電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:58:12
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:53:030 該內(nèi)存速度高達(dá)5600MT/s，并可同時兼容5200和4800 MT/s。據(jù)詳情頁介紹，其工作電壓僅為1.1V，相較于DDR4 3200內(nèi)存，性能提升幅度為1.5倍，且將于本月底開始出貨。
2024-03-13 11:43:05
91 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:24:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 10:16:450 DDR5內(nèi)存相對于DDR4有更高的內(nèi)部時鐘速度和數(shù)據(jù)傳輸速率，從而提供更高的帶寬。DDR5的傳輸速率可以達(dá)到6400MT/s以上，比DDR4的最高傳輸速率提高了一倍以上。
2024-03-12 11:23:34118 DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù)，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù)，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052850 使用SC584外擴(kuò)DDR3，no_boot啟動模式，開發(fā)環(huán)境CCES-2.2.0版本，在線調(diào)試過程，程序可正常下載，但是在A5預(yù)加載過程中會出現(xiàn)SYS_FAULT拉高現(xiàn)象，經(jīng)實際匯編單步調(diào)試發(fā)現(xiàn)
2024-01-12 08:11:46
在最為重要的內(nèi)存顆粒上，根據(jù)軟件檢測，這款內(nèi)存采用了編號為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒，與市面上大部分DDR5 7600、DDR5 8000等高速率內(nèi)存使用的顆粒相同，這也意味著該內(nèi)存可能具備優(yōu)秀的超頻潛力。
2024-01-02 14:37:01192 
在DDR4年代，芝奇與阿斯加特成功完成逆襲，從原先的落落無名轉(zhuǎn)變?yōu)槿缃袷艿綇V大DIY玩家追捧的內(nèi)存廠商。
2023-12-29 10:41:00247 
時鐘頻率：可通過倍頻技術(shù)升級的核心頻率。時鐘頻率可以理解為IO Buffer的實際工作頻率，DDR2中時鐘頻率為核心頻率的2倍，DDR3 DDR4中時鐘頻率為核心頻率的4倍。
2023-12-25 18:18:471188 
）
DDR3內(nèi)存條，240引腳（120針對每側(cè)）
DDR4內(nèi)存條，288引腳（144針對每側(cè)）
DDR5內(nèi)存條，288引腳（144針對每側(cè)）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數(shù)據(jù)線的分組
2023-12-25 14:02:58
）
DDR3內(nèi)存條，240引腳（120針對每側(cè)）
DDR4內(nèi)存條，288引腳（144針對每側(cè)）
DDR5內(nèi)存條，288引腳（144針對每側(cè)）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數(shù)據(jù)線的分組
2023-12-25 13:58:55
追風(fēng)A60采用新一代DDR5內(nèi)存規(guī)格，相較DDR4，性能提升接近1倍。高配6000MHz頻率實現(xiàn)DDR4 3200MHz的1.6倍傳輸速度和1.9倍傳輸帶寬，讓用戶在使用臺電內(nèi)存條時獲得更快速、更流暢的電腦體驗。
2023-12-05 15:52:49405 
為滿足對高效內(nèi)存性能日益增長的需求，DDR5相比其前身DDR4實現(xiàn)了性能的大幅提升，具體為傳輸速度更快、能耗更低、穩(wěn)定性提高、內(nèi)存密度更大和存取效率提高等。
2023-12-05 10:50:40211 
法人方面解釋說：“標(biāo)準(zhǔn)型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國企業(yè)主導(dǎo)，因此，中臺灣企業(yè)在半導(dǎo)體制造方面無法與之抗衡?！痹?b class="flag-6" style="color: red">ddr3 ddr3的情況下，臺灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強(qiáng)勢。ddr3的價格也隨之上漲，給臺灣半導(dǎo)體企業(yè)帶來了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003885 DDR3是2007年推出的，預(yù)計2022年DDR3的市場份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56516 
摘要：本文將對DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088 我們在買DDR內(nèi)存條的時候，經(jīng)常會看到這樣的標(biāo)簽DDR3-1066、DDR3-2400等，這些名稱都有什么含義嗎？請看下表。
2023-09-26 11:35:331922 
時，就需要外擴(kuò)DDR SRAM二級存儲來滿足需求。
本期的主角盤古PGL50H FPGA就貼心的在核心板上，為我們配備了兩片DDR3的芯片，來完成二級存儲的需求。
兩片DDR3組成32bit的總線數(shù)據(jù)
2023-09-21 23:37:30
相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡，這樣的設(shè)計可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441478 
以MT41J128M型號為舉例：128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個8bit的DDR3，每個bank的大小為16Mbit，一共有8個bank。
2023-09-15 15:30:09629 
DDR3帶寬計算之前，先弄清楚以下內(nèi)存指標(biāo)。
2023-09-15 14:49:462497 
一看到DDR,聯(lián)想到的就是高速，一涉及到高速板有些人就比較茫然。高速板主要考慮兩個問題點,當(dāng)然其它3W，2H是基本點。
2023-09-15 11:42:37757 
在全默認(rèn)設(shè)置的情況下，影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800，延遲設(shè)定為40-40-40-76，因此在這個設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出，與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。
2023-09-15 10:40:42750 
內(nèi)置校準(zhǔn): DDR3和DDR4控制器通常具有內(nèi)置的校準(zhǔn)機(jī)制，如ODT (On-Die Termination)、ZQ校準(zhǔn)和DLL (Delay Locked Loop)。這些機(jī)制可以自動調(diào)整驅(qū)動和接收電路的特性，以優(yōu)化信號完整性和時序。
2023-09-11 09:14:34420 本文介紹一個FPGA開源項目：DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對FPGA DDR3實現(xiàn)讀寫操作。
2023-09-01 16:23:19741 
本文開源一個FPGA項目：基于AXI總線的DDR3讀寫。之前的一篇文章介紹了DDR3簡單用戶接口的讀寫方式：《DDR3讀寫測試》，如果在某些項目中，我們需要把DDR掛載到AXI總線上，那就要通過MIG IP核提供的AXI接口來讀寫DDR。
2023-09-01 16:20:371887 
的內(nèi)存速度和更低的功耗。 LPDDR4和LPDDR4X的主要區(qū)別在于功耗上的優(yōu)化。 LPDDR4內(nèi)存 LPDDR4內(nèi)存是一種第四代低功耗DDR內(nèi)存，是DDR4和DDR3的改進(jìn)版本。該內(nèi)存的最大優(yōu)點是速度
2023-08-21 17:16:445949 MCU200T的DDR3在官方給的如下圖兩份文件中都沒有詳細(xì)的介紹。
在introduction文件中只有簡略的如下圖的一句話的介紹
在schematic文件中也沒有明確表明每個接口的具體信息
2023-08-17 07:37:34
在配置DDR200T的DDR3時，一些關(guān)鍵參數(shù)的選擇在手冊中并沒有給出，以及.ucf引腳約束文件也沒有提供，請問這些信息應(yīng)該從哪里得到？
2023-08-16 07:02:57
復(fù)制Vivado工程路徑vivado_prj\at7.srcs\sources_1\ip\mig_7series_0下的mig_7series_0文件夾。粘貼到仿真路徑testbench\tb_ddr3_cache（新建用于DDR3仿真的文件夾）下。
2023-08-12 11:08:27735 PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512794 xilinx平臺DDR3設(shè)計教程之設(shè)計篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58
以下內(nèi)存設(shè)備：
?雙倍數(shù)據(jù)速率3（DDR3）SDRAM。
?低壓DDR3 SDRAM。
?雙倍數(shù)據(jù)速率4（DDR4）SDRAM。
2023-08-02 11:55:49
DDR是運行內(nèi)存芯片，其運行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061877 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費下載
2023-07-24 09:50:470 DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國臺灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103362 
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2023-07-12 09:41:480 DDR3的速度較高，如果控制芯片封裝較大，則不同pin腳對應(yīng)的時延差異較大，必須進(jìn)行pin delay時序補(bǔ)償。
2023-07-04 09:25:38312 
本設(shè)計筆記顯示了用于工作站和服務(wù)器的高速內(nèi)存系統(tǒng)的雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 同步 DRAM （SDRAM）。使用MAX1864 xDSL/電纜調(diào)制解調(diào)器電源，電路產(chǎn)生等于并跟蹤VREF的終止電壓（VTT）。
2023-06-26 10:34:36549 
1.DDR3 IP簡單讀寫測試實驗例程
1.1** 實驗?zāi)康?*
MES22GP 開發(fā)板上有一片 Micron 的 DDR3（MT41K256M16 TW107：P）內(nèi)存組件，擁有 16bit 位寬
2023-06-25 17:10:00
視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構(gòu)選擇。視頻處理和圖形生成需要存儲海量數(shù)據(jù)，F(xiàn)PGA內(nèi)部的存儲資源無法滿足存儲需求，因此需要配置外部存儲器。 ??? 與DDR2 SDRAM相比，DDR3 SDRAM帶寬更好高、傳輸速率更快且更省電，能夠滿足吞吐量大、功耗低的需求，因此
2023-06-08 03:35:011024 和 DQS Gate Training
?DDR3 最快速率達(dá) 800 Mbps
三、實驗設(shè)計
a. 安裝 DDR3 IP 核
PDS 安裝后，需手動添加 DDR3 IP，請按以下步驟完成：
（1
2023-05-31 17:45:39
我正在使用帶有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 連接到 T1040 處理器 DDR 控制器。
我嘗試了這個序列，但未能成功生成 DDR 地址奇偶校驗錯誤：
步驟1：
ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03
1 – DDR3 SDRAM JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD79-3F 狀態(tài)圖和圖 2 – DDR4 SDRAM JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD79-4 狀態(tài)圖所示。
2023-05-26 18:02:27995 
S32G3開發(fā)板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B
但是我們的開發(fā)板使用的是三星的芯片（K4FBE3D4HM THCL）。
如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片？。以及如何支持新的DDR芯片？
2023-05-23 07:15:48
Write Leveling 和 DQS Gate Training
?DDR3 最快速率達(dá) 800 Mbps
三、實驗設(shè)計
a. 安裝 DDR3 IP 核
PDS 安裝后，需手動添加 DDR3 IP，請按
2023-05-19 14:28:45
你好 ：
專家，我們想使用S32R45和DDR3，你能幫我在哪里找到示例項目或用例嗎？
2023-05-17 08:13:46
DDR4內(nèi)存模塊支持單個64位通道(如果考慮ECC，則為72位通道)。相比之下，DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個獨立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:441330 內(nèi)存是數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器以及個人計算機(jī)等技術(shù)發(fā)展的重要組成。目前內(nèi)存的發(fā)展是由DDR技術(shù)路線引導(dǎo)，TE Connectivity(以下簡稱“TE”)經(jīng)歷了DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的迭代
2023-05-06 17:33:421392 
在 i.MX6 SOLO 中有沒有辦法讀取芯片 DDR3 的大??？
2023-05-06 07:04:11
ls1046a ddr 內(nèi)存 8G 升級到 16G 硬件和軟件需要哪些改動 ..?
2023-04-10 06:21:57
DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場，直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺有點跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對比。
2023-04-04 17:08:472867 
我們使用 10*MT40A1G16 獲得 16GB 內(nèi)存，一個 ddr 控制器連接 8GB。三個問題：1)在codewarrior ddr config上，我們應(yīng)該選擇什么dram類型？NoDimm
2023-04-03 07:24:21
SITE LICENSE DDR3 SDRAM ECP3
2023-03-30 12:01:46
IP CORE DDR3 SDRAM CTLR ECP3
2023-03-30 12:01:16
我一直在研究 BL2 上的 DDR 驅(qū)動程序，并注意到 *** 設(shè)置了對內(nèi)存區(qū)域的訪問，在研究 CW 腳本時也是如此。是否需要初始化 *** 才能訪問 DDR 內(nèi)存？我知道它不需要 MMU，但它與 TZ 一樣嗎？
2023-03-27 07:13:46
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