理論分析
實驗與分析
實驗工作包括：
1.大數量，多品種地測量了硅高頻中小功率晶體管在不同溫度下IC·IB與VBB的關系曲線。
2.求出了ΔEg和你值。
3.測定了發射去的基區少數載流子遷移率的溫度關系。
4.研究了版圖，摻雜濃度hfe溫度特性的影響
實驗中采用了精度高、溫度分布均勻的恒溫裝置，在4 小時內溫度波動小于士0.5C。為盡量減小晶體管功耗造成的自升溫的影響，測試過程中保持VCB 為0伏。
理論分析 - 雙極型晶體管電流增益溫度特性的研究
2017年11月29日 15:25 網絡整理 作者： 用戶評論（0）
- 第 1 頁：雙極型晶體管電流增益溫度特性的研究
- 第 2 頁：理論分析
- 第 3 頁：實驗結果
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( 發表人：李倩 )