?????? 目前市場上的手機數碼相機大多是選用30萬像素VGA格式的CMOS鏡頭，100萬至200萬像素的CMOS鏡頭選用已經成為當前手機設計的主流。為了給手機數碼相機拍照時補光，閃光燈也就成了手機的必需品。

　　閃光燈是拍照的輔助工具，它是攝影光源的一種，當拍照時，周圍環境的自然光源(日光)或人工光源(燈光等)不足的時候，閃光燈就成了彌補這一不足的機動光源。各種相機內置或外加的萬次閃光燈，最通用的都是通過振蕩電路和變壓器升壓，經大電容器儲存能量，在需要的瞬間釋放并感應出高壓，激發惰性氣體發出脈沖光源，從而獲得極強的瞬時功率。

　　以高亮度LED為閃光燈源的低壓閃光燈的出現，給傳統的閃光燈帶來一個革命性的變化。低壓閃光燈不需要振蕩電路、不需要升壓變壓器和儲能大電容器，Flash LED只需要3.5—4.5V的直流電壓、120-250mA的電流就可使其發出2000mcd—7500mcd的高亮度光線，照亮需要輔助光的被攝主體。LED低壓閃光燈電路簡單、高效、省電、低成本、占PCB面積特小，特別適用于手機、數碼相機和手持設備，因此將贏得整個手持影像產品市場的青睞。

　　Flash LED的選用

　　LED閃光燈的選用第一要點就是高亮度和能通過大電流， LED發光的亮度與通過電流成正比。用在手機鍵盤的LED，其使用電流大約是7-12mA，其亮度大約是20-40mcd;用在STN-LCD屏背光的LED ，其使用電流大約是14-20mA，其亮度大約是100-1000mcd;而用作閃光燈的LED，其使用電流大約是120-250mA，其亮度大約是2000-7500mcd;由此可見，手機上不同用途的LED，其性能也是完全不同的。

　　閃光燈用Flash LED選用的主要技術參數是：

　　1) 亮度(Iv)，目前產品能達到最高亮度大約是7500mcd ;

　　2) 脈沖峰值電流(IFP)，一般要求100-400 mA ;

　　3) 封裝，當然是越小越好，一般是5.2X5.2X2.5mm。

　　隨著LED技術的突飛猛進，用作閃光燈的Flash LED 技術參數提高很快，早期的Flash LED為了提高其亮度是在一個芯片封裝中放入5顆管芯，隨著單顆管芯亮度的不斷提高，分別出現4顆、3顆，乃至2顆管芯。

　　實現白光的LED是基于氮化鎵(GaN)藍光LED技術，LED閃光燈目前都是一顆LED閃光燈安裝幾個藍色LED管芯加上黃磷濾色鏡的結構原理來發出白光的，這也是最經濟實用的方案;用一顆RGB(紅綠藍)三色管芯LED也是可以合成白光，但一顆RGB LED比一顆LED閃光燈價格貴，紅綠藍三色要分別調控亮度才能合成白光，使用成本較高，只有在需要調節閃光色溫和多彩的高級方案中才選用。

　　LED閃光燈內幾顆LED管芯并聯使用，所以需要較大的工作電流。

　　LED閃光燈都帶反光罩和透鏡，因此在幾米的距離內能提供均衡的光線。

　　Flash LED的主要技術參數是亮度(IV)、視角(θ)、前向電壓(VF)、前向電流(IF)、功耗(Pd)、峰值電流(IFP)、管芯數量和外形尺寸。表1是常用Flash LED性能表。

　　Flash LED的亮度(IV)與通過的峰值電流(IFP)成正比。

　　表1 常用Flash LED性能表