2012年度國際電子元件大會（IEDM）于美國時間12月10日在舊金山登場，與會專家表示，半導體制程邁向 14奈米節(jié)點時，可能無法達到通常每跨一個世代、晶片性能可提升30%的水準，甚至只有一半；但仍會增加大量成本，主要是因為新制程節(jié)點缺乏所需的有效微影技術。

　　歐洲研究機構 IMEC 執(zhí)行長Luc van den Hove在IEDM發(fā)表專題演說后對EETimes美國版編輯表示，晶片制造商目前已經(jīng)進入28奈米制程節(jié)點，距離14奈米節(jié)點雖還有兩個世代，但現(xiàn)在必須決定微影技術選項；不過具潛力的超紫外光（EUV）微影工具，可能要到2014年才能做有限度的商業(yè)用途。

　　van den Hove在專題演說中指出，14奈米制程若采用現(xiàn)有的193奈米浸潤式微影設備，所需成本將比28奈米制程多90%以上；EUV技術則能將成本增加幅度減至60%左右。成本增加主要是因為若在14奈米節(jié)點采用現(xiàn)有微影系統(tǒng)，最多得要三次曝光；但采用EUV技術，只需要一次曝光。

　　14奈米制程與28奈米、20奈米的成本比較

　　IMEC 微影技術專家Kurt Ronse表示：「三重圖形（patterning）實在是太復雜，因此得放寬設計規(guī)則，但如此一來晶片就達不到良率。」因此他指出，14奈米晶片的性能可能只會比上一世代提升15~20%，而不是傳統(tǒng)每跨一個世代提高30%的水準。

　　「看來在14奈米制程節(jié)點，有部分設計規(guī)則必須做某種程度的放寬；」van den Hove在專題演說中表示：「我認為此時此刻得決定14奈米節(jié)點微影技術選擇是最基本的，但EUV顯然還無法因應該制程節(jié)點挑戰(zhàn)。」

　　「要解決（EUV）問題還得花費很大工夫；」van den Hove補充指出：「不過我們相信問題并不在于其理論基礎，而是需要時間來處理的工程性問題。」

　　今年稍早，一位英特爾（Intel）高層表示，該公司認為能以經(jīng)濟的方法運用四重圖形（quad patterning），在不需EUV技術的情況下前進至10奈米制程節(jié)點。而英特爾的晶片制造成本向來被認為比其他廠商來得高，不過該公司的處理器晶片售價也相對較高。

　　包括英特爾、三星（Samsung）與臺積電（TSMC）在今年分別對半導體設備業(yè)者ASML注資數(shù)十億美元，因為ASML是最有力的EUV系統(tǒng)供應商；ASML在今年還收購了一家微影設備光源供應商Cymer，后者可提供EUV所需的更有效光源。

　　Ronse指出，使用目前的光源設備，EUV系統(tǒng)的制圖速度一小時不到20片晶圓；而晶片供應商需要的微影系統(tǒng)，是能達到每小時100片以上晶圓的制圖速度。IMEC到目前為止已經(jīng)協(xié)助半導體業(yè)者進行過數(shù)千片的EUV晶圓測試。

　　IMEC的EUV系統(tǒng)產出量測試結果

　　而IMEC的研究人員也表示，晶片制造商若要延續(xù)摩爾定律（Moore‘s Law）的生命，可能得采用新的材料或是元件型態(tài)。

　　新材料是延續(xù)摩爾定律的關鍵