻器件設計 GaN射頻器件主要可以分為三種：大
2022-07-18 01:59:45
4002 射頻（RF）應用的氮化鎵（GaN）電晶體已面世多年，最近業界的重點開發面向為電力電子應用的經濟型高性能GaN功率電晶體。十幾家半導體公司都在積極開發幾種不同的方法，以實現GaN功率場效應電晶體（FET）商業化。
2014-01-10 11:18:539423 
最常見的金屬晶體結構有面心立方結構、體心立方結構和密排立方結構。
2023-11-18 09:20:305455 
基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優勢。GaN-on-Si晶體管的開關速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:113112 
作者: 德州儀器設計工程師謝涌；設計與系統經理Paul Brohlin導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體
2018-08-30 15:28:30
半導體工廠過渡到 6 英寸和 8 英寸電子發燒友圓廠進行生產時，硅上GaN器件就能開始突破制造成本的閾值，并向著由射頻能量聯盟（RF EnergyAlliance, RFEA）所設定的每瓦5 美分
2017-04-05 10:50:35
本帖最后由 刺客508 于 2017-4-18 15:03 編輯
可靠性和成本效益比較長的工作壽命在烹飪和加熱應用中，射頻功率晶體管具有比磁控管長得多的工作壽命。磁控管典型的總工作壽命一般為
2017-04-17 18:19:05
對整體射頻能量系統效率的推薦值為60%。人們普遍認為，GaN器件是能夠實現這一目標的唯一途徑，中國目前正在考慮采用將其作為能源效率的標準，這將是個相當重要的決定，因為中國制造的微波爐已約占世界總產量
2017-04-18 15:02:44
方向、提升了效率，以及具有更小的外形尺寸等優點。除開在烹飪的應用，讓我們一起看看GaN技術的其他應用以及MACOM硅上GaN 技術的獨特優勢吧！其他應用除了烹飪行業之外，固態射頻能量器件也將在工業干燥
2017-05-01 15:47:21
當今射頻能量的最大潛在市場之一是在烹飪和加熱方面的應用?，F在全球每年微波爐的制造產量遠超7000 萬臺，從低成本的消費類產品到高端的專業和工業加熱爐，它的產品類型跨度很廣。射頻功率晶體管在許多性能
2019-07-31 06:04:54
的Jimenez說道，“一種可能是改變氮化鎵的結構。氮化鎵采用的是場效應管（FET）結構，而手機功放則是用異質雙結型晶體管（HBT）結構，HBT結構的效率和線性度更好?！?b class="flag-6" style="color: red">射頻氮化鎵器件可以考慮垂直結構，或者
2016-08-30 16:39:28
晶體按其結構粒子和作用力的不同可分為四類：離子晶體、原子晶體、分子晶體和金屬晶體。固體可分為晶體、非晶體和準晶體三大類。
2019-10-12 10:46:01
（1）晶體與非晶體http://www.gooxian.com/ 自然界中固態物質分為晶體和非晶體兩大類。原子（離子或分子）在空間呈周期性規則排列的固態物質，稱為晶體（見圖2.1（a）），如食鹽、冰
2017-08-25 09:38:11
` 本帖最后由 射頻技術 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術。相關
2018-11-12 10:26:20
MACOM六十多年的技術傳承，運用bipolar、MOSFET和GaN技術，提供標準和定制化的解決方案以滿足客戶最嚴苛的需求。射頻功率晶體管 - 硅基氮化鎵 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。?產品型號：NPA1003QA產品名稱：射頻晶體管NPA1003QA產品特性GaN上硅HEMT D模放大器適合線性和飽和應用20至1500兆赫的寬帶
2018-09-03 12:04:40
化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產品型號：NPT2020產品名稱：射頻晶體管NPT2020產品特性GaN上硅HEMT耗盡型晶體管適合線性和飽和應用從直流3.5 GHz調諧48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
`產品型號：NPTB00025B產品名稱: 射頻功率晶體管NPTB00025B 產品特性針對DC-4000MHz的寬帶運行進行了優化散熱增強的行業標準包裝100％射頻測試具有高達32V的工作電壓
2019-11-01 10:46:19
于液體中，所以可以對固液中的微小質量做精確測量。QCM晶體結構圖如下：QCM晶體通常使用的是AT切割，利用晶體材料的壓電效應，當電極表面上的附加質量增加，振蕩頻率會降低。根據Sauerbrey公式，Δm
2020-05-12 10:45:38
QPD1020射頻功率晶體管產品介紹QPD1020報價QPD1020代理QPD1020咨詢熱線QPD1020現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50歐姆輸入
2018-07-27 11:20:12
晶體學和濕蝕刻的性質? 濕的在基于KOH的化學中，GaN 的化學蝕刻具有高度的各向異性，能夠形成垂直和光滑的多面納米結構。文章全部詳情，請加V獲?。篽lknch / xzl1019? 我們 可以
2021-07-08 13:09:52
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN的晶體濕化學蝕刻[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 目前
2021-07-07 10:24:07
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報告和企業宣傳文檔后你當然會這樣
2019-07-31 07:54:41
方形，通過兩個晶格常數（圖中標記為a 和c）來表征。GaN 晶體結構在半導體領域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質基板（射頻應用中為碳化硅[SiC]，電源電子應用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
（1200°C，2分鐘）對表面的損傷?！ D5. 在Algan/GaN異質結構中，ITO和硅注入區之間形成了良好的歐姆接觸。 圖6. 測得的直流性能，包括（a）帶有ITO源/漏（S/D）和柵電極的GaN晶體管的輸出（b）特性。
2020-11-27 16:30:52
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
和電機控制中。他們的接受度和可信度正在逐漸提高。（請注意，基于GaN的射頻功放或功放也取得了很大的成功，但與GaN器件具有不同的應用場合，超出了本文的范圍。）本文探討了GaN器件的潛力，GaN和MOSFET器件的不同，GaN驅動器件成功的關鍵并介紹了減小柵極驅動環耦合噪聲技術。
2019-06-21 08:27:30
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來到，您將它們放入板中。您打開電源，施加負載，結果……性能并沒有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開關問題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現這種情況？有沒有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
氮化鎵技術非常適合4.5G或5G系統，因為頻率越高，氮化鎵的優勢越明顯。那對于手機來說射頻GaN技術還需解決哪些難題呢？
2019-07-31 06:53:15
，具有（歐姆）漏極和源極接觸，凹陷的p-GaN柵極（歐姆接觸）和連接到漏極的p-GaN“柵極”結構。出于成本原因，晶體管通過MOCVD工藝生長在6英寸硅晶片的頂部。為了減小由Si和GaN的不匹配晶格
2023-02-27 15:53:50
器件擁有超高頻率，并由于橫向結構的模具，EPC7019輻射硬功率晶體管器件具有超低柵電荷。EPC 公司首席執行官兼聯合創始人亞歷克斯 · 利多在評論該產品時指出，基于 GaN 的晶體管為設計人員提供了
2022-06-15 11:43:25
，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實際生產工藝限制，單個器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并聯配置晶體管已成為
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術。未來預估5-10年內GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導體市場需求。。。以下內容均摘自網絡媒體，如果不妥，請聯系站內信進行刪除
2019-04-13 22:28:48
未轉換為射頻輸出功率的直流加載電源將作為熱量耗散（除非晶體管的效率為100%）?！?因此，GaN 晶體管變得非常熱，熱管理成為重要的設計考慮因素。幸運的是，碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC) 能夠
2018-08-04 14:55:07
金屬的晶體結構
2.2 ?金屬的晶體結構
2.2.1 三種典型的金屬晶體結構???面心立方結構A1或 fcc、體心立方結
2009-08-06 14:03:316509 
離子晶體結構
???陶瓷材料屬于無機非金屬材料，是由金屬與非金屬元素通過離子鍵或兼有離子健和共價鍵的方式結合起來的。陶瓷的晶體結構大多屬離子晶體。
2009-08-06 14:11:369063 共價晶體結構??元素周期表中Ⅳ，Ⅴ，Ⅵ族元素、許多無機非金屬材料和聚合物都是共價鍵結合。共價晶體的共同特點是配位數服從8－N法則小為原子的價電
2009-08-06 14:12:546847 聚合物的晶體結構???聚合物聚集態結構分為晶態結構和非晶態（無定形）結構兩種類型，且有兩個不同于低分子物質聚集態的明顯特點：???1）聚合物晶態總是
2009-08-06 14:17:386918 非晶態結構???晶體結構的基本特征是原子在三維空間呈周期性排列，即存在長程有序；而非晶體中的原子排列卻無長程有序的特點。非晶態物質包括玻璃、凝膠、非晶態金
2009-08-06 14:19:292342 日前，高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者RF Micro Devices, Inc.宣布已通過并生產RF3932，這種無與倫比的75瓦特高效率氮化鎵(GaN)射頻
2010-12-01 09:24:301348 光子晶體隨著波長不同，會出現于周期性的結構，可以分別發展出一次元、二次元及三次元的光子晶體。而在這些結構當中，最出名的應該是屬于三次元的光子晶體結構
2011-05-27 10:11:411971 日前，射頻功率技術領先供應商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵（GaN）晶體管，所有產品均超越地面移動市場要求。
2013-06-09 10:18:371842 鈣鈦礦太陽電池結構 晶體結構 鈣鈦礦晶體為ABX3 結構， 一般為立方體或八面體結構。 在鈣鈦礦晶體中， A離子位于立方晶胞的中心， 被12個X離子包圍成配位立方八面體， 配位數為12; B離子位于
2017-09-27 18:38:35
20 GaN是極穩定的化合物，又是堅硬的高熔點材料，熔點約為1700℃，GaN具有高的電離度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大氣壓力下，GaN晶體一般是六方纖鋅礦結構。它在一個元胞中有4個原子，原子體積大約為GaAs的一半。因為其硬度高，又是一種良好的涂層保護材料。
2017-12-19 15:22:230 松下宣布研發出新型MIS結構的Si基GaN功率晶體管，可以連續穩定的工作，柵極電壓高達10V，工作電流在20A，擊穿電壓達到730V。
2018-03-15 09:56:086681 
機器學習算法在很多領域取得了令人矚目的進步，從而廣受人們關注，但它在晶體結構預測方面的應用還有待發展。
2018-07-30 17:06:252615 
近日，日本富士通有限公司和富士通實驗室有限公司宣布，他們在氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）中開發出一種可以增加電流和電壓的晶體結構，有效地將微波頻帶中發射器用晶體管的輸出功率增加三倍。
2018-08-24 15:40:303619 典型的GaN射頻器件的加工工藝主要包括如下環節：外延生長-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場板制作-襯底減薄-襯底通孔等環節。
2018-10-26 17:33:0610616 本文檔的主要內容詳細介紹的是電子電路固體結構的學習課件免費下載包括了：1、晶體學基礎，2、金屬的晶體結構，3、合金相結構 ，4、離子晶體的結構，5、共價晶體的結構，6、聚合物晶態結構，7、非晶態結構
2020-05-08 08:00:001 孫建教授課題組用自行開發的基于機器學習的晶體結構搜索方法和第一性原理計算，對氦和甲烷在高壓下的化合物，以及它們在高溫高壓下的物態進行了系統研究，得到了一系列令人驚奇的理論結果。他們預言，在高壓下，氦和甲烷能形成氦-甲烷比例為 3:1的穩定化合物He3CH4。
2020-06-24 10:27:135436 鎵（Ga） 是一種化學元素，原子序數為31。鎵在自然界中不存在游離態，而是鋅和鋁生產過程中的副產品。 GaN 化合物由鎵原子和氮原子排列構成，最常見的是纖鋅礦晶體結構。纖鋅礦晶體結構（如下圖所示）呈六方形，通過兩個晶格常數（圖中標記為a 和c）來表征。
2020-09-29 10:44:000 德國卡爾斯魯厄理工學院的科學家們正在領導一項新的鋰離子電池陽極的研究。據研究人員稱，這種新發明具有鈣鈦礦晶體結構，可以通過比其他陽極材料更簡單、更廉價的生產方法提供強大的全面性能。
2020-08-02 09:48:181805 GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領導者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46682 幾十年來，科學家們一直在努力識別晶體學數據庫中的原型和重復的結構；并以簡明的方式標記結構，以識別（并能夠通過）結構類型進行搜索。晶體結構如同花花世界的花花相似又花花不同，要在急需時“一日看盡長安
2021-05-08 10:37:212259 
氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙材料，在高功率射頻 (RF) 應用中具有顯著優勢。
2021-07-05 14:46:502779 
如何高效、安全地驅動Rad-Hard E型GaN晶體管
2021-11-29 16:31:421 氮化鎵(GaN)由原子序數31的鎵和原子序數7的氮結合而成，是一種具有堅硬的六角形晶體結構的寬帶隙半導體材料。帶隙是將電子從圍繞原子核的軌道上釋放出來所需的能量
2022-04-11 14:46:595366 研究人員首先表征了NCM88正極材料的晶體結構和微觀形貌。如圖 1A 和 1B所示，NCM88 具有六方層狀 α-NaFeO2 結構9（空間群：R-3m），晶格參數：a = b = 2.87280(6) ?；c = 14.1937(4) ?。
2022-04-24 10:31:303699 ) 和氮化鎵 (GaN)。在這些潛在材料中，GaN 或氮化鎵正變得被廣泛認可和首選。這是因為 GaN 晶體管與材料對應物相比具有多個優勢。
2022-07-29 15:00:301363 晶體結構是通過原子（或離子/分子）組的周期性分布來實現的。理想情況下，考慮到在空間坐標中延伸到無窮大的晶體，周期性轉化為平移不變性（或平移對稱性）。因此，整個晶體是由稱為晶胞的基本單元的周期性重復產生的，該晶胞可以包含原子/離子/分子/電子組，并且是電中性的。
2022-07-29 09:52:455537 
GaN 晶體管是新電源應用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構建任何電力項目。在本教程中，我們將使用 EPC 的 GaN EPC2032 進行實驗。
2022-08-05 08:04:54580 
GaN 晶體管是新電源應用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構建任何電力項目。在本教程中，我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進行實驗。
2022-08-05 08:04:55881 
GaN功率晶體管:器件、技術和可靠性詳解
2022-12-21 16:07:11426 氮化鎵（氮化鎵）是一種半導體材料，是一種用于制造光電子器件的高性能晶體。它的優點是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系統。與硅基解決方案相比，GaN晶體管和集成電路提供了高的電子遷移率
2023-02-13 16:28:173330 GaN：由鎵（原子序數 31） 和氮（原子序數 7） 結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。
2023-03-22 09:58:124734 氧化鋁有許多同質異晶體，例如α-Al2o3、β-Al2o3、γ-Al2o3等，其中以α-Al2o3的穩定性較高，其晶體結構緊密、物理性能與化學性能穩定，具有密度與機械強度較高的優勢，在工業中的應用也較多。
2023-03-30 14:10:221079 到目前為止我們已知的GaN有三種晶體結構，它們分別為纖鋅礦（Wurtzite）、閃鋅礦（Zincblende）和巖鹽礦（Rocksalt）。通常的情況下纖鋅礦是最穩定的結構。目前學術上在薄膜的外延
2023-04-29 16:41:0012104 
Airfast GaN A3G26D055N是一款55W峰值GaN分立晶體管，采用緊湊型DFN 7 x 6.5 mm超模壓塑封。該器件具有優異的輸出，可填充多個頻段，在48 V下運行時，能效提升超過50%，增益超過13 dB。
2023-05-25 10:04:49381 
近日，本源量子研發團隊和復旦大學的張俊良教授團隊合作，利用量子疊加態的并行計算能力設計出新的分子晶體結構預測算法，證明了量子計算可以幫助化學家們用比傳統建模方法更精準的方式，來預測晶體的分子結構
2022-08-03 10:08:38444 
作者提供了一種普遍適用的CSP算法，該算法處理可能原子位置的連續空間，以正確預測不同的結構集。該方法確定了算法之前未知的所有原子位置。所使用的局部極小與整數規劃的耦合使得在離散空間上使用強優化方法探索連續空間以獲得物理能量保證。
2023-07-13 15:47:56490 
晶體結構中質點排列的某種不規則性或不完善性。又稱晶格缺陷。表現為晶體結構中局部范圍內，質點的排布偏離周期性重復的空間格子規律而出現錯亂的現象。根據錯亂排列的展布范圍,分為下列3種主要類型。
2023-07-14 11:42:251613 
無論是在太空還是在地面，這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優勢。
2023-09-28 17:44:221864 
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應晶體管(fet)能夠提供比傳統Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關GaN非常需要HEMT來降低功率并簡化電路和系統架構，這是GaN HEMT技術的主要挑戰之一。凹進的AlGaN/GaN結構是實現常關操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:11291 
晶體的微觀結構，是指晶體中實際質點(原子?離子或分子)的具體排列情況。
2023-11-05 11:29:371759 
近日，中國科學院上海微系統所尤立星、李浩團隊與武愛民團隊合作，利用內嵌2D光子晶體結構實現了極低占空比超導納米線單光子探測器，在保證高吸收效率的同時成倍提高了探測速度。
2023-12-06 09:39:37226 
氮化鎵是一種重要的半導體材料，屬于六方晶系晶體。在過去的幾十年里，氮化鎵作為一種有著廣泛應用前景的材料，受到了廣泛關注和研究。本文將會詳盡地介紹氮化鎵的晶體結構、性質以及應用領域。 首先，我們來介紹
2024-01-10 10:03:21950 氮化鎵是一種化合物，化學式為GaN，由鎵（Ga）和氮（N）兩種元素組成。它是一種化合物晶體，由原子晶體構成。 氮化鎵具有堅硬的晶體結構和優異的物理化學性質，是一種重要的半導體材料。它具有寬帶
2024-01-10 10:23:011049 上電后的起振過程。 首先，我們需要了解石英晶體的結構和性質，以便更好地理解其起振過程。石英晶體是一種由硅和氧原子組成的晶體結構，其常見的形式是六方晶系。這種晶體結構使得石英晶體具有良好的壓電效應，即在應力作
2024-01-26 14:42:58150 和SiC的晶體結構中分析出平，GaN由于其熱特性，包括高熱導率，使其在環境中更好地散熱，而SiC硅碳化物更適用于功率電子學。
2024-03-01 14:29:41341 
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