淺談GaN芯片的制備工藝（GaN HEMT工藝為例）

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放大器(209540) 放大器(209540)
振蕩器(137532) 振蕩器(137532)
GaN(67129) GaN(67129)

評(píng)論

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2017-06-27 08:54:11

移動(dòng)無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施和WiMAX氮化鎵(GaN)工藝技術(shù)

ABI研究公司一位研究人員表示，對(duì)于那些通過(guò)氮化鎵(GaN)工藝技術(shù)來(lái)開發(fā)并生產(chǎn)設(shè)備的廠商來(lái)說(shuō)，無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域所需的RF功率半導(dǎo)體可能并不是他們最好的機(jī)會(huì)。除了一些軍事應(yīng)用和微波通信，GaN主要

2017-12-13 16:02:01

523

GaN有哪些特點(diǎn)為什么5G通信要使用GaN技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)

產(chǎn)品包括SBD、常關(guān)型FET、常開型FET、級(jí)聯(lián)FET等產(chǎn)品，面向無(wú)線充電、電源開關(guān)、包絡(luò)跟蹤、逆變器、變流器等市場(chǎng)。而按工藝分，GaN器件則分為HEMT、HBT射頻工藝和SBD、Power FET電力電子器件工藝兩大類。

2019-02-03 12:54:00

11330

GaN器件技術(shù)能實(shí)現(xiàn)5G通信，靠的是這些特性

充電、電源開關(guān)、包絡(luò)跟蹤、逆變器、變流器等市場(chǎng)。而按工藝分，GaN器件則分為HEMT、HBT射頻工藝和SBD、 Power FET電力電子器件工藝兩大類。

2020-07-27 10:26:00

GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)路線及關(guān)鍵科學(xué)問(wèn)題

在實(shí)際應(yīng)用中，為實(shí)現(xiàn)失效安全的增強(qiáng)模式（E-mode）操作，科研人員廣泛研究了基于凹槽柵結(jié)構(gòu)的MIS柵、p-GaN regrowth柵增強(qiáng)型GaN HEMT器件。在實(shí)際的器件制備過(guò)程中，精確控制柵極凹槽刻蝕深度、減小凹槽界面態(tài)密度直接影響器件閾值電壓均勻性

2020-10-09 14:18:50

8849

納微專家談：氮化鎵GaN HEMT有體二極管嗎？

工程師于是感到非常困惑，GaN HEMT可以反向?qū)ǎ堑降子羞€是沒(méi)有體二極管？

2021-03-15 09:41:07

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芯片制造工藝概述

本章將介紹基本芯片生產(chǎn)工藝的概況，主要闡述4中最基本的平面制造工藝，分別是：薄膜制備工藝摻雜工藝光刻工藝熱處理工藝薄膜制備是在晶體表面形成薄膜的加工工藝。

2021-04-08 15:51:30

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探究Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術(shù)，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關(guān)鍵技術(shù)，提供了

2021-04-21 09:55:20

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淺談GaN基準(zhǔn)垂直肖特基功率二極管(SBD)的設(shè)計(jì)與制備

），并在藍(lán)寶石襯底上制備了該器件結(jié)構(gòu)。技術(shù)團(tuán)隊(duì)對(duì)所制備的器件進(jìn)行了電流-電壓測(cè)試，通過(guò)在器件側(cè)壁及臺(tái)面邊緣處制備場(chǎng)板結(jié)構(gòu)，有效降低了臺(tái)面邊緣處的電勢(shì)及電流密度［圖1（b）和（c）］，從而抑制了因刻蝕工藝導(dǎo)致的側(cè)壁缺陷對(duì)載流子的復(fù)合效應(yīng)

2021-07-14 16:46:55

959

光伏電池制備工藝-擴(kuò)散

光伏電池制備工藝-擴(kuò)散(開關(guān)電源技術(shù)的節(jié)能意義)-光伏電池制備工藝-擴(kuò)散? ? ? ? ? ? ? ? ??

2021-09-23 14:11:49

GaN HEMT概述/分類/結(jié)構(gòu)/工作原理

氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體器件的代表，器件在高頻功率應(yīng)用方面有巨大的潛力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場(chǎng)，如圖1所示。

2022-02-10 15:27:43

18442

新開發(fā)了一種GaN襯底減薄技術(shù)——激光減薄技術(shù)

而此次他們通過(guò)實(shí)驗(yàn)證明，該技術(shù)同樣適用于GaN-on-GaN HEMT器件制造，即在器件制造之后采用激光工藝進(jìn)行減薄，該技術(shù)可顯著降低 GaN 襯底的消耗。

2022-05-12 10:45:55

3527

GaN組件的單片集成提升了功率集成電路?

本文分析了高性能肖特基勢(shì)壘二極管和 D 型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200-V GaN-on-SOI 智能功率 IC 平臺(tái)上的成功協(xié)同集成。這些組件的添加使芯片設(shè)計(jì)具有擴(kuò)展的功能

2022-07-29 08:56:44

853

肖特基二極管和耗盡型 HEMT 與200-V GaN IC的單片集成

Imec 展示了高性能肖特基勢(shì)壘二極管和耗盡型（d-mode）高電子遷移率晶體管（HEMT）在基于 p 型氮化鎵（GaN） HEMT 的 200-V GaN- 上的成功共集成。在 200 毫米基板上開發(fā)的 on-SOI 智能功率集成電路（IC）平臺(tái)。

2022-07-29 15:34:03

837

新的GaN技術(shù)簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)基于GaN的HEMT

雖然乍一看似乎比較簡(jiǎn)單，但這些器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電路需要仔細(xì)設(shè)計(jì)。首先，通常關(guān)閉的基于 GaN 的 HEMT 需要負(fù)電壓來(lái)將其關(guān)閉并將其保持在關(guān)閉狀態(tài)，從而避免意外開啟。

2022-07-29 09:27:17

1367

高功率GaN HEMT的可靠性設(shè)計(jì)

，達(dá) 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和國(guó)防雷達(dá)范疇，在所有 RF 細(xì)分市場(chǎng)中獲得應(yīng)用。

2022-09-19 09:33:21

1670

GaN HEMT基本概述、分類及工作原理

2022-09-27 10:30:17

3330

CG2H80060D?C波段GaN HEMT管芯CREE

Wolfspeed的CG2H80060D是種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。與硅或砷化鎵相比較，GaN具備優(yōu)異的性能指標(biāo)；CG2H80060D包含更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)；更高的飽和電子漂移

2022-11-01 09:29:51

593

GaN HEMT 模型初階入門：非線性模型如何幫助進(jìn)行 GaN PA 設(shè)計(jì)？（第一部分，共兩部分）

GaN HEMT 模型初階入門：非線性模型如何幫助進(jìn)行 GaN PA 設(shè)計(jì)？（第一部分，共兩部分）

2022-12-26 10:16:25

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GaN功率HEMT設(shè)計(jì)+GaN寬帶功率放大器設(shè)計(jì)

GaN功率HEMT設(shè)計(jì)+GaN寬帶功率放大器設(shè)計(jì)

2023-01-30 14:17:44

556

AlN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件制作

絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結(jié)構(gòu)如圖1所示， AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)采用MOCVD技術(shù)在2英寸c面藍(lán)寶石襯底上外延得到，由下往上依次為180nm高溫AlN成核層、13μm非摻雜GaN緩沖層、1nm AlN界面插入層、22nm AlGaN勢(shì)壘層、及2nm GaN帽層，勢(shì)壘層鋁組分設(shè)定為30%。

2023-02-14 09:31:16

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GaN HEMT外延材料表征技術(shù)研究進(jìn)展

晶體管 ( HEMT) 的性能，不同材料特征的表征需要不同的測(cè)量工具和技術(shù)，進(jìn)而呈現(xiàn)器件性能的優(yōu)劣。綜述了 GaN HEMT 外延材料的表征技術(shù)，詳細(xì)介紹了幾種表征技術(shù)的應(yīng)用場(chǎng)景和近年來(lái)國(guó)內(nèi)外的相關(guān)

2023-02-20 11:47:22

876

GaN基準(zhǔn)垂直肖特基功率二極管(SBD)的設(shè)計(jì)與制備

二極管），并在藍(lán)寶石襯底上制備了該器件結(jié)構(gòu)。技術(shù)團(tuán)隊(duì)對(duì)所制備的器件進(jìn)行了電流-電壓測(cè)試[圖1(a)]，通過(guò)在器件側(cè)壁及臺(tái)面邊緣處制備場(chǎng)板結(jié)構(gòu)，有效降低了臺(tái)面邊緣處的電勢(shì)及電流密度[圖1(b)和(c)]，從而抑制了因刻蝕工藝導(dǎo)致的側(cè)壁缺陷對(duì)載流子的復(fù)合效應(yīng)。

2023-02-27 15:50:38

絕緣柵Si基GaN平面器件關(guān)鍵工藝

傳統(tǒng)GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統(tǒng)有Au歐姆接觸通常采用高溫退火工藝（＞800℃），第1層Ti在常溫下

2023-04-29 16:46:00

735

CHK8201-SYA?GAN HEMT微波晶體管UMS

致力于高至4GHz的普遍射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域需求設(shè)計(jì)。CHK8201-SYA特別適合多功能應(yīng)用領(lǐng)域，例如空間和電信網(wǎng)絡(luò) CHK8101-SYC在SIC技術(shù)上使用的GAN是種表面評(píng)估的HEMT工藝技術(shù)，根據(jù)

2023-05-09 11:32:02

103

GaN HEMT大信號(hào)模型

GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計(jì)者提供了對(duì) LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進(jìn)。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達(dá) 8W/mm、fT 高達(dá) 25 GHz 和低靜態(tài)

2023-05-24 09:40:01

1375

GaN HEMT工藝全流程

GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導(dǎo)體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應(yīng)用于大功率和高頻電子設(shè)備。

2023-05-25 15:14:06

1222

GaN單晶襯底顯著改善HEMT器件電流崩塌效應(yīng)

由于GaN和AlGaN材料中擁有較強(qiáng)的極化效應(yīng)，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)無(wú)需進(jìn)行調(diào)制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG)，在此基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的高電子遷移率晶體管(HEMT)是GaN材料

2023-06-14 14:00:55

1654

量產(chǎn)GaN晶圓的KABRA工藝流程

半導(dǎo)體制造設(shè)備廠商DISCO Corporation（總部：東京都大田區(qū)；總裁：Kazuma Sekiya）采用了KABRA（一種使用激光加工的晶錠切片方法），并開發(fā)了一種針對(duì)GaN（氮化鎵）晶圓生產(chǎn)而優(yōu)化的工藝。通過(guò)該工藝，可以同時(shí)提高GaN晶圓片產(chǎn)量，并縮短生產(chǎn)時(shí)間。

2023-08-25 09:43:52

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AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)的氧基數(shù)字蝕刻

寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEMT來(lái)降低功率并簡(jiǎn)化電路和系統(tǒng)架構(gòu)，這是GaN HEMT技術(shù)的主要挑戰(zhàn)之一。凹進(jìn)的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)常關(guān)操作的有用選擇之一。

2023-10-10 16:21:11

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