SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新，包括鍵合式功率模塊的金屬鍵合線長度、寬度和并聯(lián)
2023-01-07 10:24:37
1062 在不同工作頻率下的損耗進行了理論計算、PLECS仿真和試驗驗證對比分析。PLECS仿真和試驗驗證的結(jié)果不僅證明了估算公式的正確性，還直觀的體現(xiàn)了SiC和IGBT兩類模塊在不同開關(guān)頻率下工作的熱損耗趨勢。從文中可以看出，使用SiC替 代IGBT可以顯著地提高變換器的工作頻率和功率密度。
2023-12-14 09:37:05472 
SiC MOSFET模塊目前廣泛運用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風(fēng)電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域[2-9] ，展示了新技術(shù)的優(yōu)良特性。
2024-02-19 16:29:22206 
為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 
移動電源市場，據(jù)不完全統(tǒng)計，目前國內(nèi)移動電源的生產(chǎn)商已超過5000家。下面，筆者會針對目前移動電源的市場環(huán)境作出分析，盤點2016年移動電源市場5大演進趨勢。趨勢一快速充電普及：快充技術(shù) 百花齊放雖然
2016-12-29 17:34:39
4G的技術(shù)演進道路及趨勢報告從現(xiàn)有技術(shù)考慮，4G有三條可能的技術(shù)演進軌跡，但最終的趨勢將是不同的無線通信技術(shù)在NGN架構(gòu)下融合、共存，形成多層次的無線網(wǎng)絡(luò)環(huán)境。2006年，在業(yè)界還在為3G牌照的歸屬猜測議論之時，4G已經(jīng)“潤物細無聲”的走入人們的視野。[hide][/hide]
2009-12-18 16:40:24
éveloppement2016年報告，展示了SiC模塊開發(fā)活動的現(xiàn)狀。我們相信在分立封裝中SiC MOSFET的許多亮點仍然存在，因為控制和電源電路的最佳布局實踐可以輕松地將分立解決方案的適用性擴展到數(shù)十
2023-02-27 13:48:12
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些優(yōu)異的設(shè)計？SiC46x的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動的“其1”介紹柵極驅(qū)動的評估事項，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動的評估事項：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
不具備足夠的堅固性。當(dāng)前對大功率、高溫器件封裝技術(shù)的大量需求引起了對這一領(lǐng)域的研發(fā)熱潮。 SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層，且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù)，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上
2018-09-11 16:12:04
更好的散熱方式等，這些要求對未來封裝技術(shù)的發(fā)展指出了方向。傳統(tǒng)硅基模塊的封裝技術(shù)在SiC模塊中應(yīng)用存在諸多問題，隨著基于SiC等寬禁帶半導(dǎo)體材料的模塊在市場中占比的提升，未來新型的封裝技術(shù)將重點聚焦降低模塊的寄生電感和提升模塊的高溫可靠性這兩個問題。原作者：電子與封裝 杜澤晨
2023-02-27 14:22:06
在未來幾年投入使用SiC技術(shù)來應(yīng)對汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達到的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項目提供資金支持，實現(xiàn)具有重大經(jīng)濟和社會影響的優(yōu)勢互補的研發(fā)活動。
2019-07-30 06:18:11
未來PLC的發(fā)展趨勢將會如何？基于PLC的運動控制器有哪些應(yīng)用？
2021-07-05 07:44:22
`①未來發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)成本的比重也在逐步提升，已達到6-7成左右，光模塊的升級勢必要跟隨數(shù)據(jù)中心的發(fā)展共同演進。數(shù)據(jù)中心未來發(fā)展的四個假設(shè)高性能計算自從高性能計算(HPC)成為開放云服務(wù)以來，人人可以訪問
2020-08-07 10:27:49
`未來觸控產(chǎn)品發(fā)展趨勢之一：高度集成性帶來低成本顯示驅(qū)動器IC與觸控功能加以集成、整合的解決方案將是未來的發(fā)展方向。由于智能手機向中低端市場延伸，從市場形態(tài)看，觸控產(chǎn)業(yè)也展現(xiàn)出低成本化的特征
2019-01-07 16:49:17
`未來觸控產(chǎn)品發(fā)展趨勢之三：整體解決方案成關(guān)鍵企業(yè)用戶對觸控產(chǎn)品的需求往往是客制化的，因此觸控廠商均致力擬制整體解決方案。受產(chǎn)品智能化與低成本化影響，觸控市場又表現(xiàn)出第三個發(fā)展趨勢——整體解決方案
2019-01-08 16:28:56
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
) MOSFET功率模塊的極低電感封裝 這款全新封裝專為用于公司SP6LI 產(chǎn)品系列 而開發(fā)，經(jīng)設(shè)計提供適用于SiC MOSFET技術(shù)的2.9 nH雜散電感，同時實現(xiàn)高電流、高開關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國
2018-10-23 16:22:24
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
一起來漲姿勢，如題，分享一張頻率控制技術(shù)演進的圖（圖片來源：世強先進），了解下電子產(chǎn)品心臟的技術(shù)發(fā)展過程。貌似CMEMS可編程振蕩器有替代石英振蕩器的趨勢，作為一個新出現(xiàn)的技術(shù)，想問問壇友們，對CMEMS技術(shù)如何看？
2014-03-28 18:57:00
°C 時典型值的兩倍。采用正確封裝時，SiC MOSFET 可獲得 200°C 甚至更高的額定溫度。SiC MOSFET 的超高工作溫度也簡化了熱管理，從而減小了印刷電路板的外形尺寸，并提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性
2017-12-18 13:58:36
Tesla的SiC MOSFET只用在主驅(qū)逆變器電力模塊上，共24顆，拆開封裝每顆有2個SiC裸晶(Die)所以共48顆SiC MOSFET。除此之外，其他包括OBC、一輛車附2個一般充電器、快充電樁等，都可以放上SiC，只是SiC久缺而未快速導(dǎo)入。不過，市場估算，循續(xù)漸進采用SiC后，平均2輛Te.
2021-09-15 07:42:00
云計算的未來趨勢是什么？新手怎么入門云計算
2019-06-19 10:35:07
都將按照自身的規(guī)律不斷發(fā)展下去。封裝中系統(tǒng)(SiP)是近年來半導(dǎo)體封裝的重要趨勢，代表著未來的發(fā)展方向。封裝中系統(tǒng)在一個封裝中集成多個形式各異、相對獨立義緊密相連的模塊以實現(xiàn)完整強大的功能，具有較短
2018-11-23 17:03:35
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和優(yōu)化了散熱設(shè)計的新封裝，成功提高了額定電流。另外，與普通的同等額定電流的IGBT＋FRD模塊相比，開關(guān)損耗降低了75%（芯片溫度150℃時）。不僅如此，利用SiC功率元器件的優(yōu)勢–高頻驅(qū)動，不僅
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
單片機與物聯(lián)網(wǎng)的聯(lián)系,未來單片機將有怎么樣的發(fā)展趨勢？
2020-07-24 08:03:13
請教一下各位老師，各個移動通信公司對于4G和5G的頻率分配是否還會有變化，未來趨勢會穩(wěn)定嗎，我是移動號碼，為了顧及通信質(zhì)量，需要考慮手機的頻段優(yōu)勢再來選擇手機型號。謝謝了！
2023-01-25 14:01:22
本帖最后由 OpenHarmony開發(fā)者 于 2023-8-22 16:56 編輯
本文轉(zhuǎn)載自 OpenHarmony TSC 官方《峰會回顧第7期 | 視窗繪制技術(shù)演進和新趨勢》
演講嘉賓
2023-08-22 16:33:14
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
無面板測試儀器將成為未來發(fā)展的趨勢
2021-05-10 06:04:32
應(yīng)用看，未來非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到，一旦國內(nèi)品牌誰先成功掌握這種技術(shù)，那它就會呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
靈動微對于未來MCU發(fā)展趨勢看法
2020-12-23 06:50:51
最近兩年，不知道是不是受疫情的影響，好像每個人都在聊物聯(lián)網(wǎng)，聊無接觸，聊各個行業(yè)的物聯(lián)網(wǎng)解決方案，聊物聯(lián)網(wǎng)硬件，它的未來趨勢到底怎么樣，會更傾向于哪個方面
2021-08-21 09:58:20
最近兩年，不知道是不是受疫情的影響，好像每個人都在聊物聯(lián)網(wǎng)，聊無接觸，聊各個行業(yè)的物聯(lián)網(wǎng)解決方案，聊物聯(lián)網(wǎng)硬件，它的未來趨勢到底怎么樣，會更傾向于哪個方面
2021-08-24 09:57:27
電池供電的未來發(fā)展趨勢如何
2021-03-11 07:07:27
電源模塊的未來發(fā)展趨勢如何
2021-03-11 06:32:42
石英振蕩器與其它電子零件同樣朝著輕薄短小演進，已經(jīng)開始朝向小型化方向來發(fā)展，具體包括：行動電話使用的溫度補償型石英振蕩器或石英晶體，以及數(shù)位相機、筆記型電腦使用的石英晶體、 鐘表型石英振蕩器
2013-12-06 16:15:38
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
藍牙技術(shù)未來的發(fā)展趨勢，在APTX后還會有怎么樣的技術(shù)革新
2019-03-29 15:56:11
的虛擬儀表版，網(wǎng)上搜了下相關(guān)圖片，確實很很帥。虛擬儀表盤是未來的趨勢么？大家怎么看？（PS：不過，搜到的最后那張圖片還是傳統(tǒng)是儀表哦——最便宜的都要2500萬RMB的布加迪威航！其實也很帥，呵呵，看看
2014-09-25 09:43:06
蜂窩手機音頻架構(gòu)的未來發(fā)展趨勢是什么
2021-06-08 06:31:58
在未來幾年投入使用SiC技術(shù)來應(yīng)對汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU的WInSiC4AP專案所要達成的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI攜手為該專案提供資金支援，實現(xiàn)具有重大經(jīng)濟和社會影響的優(yōu)勢互補
2019-06-27 04:20:26
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
Qorvo SiC E1B模塊Qorvo SiC E1B模塊采用獨特的共源共柵電路，常開SiC JFET與Si MOSFET共同封裝，形成常關(guān)SiC FET。Qorvo SiC E1B具有類硅柵
2024-02-26 14:00:25
本文詳細介紹了光收發(fā)模塊的封裝技術(shù)及其發(fā)展趨勢。
2017-11-06 10:51:56
58 放眼未來感測技術(shù)趨勢，無論是物聯(lián)網(wǎng)或穿戴式裝置，未來感測組件仍有幾個共通趨勢，首先是系統(tǒng)多軸化，感測系統(tǒng)朝向多軸化發(fā)展，是感測應(yīng)用市場的重要趨勢，事實上，感測系統(tǒng)的多軸化腳步，一直沒有停止過，從早
2018-04-19 11:23:00861 羅姆在全球率先實現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 本篇文章來自CMPE2018東莞手機展會上，聯(lián)想施總監(jiān)的主題分享：“智能終端技術(shù)演進與未來材質(zhì)趨勢”，從歷史的角度瀏覽一下近20年智能終端技術(shù)的發(fā)展歷程；未來趨勢的發(fā)展經(jīng)會給哪些材質(zhì)帶來新的挑戰(zhàn)。
2019-01-01 09:28:008911 中國移動研究院副院長黃宇紅表示：“5G與人工智能技術(shù)的深度結(jié)合并構(gòu)建開放智慧網(wǎng)絡(luò)已經(jīng)逐漸成為業(yè)界認可的未來無線網(wǎng)絡(luò)演進趨勢。
2019-02-27 09:38:401881 在2016年深圳舉辦的亞太電磁兼容（EMC）會議上，大會報告《干擾技術(shù)：輻射的未來》基于技術(shù)工藝的演進、革新和突破，闡述了電磁兼容領(lǐng)域多方面的發(fā)展趨勢。
2020-07-10 17:34:082816 
在IEEE WCNC2021（IEEE 無線通信和網(wǎng)絡(luò)會議）期間，5G演進趨勢與技術(shù)研討會成功舉辦。IEEE WCNC是IEEE在無線領(lǐng)域的全球頂級學(xué)術(shù)會議，匯聚了全球?qū)W術(shù)屆專家領(lǐng)袖和產(chǎn)業(yè)人士等共同
2021-04-08 15:34:421582 雷達是智能應(yīng)用中傳感器套件的重要一環(huán)。雷達技術(shù)正在不斷演進，半導(dǎo)體技術(shù)的演進，以及未來幾年內(nèi)可能的發(fā)展趨勢，將使更多功能集成到雷達芯片中。
2021-08-04 15:32:085939 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。
2021-12-08 15:55:511670 
PRISEMI芯導(dǎo)低電容、小封裝成為ESD保護器件未來發(fā)展趨勢
2022-07-20 17:12:421052 
IGBT模塊是新一代的功率半導(dǎo)體電子元件模塊，誕生于20世紀(jì)80年代，并在90年代進行新一輪的改革升級，通過新技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)在的IGBT模塊已經(jīng)成為集通態(tài)壓降低、開關(guān)速度快、高電壓低損耗、大電流
2022-10-20 10:57:50777 純SiC晶體是通過Lely升華技術(shù)生長的。晶體主要是6H-SiC，但包括其它多型體。1978年，Tairov和Tsvetkov發(fā)明了一種可復(fù)制的SiC晶塊生長方法。
2022-12-28 11:44:13717 在大電流應(yīng)用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:29491 大家好，我們都知道無論是**功率半導(dǎo)體模塊封裝設(shè)計**還是**功率變換器的母線**設(shè)計，工程師們都在力求 **雜散電感最小化** ，因為這樣可以有效減小器件的 **開關(guān)振蕩及過壓風(fēng)險** ，今天我們結(jié)合主流功率半導(dǎo)體廠商的SiC MOSFET模塊，聊一下低雜感模塊封裝內(nèi)部是如何設(shè)計的？
2023-01-21 15:45:00913 
一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-01-12 16:35:47489 1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-02-07 16:48:23646 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:21685 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層，且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù)，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底，因為它具有合理的熱導(dǎo)率（60W/m-K）和低熱膨脹系數(shù)（2.7ppm/℃），與SiC的熱膨脹系數(shù) （3.9ppm/℃）十分接近。
2023-02-16 14:05:573194 到： 目前Tesla的SiC MOSFET只用在主驅(qū)逆變器電力模塊上，共24顆，拆開封裝每顆有2個SiC裸晶(Die)所以共48顆SiC MOSFET。除此之外，其他包括OBC、一輛車附2個一般充電器、快充電
2023-02-20 15:56:442 繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28496 
IGBT、MCU、以及SIC會是接下來新能源汽車智能化比較長期的需求點，根據(jù)特斯拉Model3的車型用量來看，單車使用IGBT是84顆，或者48顆Sic MOsfet（技術(shù)更優(yōu)），MCU的供應(yīng)商是意法半導(dǎo)體，基本可以結(jié)論，Sic和IGBT會是未來的重點方向。
2023-03-24 10:18:36630 近日，賽晶首款車規(guī)級SiC模塊——HEEV封裝SiC模塊亮相德國紐倫堡電子展（PCIM Europe 2023)，引發(fā)國內(nèi)外與會專家、客戶的廣泛關(guān)注。HEEV封裝SiC模塊來自高效電動汽車模塊平臺
2023-05-31 16:49:15352 
三菱電機集團近日（2023年6月13日）宣布，將于6月14日開始提供工業(yè)設(shè)備用NX封裝全SiC功率半導(dǎo)體模塊的樣品。該模塊降低了內(nèi)部電感，并集成了第二代SiC芯片，有望幫助實現(xiàn)更高效、更小型、更輕量的工業(yè)設(shè)備。
2023-06-15 11:16:28750 隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，硅碳化物（SiC）功率模塊逐漸在各領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。SiC功率模塊具有優(yōu)越的電性能、熱性能和機械性能，為高性能電子設(shè)備提供了強大的支持。本文將重點介紹SiC功率模塊的封裝技術(shù)及其在實際應(yīng)用中的優(yōu)勢。
2023-04-23 14:33:22850 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SiC應(yīng)用優(yōu)勢及趨勢.pdf》資料免費下載
2023-08-29 16:24:511 賽晶科技表示，為電動汽車應(yīng)用量身定做的HEEV封裝SiC模塊，導(dǎo)通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高達250kW電驅(qū)系統(tǒng)，并滿足電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)對高功率、小型化和高可靠性功率的需求。
2023-09-02 09:42:41316 
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
SiC與GaN的興起與未來
2023-01-13 09:06:226 市場空間巨大，SiC國產(chǎn)化趨勢加速
2023-01-13 09:07:052 SiC驅(qū)動器模塊具有較低的功耗、高溫運行能力和快速開關(guān)速度等優(yōu)勢，使其在下一代功率器件中有著廣闊的應(yīng)用前景。SiC驅(qū)動器模塊可以用于電動車的電力系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、工業(yè)電力電子裝置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257 
BOSHIDA DC電源模塊技術(shù)的未來發(fā)展趨勢 隨著科技的不斷發(fā)展，DC電源模塊技術(shù)也在不斷演進。以下是DC電源模塊技術(shù)未來發(fā)展的一些趨勢： 1. 高效能：未來DC電源模塊的效能將得到進一步提高
2024-01-11 15:57:53145 
從行業(yè)趨勢看，SiC上車是大勢所趨。盡管特斯拉曾在2023年3月的投資者大會上表示，將減少75%的SiC用量，一度引發(fā)SiC未來發(fā)展前景不明的猜測，但后續(xù)汽車市場和供應(yīng)商都用實際行動表達了對SiC的支持。
2024-01-24 11:29:16182 
BOSHIDA ?DC電源模塊的未來發(fā)展趨勢 未來DC電源模塊的發(fā)展趨勢可以預(yù)測如下： ?DC電源模塊的未來發(fā)展趨勢 1. 高效能：隨著綠色能源的需求增長，DC電源模塊將更加注重高效能的設(shè)計，以減少
2024-01-25 10:55:58128 
近日，在江蘇省揚州市邗江區(qū)維揚經(jīng)濟開發(fā)區(qū)先進制造業(yè)項目新春集中簽約儀式上，揚州揚杰電子科技股份有限公司（以下簡稱揚杰科技）新能源車用IGBT、碳化硅（SiC）模塊封裝項目完成簽約。
2024-02-22 10:03:54639 全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日發(fā)布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:35333
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論