固態(tài)繼電器是無觸點開關，由輸入電路，隔離（耦合）和輸出電路三部分組成。輸入端用微小的控制信號驅動大電流負載。固態(tài)繼電器具有接觸器同樣的功能，其優(yōu)點是輸入功率小、靈敏度高、噪聲低。使用固態(tài)繼電器的模溫機適用范圍更廣泛，也更安全。著名的固態(tài)繼電器品牌有美國快達（Crydom）、歐姆龍。?

可控硅和固態(tài)繼電器的區(qū)別是什么？

問的很簡練，且看似簡單。而答的有三兩句，有長篇大論甚至還用了兩貼才算了事，可謂五花八門呀。一句問，成百句答。答清楚了嗎？到底可控硅和固態(tài)繼電器的區(qū)別是什么？

可控硅可以是單向的，也可以是雙向的，可以過零觸發(fā)也可以移相觸發(fā)，固態(tài)繼電器同樣是如此的。 所以，他們的用途、形式都是一樣類型產(chǎn)品，從這一點上（使用的形式、性質角度）沒有區(qū)別，因為固態(tài)繼電器也是可控硅做的（三極管的固態(tài)繼電器除外）。

那么他們的區(qū)別到底在那呢？總不會一個東西，兩個名字吧？他們的區(qū)別就在于，可控硅就是可控硅，固態(tài)繼電器則是可控硅+同步觸發(fā)驅動。

固態(tài)繼電器只是相當于一個開關，不能調節(jié)電流?？煽毓枘芸刂破鋵ń?，能調節(jié)電流的大小。???

固態(tài)繼電器其實也是以可控硅為主要部件而制作的，所不同的是，固態(tài)繼電器動作電壓與控制電壓通過內部電路例如光耦進行分離的，如果你覺的好奇的話我建議你拆一個固態(tài)繼電器看看內部，如果你稍懂是電路知識，你完全可以按照里面的電路進行自制一個，呵呵！其實也不是難事，只不過少了一個漂亮的外殼罷了！???

可控硅可以是單向的，也可以是雙向的，可以過零觸發(fā)也可以移相觸發(fā)，固態(tài)繼電器同樣是如此的。所以，他們的用途、形式都有一樣類型產(chǎn)品，從這一點上（使用的形式、性質角度）沒有區(qū)別，因為固態(tài)繼電器也是可控硅做的（三極管的固態(tài)繼電器除外）。

那么他們的區(qū)別到底在那呢？總不會一個東西，兩個名字吧？他們的區(qū)別就在于，可控硅就是可控硅，固態(tài)繼電器則是可控硅+同步觸發(fā)驅動。這就是區(qū)別。

現(xiàn)在有一種叫“智能化可控硅模塊”，他把可控硅元件、同步觸發(fā)驅動做在一個模塊里了，這種可控硅與固態(tài)繼電器已經(jīng)無法區(qū)分了。當然，從形狀上可以區(qū)分。

可控硅的工作原理及基本特性??

1、工作原理???

可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如圖1所示????

當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發(fā)信號，BG2便有基流ib2流過，經(jīng)BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流?ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結果，兩個管子的電流劇增，可控硅使飽和導通。???

由于BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控硅導通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用，沒有關斷功能，所以這種可控硅是不可關斷的。???

由于可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化。?????

狀態(tài)?條件?說明??

從關斷到導通?

1、陽極電位高于是陰極電位??

2、控制極有足夠的正向電壓和電流??

兩者缺一不可??

維持導通?1、陽極電位高于陰極電位??2、陽極電流大于維持電流??兩者缺一不可??

從導通到關斷?1、陽極電位低于陰極電位??2、陽極電流小于維持電流??任一條件即可???

2、基本伏安特性???

（1）反向特性???

當控制極開路，陽極加上反向電壓時，J2結正偏，但J1、J2結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流，當電壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿電壓后，接差J3結也擊穿，電流迅速增加，圖3的特性開始彎曲，如特性OR段所示，彎曲處的電壓URO叫“反向轉折電壓”。此時，可控硅會發(fā)生永久性反向擊穿。?????

（2）正向特性???

當控制極開路，陽極上加上正向電壓時，J1、J3結正偏，但J2結反偏，這與普通PN結的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態(tài)，當電壓增加，圖3的特性發(fā)生了彎曲，如特性OA段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉折電壓????

由于電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓后，J2結發(fā)生雪崩倍增效應，在結區(qū)產(chǎn)生大量的電子和空穴，電子時入N1區(qū)，空穴時入P2區(qū)。進入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過J1結注入N1區(qū)的空穴復合，同樣，進入P2區(qū)的空穴與由N2區(qū)通過J3結注入P2區(qū)的電子復合，雪崩擊穿，進入N1區(qū)的電子與進入P2區(qū)的空穴各自不能全部復合掉，這樣，在N1區(qū)就有電子積累，在P2區(qū)就有空穴積累，結果使P2區(qū)的電位升高，N1區(qū)的電位下降，J2結變成正偏，只要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現(xiàn)所謂負阻特性。???

這時J1、J2、J3三個結均處于正偏，可控硅便進入正向導電狀態(tài)---通態(tài)，此時，它的特性與普通的PN結正向特性相似，。??

3、觸發(fā)導通???

在控制極G上加入正向電壓時（見圖5）因J3正偏，P2區(qū)的空穴時入N2區(qū)，N2區(qū)的電子進入P2區(qū)，形成觸發(fā)電流IGT。在可控硅的內部正反饋作用（見圖2）的基礎上，加上IGT的作用，使可控硅提前導通，導致圖3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。?