近年來，大部分人對摩爾定律的前景看的似乎沒那么樂觀，但是芯片巨頭Intel似乎找到了出路。按他們所說，最起碼在接下來的幾年，摩爾定律的前途是一片光明的。

　　2017年，Intel會發(fā)布該公司的首顆10nm芯片。Intel指出，在這個制程下制造的晶體管比之前的還便宜，明顯符合運轉(zhuǎn)了數(shù)十年的摩爾定律的宗旨。Intel還表示，在未來的幾年內(nèi)，他們將大大優(yōu)化晶體管的設(shè)計，并將其調(diào)整，以滿足即將開啟的為ARM芯片代工的業(yè)務(wù)。

　　Intel的高級fellow Mark Bohr表示，10nm的晶體管比現(xiàn)在的14nm會密集很多，對比其他競爭對手的10nm也更有優(yōu)勢。Intel之前已經(jīng)發(fā)布了一些關(guān)于新時代工藝的細(xì)節(jié)圖片。可以得知，控制晶體管開關(guān)的柵極長度和柵極之間的距離（gate pitch）也會變得更小。Gate pinch可以54nm到70nm。而在晶體管連接起來執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)邏輯功能的邏輯單元上面，其尺寸較之14nm幾乎小了46%。

　　這種縮小較之以往更令人振奮，Bohr表示。同時他的出現(xiàn)幫助消除了一個障礙，那就是逐漸緩慢的新世代芯片制造技術(shù)的介紹節(jié)奏。這個節(jié)點和我們將要做的芯片的重要意義就是打破了人們關(guān)于摩爾定律將會非常緩慢，甚至?xí)У挠^點。Bohr補充說。

　　盡管在wafer上使用10nm工藝制造芯片的成本會比14nm高，但是Intel強調(diào)，均攤到每個晶體管上的成本是降低的。且10nm會帶來開關(guān)速度和能源損耗的提升。但和過往很多年看到的現(xiàn)狀一樣，時鐘速度并不會很輕易的提升。Bohr指出，在這個新世代，除了降低晶體管的制造成本以外，功耗降低和能源效率是關(guān)注的另一個重點。緊密度和效率的提高，會讓為服務(wù)器芯片添加更多的核與給GPU添加更多的執(zhí)行單元成為潮流。

　　在過去，Intel每隔幾年就升級一次他的晶體管，并伴隨介紹其新的制造技術(shù)。但在14nm的時候，Intel推出了一個叫做deminode的東西，那就是在10nm之前，推出全套提升14nm晶體管的方案。到了10nm，Intel也會在7nm面世之前提供兩個這樣的deminode（10nm+和10nm++），這從某種角度看是為了應(yīng)對往下一代工藝推進(jìn)的困難所想出來的一種權(quán)宜之計。Bohr指出，如果你發(fā)現(xiàn)從10nm往7nm推進(jìn)的過程中困難重重，為了讓大家有更好的產(chǎn)品可以用，那么你就可以將現(xiàn)有的工藝制程進(jìn)行提高，保證大家的產(chǎn)品每年都有提高。

　　三星和TSMC也都在推進(jìn)10nm工藝。三星在2016年十月份還宣布將于2017年早些時候推行新工藝的大規(guī)模量產(chǎn)。格羅方德則選擇跳過10nm，聚焦將于2018年到來的7nm工藝。“大家都在推動晶體管的小型化發(fā)展”，VLSI Research的的CEO Dan Hutcheson表示。每個公司都在推進(jìn)先進(jìn)工藝，但個人的步伐非常不一致。如果我們細(xì)看，會發(fā)現(xiàn)Intel在10nm的時候應(yīng)該還是領(lǐng)先于其他廠商的。

　　初次之外，Hutcheson還指出，不同于其他芯片制造商，Intel一直將其制造工藝的推進(jìn)控制在一個合適的節(jié)奏和一致性。這就讓他們在提供代工服務(wù)的時候有明顯的優(yōu)勢。

　　為其他廠商制造芯片是Intel的一個新嘗試，尤其是制造ARM芯片。Hutcheson認(rèn)為。如果你沒有ARM，是很難開展代工業(yè)務(wù)，因為ARM是標(biāo)準(zhǔn)的架構(gòu)。

　　Intel指出，其推出的第一個10nm芯片會是自身的芯片，接下來就是其他廠商的芯片，但這個周期會推到2018年。