圖片來(lái)源：聯(lián)電 12月2日，中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體代工廠聯(lián)電（UMC）宣布，在首次成功使用硅技術(shù)之后，其22nm制程技術(shù)已準(zhǔn)備就緒。 該公司稱，全球面積最小、使用22nm制程技術(shù)的USB 2.0通過(guò)硅驗(yàn)證
2019-12-03 09:59:41
4518 聯(lián)華電子攜手智原已經(jīng)完成并交付3億邏輯門（300-million gate count）系統(tǒng)單芯片解決方案。此款3億邏輯門SoC是采用聯(lián)華電子40nm工藝。SRAM容量高達(dá)100MB，可為高級(jí)通訊產(chǎn)品提供優(yōu)異的網(wǎng)路頻寬，滿足高速而穩(wěn)定的傳輸需求，以因應(yīng)新一代通訊產(chǎn)品需求。
2013-01-25 10:13:091286 英飛凌科技與GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布，雙方圍繞40納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）工藝，簽訂一份合作技術(shù)開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。
2013-05-02 12:27:171397 聯(lián)華電子在未來(lái)5年將投資13.5億美元在廈門創(chuàng)建一個(gè)新工廠，這個(gè)合資工廠總投資達(dá)62億美元，用55nm和40nm工藝生產(chǎn)12英寸芯片月產(chǎn)量可達(dá)50000個(gè)。另外兩個(gè)合作伙伴分別是廈門市政府和福建電子信息集團(tuán)
2014-10-10 09:42:412286 在今年宣布以14nm制程制作Galaxy S6系列機(jī)種使用處理器Exynos 7420之后，三星也計(jì)劃將在2016年年底進(jìn)入10nm制程技術(shù)量產(chǎn)新款處理器產(chǎn)品。而另一方面，預(yù)期今年第三季進(jìn)入16nm
2015-05-28 10:23:16990 在經(jīng)過(guò)2016的一系列擴(kuò)張之后，近日，Crossbar與中芯國(guó)際合作的40nm ReRAM芯片正式出樣，再次為芯片國(guó)產(chǎn)化發(fā)展提振士氣。另有數(shù)據(jù)顯示，中芯國(guó)際去年銷售額增至29.2億美元，比2015年大增31%，市占率提升1個(gè)百分點(diǎn)至6%。
2017-01-18 10:46:161220 臺(tái)積電創(chuàng)辦人張忠謀6月14日表示，3納米制程約在二年內(nèi)開(kāi)發(fā)成功，盡管面臨“摩爾定律”失效的挑戰(zhàn)，2納米制程仍可望在2025年前問(wèn)世。雖然大陸IC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)十年會(huì)迅速發(fā)展，但與此同時(shí)，臺(tái)積電也持續(xù)成長(zhǎng)不落人后，兩岸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展差距（Gap）不會(huì)縮小，技術(shù)領(lǐng)先五到七年。
2018-06-15 10:16:134673 ，屆時(shí)28nm制程晶圓的報(bào)價(jià)將飆升至每片2300美元，比1800美元增長(zhǎng)近28%。 ? 4月中下旬便有消息稱聯(lián)電正在談判明年的合同，該公司將再次提高晶圓代工的價(jià)格，漲幅至少一到兩成起跳，特別是28nm和40nm制程的訂單將至少提高40%，此外聯(lián)電2022年的價(jià)格上調(diào)也將適用于聯(lián)電
2021-05-10 15:09:452170 儀式。才過(guò)4個(gè)月不到，韓國(guó)媒體Naver就爆出，三星3nm制程的良率非常低，不足20%。而且其5nm和4nm節(jié)點(diǎn)的良率問(wèn)題也遲遲沒(méi)有得到改善。 ? 其實(shí)，三星電子從2000年初就已經(jīng)開(kāi)始了對(duì)GAA晶體管結(jié)構(gòu)的研究。自2017年開(kāi)始，將其正式應(yīng)用到3納米工藝，并于今年6月宣布啟動(dòng)利用GAA技術(shù)的
2022-11-30 09:35:122708 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片制程工藝已從90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升級(jí)到到現(xiàn)在比較主流的10nm、7nm，而最近據(jù)媒體報(bào)道，半導(dǎo)體的3nm工藝研發(fā)制作也啟動(dòng)
2019-12-10 14:38:41
翁壽松(無(wú)錫市羅特電子有限公司，江蘇無(wú)錫214001)1 32 nm/22 nm工藝進(jìn)展2006年1月英特爾推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特爾將投資90億美元在以下4座
2019-07-01 07:22:23
日前，LSI 公司宣布推出業(yè)界首款 40nm 讀取信道芯片 TrueStore? RC9500，旨在支持各種尺寸和容量的從筆記本到企業(yè)級(jí)的 HDD。RC9500 現(xiàn)已開(kāi)始向硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器 (HDD
2019-08-21 06:26:20
有沒(méi)有華邦Flash技術(shù)支持的壇友，或者有應(yīng)用過(guò)W25M02GV的壇友。想請(qǐng)教一下關(guān)于W25M02的應(yīng)用問(wèn)題。
2019-12-27 08:46:12
這是一mt6169 40nm CMOS多模多頻段收發(fā)器。射頻收發(fā)器功能是完全集成的。本文描述了射頻宏被嵌入到整個(gè)產(chǎn)品中的性能目標(biāo)。MT6169主要特征區(qū)別MT6169是第一個(gè)M聯(lián)ATEK射頻收發(fā)器1
2018-08-28 19:00:04
電子工程師與業(yè)界專家及廠商進(jìn)行探 討交流的機(jī)會(huì)，提高對(duì)技術(shù)知識(shí)的應(yīng)用 和產(chǎn)品商業(yè)化的認(rèn)知，為此：特舉辦“ 華芯邦”杯移動(dòng)電源電源設(shè)計(jì)大賽。旨 在充分發(fā)揮電源工程師的創(chuàng)新精神與移 動(dòng)電源的高效設(shè)計(jì)。大賽
2012-05-25 11:57:04
由電子發(fā)燒友網(wǎng)主辦，深圳市華芯邦科技有限公司贊助，華強(qiáng)PCB支持的“華芯邦”杯移動(dòng)電源設(shè)計(jì)大賽于5月24日開(kāi)始報(bào)名，眾多電源工程師報(bào)名火爆。截至6月1日，短短一星期時(shí)間已有360名電源工程師報(bào)名參加
2012-06-01 16:55:29
從7nm到5nm，半導(dǎo)體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來(lái)表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33
業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice今日宣布，正式推出全國(guó)產(chǎn)化24nm工藝節(jié)點(diǎn)的4GbSPINANDFlash產(chǎn)品——GD5F4GM5系列。該系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了從設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)制造到
2020-11-26 06:29:11
。根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃，南科14廠和18廠分別專注于12nm和16nm制程技術(shù)，以及5nm和 3nm技術(shù)，而中科15廠則負(fù)責(zé)28nm和7nm制程技術(shù)。臺(tái)積電的5nm晶圓廠從2018年開(kāi)始啟動(dòng)，有5000
2020-03-09 10:13:54
今天看見(jiàn)一個(gè)技術(shù)名稱叫技術(shù)節(jié)點(diǎn)40NM，小弟請(qǐng)教各位大神，在晶圓廠中關(guān)于光電軌道與光電工程之間的聯(lián)系，以及40NM的節(jié)點(diǎn)技術(shù)具體是指什么？？
2012-05-24 21:43:46
10月7日，沉寂已久的計(jì)算技術(shù)界迎來(lái)了一個(gè)大新聞。勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管
2016-10-08 09:25:15
求一份tsmc 7nm standard cell library求一份28nm或者40nm 的數(shù)字庫(kù)
2021-06-25 06:39:25
請(qǐng)問(wèn)工程師，C2000系列產(chǎn)品的制程是45nm還是28nm？同一款新片可能采用不同的制程生產(chǎn)嗎？
2020-06-17 14:41:57
的8吋廠。在8吋方面，從0.35μm 到0.11μm，很多都屬于特殊工藝。而在12吋方面，無(wú)論是40nm，還是28nm，以及接下來(lái)的22nm，目前都是以邏輯制程工藝為主，同時(shí)也有不斷成熟的特殊工藝，如
2018-06-11 16:27:12
【來(lái)源】：《電子設(shè)計(jì)工程》2010年02期【摘要】：<正>賽靈思公司與聯(lián)華電子共同宣布,采用聯(lián)華電子高性能40nm工藝的Virtex-6FPGA,已經(jīng)完全通過(guò)生產(chǎn)前的驗(yàn)證
2010-04-24 09:06:05
重慶回收華邦ic重慶收購(gòu)華邦ic，大量回收華邦ic，深圳帝歐電子求購(gòu)華邦ic，帝歐趙生聯(lián)系電話***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。深圳帝歐電子有多年
2021-12-02 19:08:12
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2020-11-04 16:13:24
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2021-09-27 19:07:26
40nm等工藝節(jié)點(diǎn)推出藍(lán)牙IP解決方案，并已進(jìn)入量產(chǎn)。此次推出的22nm雙模藍(lán)牙射頻IP將使得公司的智能物聯(lián)網(wǎng)IP平臺(tái)更具特色。結(jié)合銳成芯微豐富的模擬IP、存儲(chǔ)IP、接口IP、IP整合及芯片定制服務(wù)、專業(yè)及時(shí)的技術(shù)支持，銳成芯微期待為廣大物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用市場(chǎng)提供更完善的技術(shù)解決方案。
2023-02-15 17:09:56
40 nm 工藝的電路技術(shù)40-nm 工藝要比以前包括65-nm 節(jié)點(diǎn)和最近的45-nm 節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的工藝技術(shù)有明顯優(yōu)勢(shì)。最引人注目的優(yōu)勢(shì)之一是其更高的集成度，半導(dǎo)體生產(chǎn)商可以在更小的物理空
2010-03-03 08:42:13
14 安華高科技首次在40nm硅芯上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)
Avago Technologies(安華高科技)日前宣布，已經(jīng)在40nm CMOS工藝技術(shù)上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)。延續(xù)嵌入式SerDes應(yīng)用長(zhǎng)久以
2008-08-27 00:34:23701 三星拓展新研發(fā)中心 開(kāi)發(fā)邏輯晶圓代工制程
三星電子近日宣布其新半導(dǎo)體研發(fā)中心開(kāi)始著手開(kāi)發(fā)先進(jìn)邏輯制程。該項(xiàng)技術(shù)將成為三星在晶圓代工業(yè)
2009-11-06 10:43:40470 三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開(kāi)始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23533 傳40nm制程代工廠良率普遍低于70%
據(jù)業(yè)者透露，包括臺(tái)積電在內(nèi)的各家芯片生產(chǎn)公司目前的40nm制程良率均無(wú)法突破70%大關(guān)。這種局面恐將對(duì)下一代顯卡和FPGA芯片等產(chǎn)品
2010-01-15 09:32:551000 臺(tái)積電稱其已解決造成40nm制程良率不佳的工藝問(wèn)題
據(jù)臺(tái)積電公司高級(jí)副總裁劉德音最近在一次公司會(huì)議上表示，臺(tái)積電40nm制程工藝的良率已經(jīng)提升至與現(xiàn)有65nm制程
2010-01-21 12:22:43893 賽靈思40nm Virtex-6 FPGA系列通過(guò)全生產(chǎn)驗(yàn)證
全球可編程邏輯解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商賽靈思公司(Xilinx, Inc. )與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠商聯(lián)華電子( UMC (NYSE: UMC; TSE: 2303))今天共
2010-01-22 09:59:51716 賽靈思高性能40nm Virtex-6 FPGA系列即將轉(zhuǎn)入量產(chǎn)
賽靈思公司(Xilinx, Inc.)與聯(lián)華電子(UMC)今天共同宣布，采用聯(lián)華電子高性能40nm工藝的Virtex-6 FPGA，已經(jīng)完全通過(guò)生產(chǎn)前的驗(yàn)
2010-01-26 08:49:17851 Hynix宣布已成功開(kāi)發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開(kāi)發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開(kāi)始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081045 三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:42779 臺(tái)積電無(wú)奈出B計(jì)劃：AMD下代顯卡40nm工藝＋混合架構(gòu)
AMD曾在多個(gè)場(chǎng)合確認(rèn)將在今年下半年發(fā)布全系列新顯卡，我們也都期待著全新的
2010-04-01 09:17:50712 燦芯半導(dǎo)體（上海）有限公司與中芯國(guó)際今天共同宣布燦芯半導(dǎo)體第一顆 40nm 芯片在中芯國(guó)際一次性流片驗(yàn)證成功。
2011-06-22 09:16:331258 瑞薩電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款適用于汽車實(shí)時(shí)應(yīng)用領(lǐng)域的40nm工藝嵌入式閃存技術(shù)。瑞薩電子也將是首先使用上述40nm工藝閃存技術(shù)，針對(duì)汽車應(yīng)用領(lǐng)域推出40nm嵌入式閃存微控制器(MCU)的廠
2012-01-05 19:44:13797 意法·愛(ài)立信今天發(fā)布了業(yè)界首個(gè)采用40nm制造工藝的整合GPS、GLONASS、藍(lán)牙和FM收音的平臺(tái)CG2905。這款開(kāi)創(chuàng)性產(chǎn)品將提高定位導(dǎo)航的速度和精度，推動(dòng)市場(chǎng)對(duì)擴(kuò)增實(shí)境應(yīng)用和先進(jìn)定位服務(wù)
2012-03-01 09:04:38783 全球各大晶圓代工廠正加速擴(kuò)大40/45奈米（nm）先進(jìn)制程產(chǎn)能規(guī)模。智慧型手機(jī)與平板裝置市場(chǎng)不斷增長(zhǎng)，讓兼具低成本與高效能的先進(jìn)制程需求快速升溫，包括臺(tái)積電、聯(lián)電、格羅方德
2012-08-22 09:16:07839 ，CPU的功耗也就越小。本專題我們將介紹道幾種nm級(jí)制程工藝，如：20nm、22nm、28nm、40nm、45nm、60nm等制程工藝。
2012-09-09 16:37:30
臺(tái)積電積極開(kāi)發(fā)20nm制程，花旗環(huán)球證券指出，在技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)下，未來(lái)1~2年內(nèi)有機(jī)會(huì)獨(dú)吞蘋(píng)果（Apple）A7處理器訂單。野村證券評(píng)估，臺(tái)積電明年第1季開(kāi)始試產(chǎn)A7，順利的話，后年上半
2012-09-28 09:40:061048 聯(lián)電14奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開(kāi)始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14奈米FinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28奈米制程提升35～40%，
2012-11-05 09:17:53776 1月28日，展訊通信宣布，其首款集成了無(wú)線連接的單芯片40nm GSM/GPRS手機(jī)基帶平臺(tái)SC6531正式商用，該平臺(tái)集成了FM與藍(lán)牙功能，以幫助2.5G手機(jī)制造商降低手機(jī)設(shè)計(jì)成本。
2013-01-29 10:23:5618801 
聯(lián)華電子與閃存解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商Spansion 4日共同宣布，將展開(kāi)40納米工藝研發(fā)合作,此份非專屬授權(quán)協(xié)議包含了授權(quán)聯(lián)華電子采用此技術(shù)為Spansion制造產(chǎn)品。
2013-03-06 10:17:34922 根據(jù)英特爾發(fā)布的產(chǎn)品規(guī)劃路線，自己的14nm技術(shù)將要在處理器上連續(xù)使用三代而不進(jìn)行提升，而在制程這方面的研發(fā)，臺(tái)積電顯然更勝一籌，前段時(shí)間臺(tái)積電剛剛確定年底將量產(chǎn)10nm、2019年將上馬5nm制程
2016-10-10 15:43:36792 全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案供應(yīng)商賽普拉斯半導(dǎo)體公司和全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠聯(lián)華電子公司（以下簡(jiǎn)稱“UMC”）于今日宣布，賽普拉斯由UMC代工的專有40nm嵌入式 電荷捕獲 （eCT?） 閃存微控制器（MCU），現(xiàn)已開(kāi)始大單出貨。
2016-12-29 15:46:582253 作為中國(guó)本土半導(dǎo)體制造的龍頭企業(yè)，中芯國(guó)際（SMIC）的新聞及其取得的成績(jī)一直是行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。2017新年伊始，其一如既往地吸引著人們的眼球。前幾天，該公司宣布正式出樣采用40nm工藝的ReRAM（非易失性阻變式存儲(chǔ)器）芯片，并稱更先進(jìn)的28nm工藝版很快也會(huì)到來(lái)。
2017-01-17 09:40:003747 目前在下一代存儲(chǔ)芯片的研發(fā)當(dāng)中，除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片（非易失性阻變式存儲(chǔ)器）。2016年3月，Crossbar公司宣布與中芯國(guó)際達(dá)成合作，發(fā)力中國(guó)市場(chǎng)。其中，中芯國(guó)際將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。
2017-01-17 16:28:553396 聯(lián)華電子宣布，推出的40nm納米SST嵌入式快閃記憶，在以往55納米單元尺寸減少20%以上，整體縮小了20～30%。東芝電子元件&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司賑災(zāi)評(píng)估這個(gè)微處理器芯片。
2018-01-04 10:34:361757 中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)科技部昨（28）日宣布啟動(dòng)四年新臺(tái)幣40億半導(dǎo)體射月計(jì)劃，并已評(píng)選出20項(xiàng)產(chǎn)學(xué)合作計(jì)劃。臺(tái)積電與臺(tái)大合作研發(fā)下世代制程，主要是要一舉突破3納米制程關(guān)鍵技術(shù)，力拼2022年量產(chǎn)。
2018-06-29 16:13:004113 
在21日臺(tái)積電舉辦技術(shù)研討會(huì)，CEO魏哲家表示7nm制程的芯片已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)，同時(shí)他還透露臺(tái)積電的5nm制程將會(huì)在2019年年底或2020年初投入量產(chǎn)。
2018-07-02 14:46:443043 的2G 、3G 和4G無(wú)線通信終端的核心芯片供應(yīng)商之一，今日宣布其首款集成了無(wú)線連接的手機(jī)基帶平臺(tái)-SC6531正式商用。展訊單芯片40nm GSM/GPRS手機(jī)基帶平臺(tái)SC6531集成了FM與藍(lán)牙，更高
2018-11-14 20:39:01419 “芯啟源”）共同合作，集成USB3.0物理層設(shè)計(jì)（PHY）與控制器 （Controller）并應(yīng)用于中芯國(guó)際40nm和55nm的工藝技術(shù)，推出完整的USB 3.0 IP解決方案。
2018-12-05 14:06:566394 包括7nm批量生產(chǎn)和6nm產(chǎn)品的流片, 三星電子在基于EUV技術(shù)的先進(jìn)制程工藝開(kāi)發(fā)上取得重大進(jìn)展 4月16日,三星電子宣布，其5nm FinFET( 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)工藝技術(shù)已經(jīng)開(kāi)發(fā)完成，該技術(shù)
2019-04-18 20:48:54272 雖然從技術(shù)水平上看，臺(tái)積電和三星掌握了10nm 的高端制程量產(chǎn)技術(shù)，格芯和聯(lián)電等掌握了高端14nm的量產(chǎn)技術(shù)，而中芯國(guó)際，28nm已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，目前良率較低，技術(shù)處于逐步成熟階段，不過(guò)在40nm制程
2019-09-03 16:08:3628320 ，6nm、5nm、4nm、3nm 等都已勢(shì)如破竹準(zhǔn)備量產(chǎn)，而其對(duì)手臺(tái)積電在較早前就宣布3nm制程發(fā)展相當(dāng)順利，后續(xù)的2nm工藝研發(fā)也開(kāi)始啟動(dòng)，預(yù)計(jì) 2024年就能夠投產(chǎn)。
2019-08-26 12:29:002622 臺(tái)積電3nm制程也在按計(jì)劃推進(jìn)，預(yù)計(jì)在2021年開(kāi)始試產(chǎn)，2022年下半年開(kāi)始大規(guī)模投產(chǎn)，屆時(shí)臺(tái)積電的月產(chǎn)能將會(huì)達(dá)到10萬(wàn)片晶圓。
2020-10-19 17:03:57568 
本周，Counterpoint Research給出了按成熟制程（節(jié)點(diǎn)≥40nm）產(chǎn)能排序的全球晶圓代工廠商Top榜單，如下圖所示。
2021-02-04 09:24:183175 
本周，Counterpoint Research給出了按成熟制程（節(jié)點(diǎn)≥40nm）產(chǎn)能排序的全球晶圓代工廠商Top榜單，如下圖所示。
2021-02-04 09:48:3010803 
近日，瑞薩電子開(kāi)始對(duì)外宣布漲價(jià)，或將于明年元旦開(kāi)始漲價(jià)。瑞薩工廠基本是超負(fù)荷工作，并且供應(yīng)近一年一直緊張，再加上由于全球缺芯片原因?qū)е鹿?yīng)商大幅增加了成本。
2021-10-19 16:15:351802 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）近日，全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電宣布推出4nm制程工藝——N4P，希望借此贏得明年蘋(píng)果公司A16處理器代工訂單。臺(tái)積電表示，憑借5nm（N5）、4nm（N4）、3nm（N3
2021-10-30 11:25:166696 今日，據(jù)聯(lián)合報(bào)報(bào)道，近期臺(tái)積電研發(fā)已久的3nm制程工藝取得了重大突破。
2022-04-12 17:58:442787 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)M3H組的21款新微控制器，M3H組是TXZ+?族高級(jí)系列的新成員，采用40nm工藝制造。
2022-04-26 17:41:571069 據(jù)臺(tái)媒今日?qǐng)?bào)道稱，臺(tái)積電將于今年8月開(kāi)始3nm制程的量產(chǎn)，不過(guò)由于英特爾在芯片制程上步步緊逼的緣故，臺(tái)積電決定將要開(kāi)啟1.4nm制程的研發(fā)。 臺(tái)積電原計(jì)劃是在2025年完成2nm制程的量產(chǎn)，但英特爾
2022-05-10 15:21:541177 合作，一同成立合資企業(yè)，并在馬來(lái)西亞新建一座12英寸晶圓工廠。 據(jù)了解，富士康提及到該工廠將會(huì)鎖定28nm及40nm制程，并且預(yù)計(jì)該晶圓廠投產(chǎn)后，每個(gè)月能夠提供4萬(wàn)片的產(chǎn)能。目前市面上的微控制器、傳感器、連接相關(guān)芯片等都廣泛使用了28nm制程，因此例如臺(tái)積電等制
2022-05-18 16:35:032398 為了減小對(duì)臺(tái)積電的依賴，美日雙方開(kāi)始聯(lián)手研發(fā)半導(dǎo)體技術(shù)，近日據(jù)報(bào)道稱，日本計(jì)劃最早在2025年啟動(dòng)半導(dǎo)體制造基地，并與美國(guó)聯(lián)手生產(chǎn)2nm制程技術(shù)。 目前全球半導(dǎo)體加工領(lǐng)域最先進(jìn)的企業(yè)是中國(guó)臺(tái)灣
2022-06-16 14:43:131445 現(xiàn)在全球芯片行業(yè)都聚焦在了2nm制程上，臺(tái)積電、三星、IBM等芯片巨頭也都相繼宣布了2nm制程技術(shù)的相關(guān)消息，臺(tái)積電和三星已經(jīng)著手3nm制程的量產(chǎn)了，而在中國(guó)大陸，芯片行業(yè)還停留在研發(fā)7nm制程
2022-06-22 10:40:5135066 據(jù)外媒報(bào)道，臺(tái)積電正在研發(fā)先進(jìn)的2nm制程工藝，在北美技術(shù)論壇上，臺(tái)積電也是首次宣布，它們的目標(biāo)是在2025年實(shí)現(xiàn)2nm芯片量產(chǎn)。
2022-06-22 16:39:011596 現(xiàn)階段全球芯片行業(yè)都聚焦在了2nm工藝制程上，臺(tái)積電、IBM等芯片巨頭也都相繼宣布了2nm制程技術(shù)的相關(guān)消息。
2022-06-27 16:55:3811543 在2021年5月份，IBM發(fā)布全球首個(gè)2nm制程芯片制造技術(shù)，全球首顆2nm芯片正式問(wèn)世。近期，臺(tái)積電正式宣布用于生產(chǎn)納米片晶體管架構(gòu)的2nm芯片，預(yù)計(jì)在2025年量產(chǎn)，三星電子也已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)3nm芯片，2nm將于2025年量產(chǎn)。
2022-06-29 09:38:042826 2022年6月30日，作為先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)廠商之一的三星電子今日宣布， 基于3nm全環(huán)繞柵極（Gate-All-AroundT，簡(jiǎn)稱 GAA）制程工藝節(jié)點(diǎn)的芯片已經(jīng)開(kāi)始初步生產(chǎn)。
2022-06-30 10:15:591884 臺(tái)積電表述，公司3nm技術(shù)已進(jìn)入全面開(kāi)發(fā)階段，而3nm以下的技術(shù)已開(kāi)始定義并密集進(jìn)行先期開(kāi)發(fā)。
2022-06-30 14:45:05849 臺(tái)積電公布了下一代的2nm制程技術(shù)的部分細(xì)節(jié)信息，同時(shí)預(yù)計(jì)N2工藝將于2025年內(nèi)量產(chǎn)。
2022-06-30 17:09:412729 臺(tái)積電在北美技術(shù)論壇上公開(kāi)了未來(lái)先進(jìn)制程的信息，其3nm芯片將于2022年內(nèi)量產(chǎn)，而首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)的2nm制程工藝芯片，預(yù)計(jì)將于2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2022-07-01 18:31:091391 臺(tái)積電首度推出采用GAAFET技術(shù)的2nm制程工藝，將于2025年量產(chǎn)，其采用FinFlex技術(shù)的3nm制程工藝將于2022年內(nèi)量產(chǎn)。
2022-07-04 18:13:312636 來(lái)源：TechWeb 近日，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，正如此前所報(bào)道的一樣，晶圓代工商臺(tái)積電，在他們旗下的晶圓十八廠，舉行了3nm制程工藝的量產(chǎn)及產(chǎn)能擴(kuò)張儀式，宣布3nm制程工藝以可觀的良品率成功量產(chǎn)
2022-12-30 17:13:11917 IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:19:391 IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:20:310 IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:22:152 IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:26:530 IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:33:100 IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-03-16 19:34:040 外媒在報(bào)道中提到，根據(jù)公布的計(jì)劃，三星電子將在2025年開(kāi)始，采用2nm制程工藝量產(chǎn)移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用所需的芯片，2026年開(kāi)始量產(chǎn)高性能計(jì)算設(shè)備的芯片，2027年則是利用2nm制程工藝開(kāi)始量產(chǎn)汽車所需的芯片。
2023-06-30 16:55:07459 IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:111 IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:561 IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:47:260 IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:12:510 IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:19:241 IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-07-06 20:20:122 目前臺(tái)積電正迅速擴(kuò)大海外生產(chǎn)能力，在美國(guó)亞利桑那州、日本熊本市建設(shè)工廠，并宣布了在德國(guó)建廠的計(jì)劃。臺(tái)積電在亞利桑那州第一座晶圓廠此前計(jì)劃延期，預(yù)計(jì)2025年上半年將開(kāi)始量產(chǎn)4nm工藝；第二座晶圓廠預(yù)計(jì)將于2026年開(kāi)始生產(chǎn)3nm制程芯片。
2023-11-23 16:26:48323
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