2014年11月4日 – 推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）推出新類的電荷耦合器件（CCD）圖像傳感器技術，為工業市場的微光成像樹立新的基準。

　　這新技術結合安森美半導體領先業界的行間轉移（Interline Transfer， IT） CCD像素設計及新開發的電子倍增（Electron Multiplication， EM）輸出結構，使圖像傳感器方案能夠提供亞電子（sub-electron）噪聲性能及CCD級圖像品質和均勻性，用于極微光成像。KAE-02150是首款采用新技術的圖像傳感器，能在日光到星光、高光到背光等差異很大的光照條件下捕獲1080p（1920 x 1080）視頻，因而大幅拓展單攝像頭成像系統的成像能力。這在極缺乏光照的應用中尤為有用，如監控、防衛/軍事、科學及醫療成像、智能交通系統。

　　安森美半導體圖像傳感器業務部副總裁Chris McNiffe說：“KAE-02150圖像傳感器是我們首款充分利用新的行間轉移EMCCD技術的器件，為業界提供了一款革命性的方案。CCD器件的優異圖像品質及均勻性擴展至極微光條件，使工業市場的客戶能在最有難度成像條件下獲得全新的性能水平。這明顯展示了安森美半導體獨一無二的能力，能充分利用公司不斷擴增的成像技術，為客戶提供最先進的成像方案。”

　　KAE-02150采用創新的輸出電路設計，用于同一圖像內以逐一像素為基礎利用傳統CCD（低增益）或EMCCD（高增益）輸出，支持高動態范圍（HDR）成像。各個單獨像素的電荷被測量，信號電平與拍照系統中用戶可選擇的閾值比較，以確定各個電荷包（packet）的路由位置。場景中極微光照區域的像素可以選擇性地路由至EMCCD輸出，而圖像中明亮區域的像素（通常可能會使EMCCD寄存器飽和及使圖像失真），會路由至傳統CCD輸出放大器。有了這種場景內可切換增益特性，兩種輸出的信號因而可以重新組合，使單個攝像頭能夠恰當地在暗視場中呈現明亮的區域，能夠提供變化光照條件下的動態補償，如前照燈進入或離開微光的場景。

　　新的KAE系列器件基于TRUESENSE 5.5微米IT-CCD平臺已證明行之有效的性能。這IT-CCD平臺帶有全局快門、優異圖像均勻性、高調制傳遞函數（MTF），用于當今100萬像素至2，900萬像素的寬廣陣容器件。KAE系列將會擴充，加入額外的光學格式、分辨率及像素大小。

　　KAE-02150現已提供樣品，具備單色及拜耳色彩配置。2014年底前還將提供包含硬件及軟件的評估套件，使客戶能夠針對他們特定應用鑒定這新器件的性能。

　　VISION Trade Fair

　　KAE-02150圖像傳感器將于2014年11月4日至6日在德國斯圖加特2014 VISION展覽會上的安森美半導體展位（1C82）上展示。

　　關于安森美半導體

　　安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）致力于推動高能效電子的創新，使客戶能夠減少全球的能源使用。公司全面的高能效電源和信號管理、邏輯、分立及定制方案陣容，幫助設計工程師解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業、LED照明、醫療、軍事/航空及電源應用的獨特設計挑戰。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質項目，及在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業務網絡。