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文章- 元器件知識

IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組一、核心器件定義 ? IGBT（絕緣柵雙極型晶體管） ? 電力電子領域核心開關器件，通過柵極電壓控制導通狀態： ? 結構特性 ?：融合MOSFET高輸入阻抗與BJT低導通壓降，形成四層半導體復合結構（PNPN排列），支持600V以上高壓場景 ? 功能特性 ?：兼具高頻開關與高電流承載能力，導通功耗僅為傳統器件的1/5~1/10 ? SiC（碳化硅）功率器件 ? 第三代寬禁帶半導體技術的代表： ? 材料優勢 ?：禁帶寬度達3.3eV（硅的3倍）