致力于提供IC失效分析服務(wù)的納瑞科技，將在IIC China 2013上展示：針對90納米線寬以下多層銅布線芯片的修改工藝，針對模擬信號IC芯片的低阻值連接和針對長距離連線的低阻值連接，新型氣體源FIB切割加工服務(wù)等多項新技術(shù)工藝。 屆時，納瑞科技的資深FIB操作工程師和技術(shù)專家將為觀眾做現(xiàn)場演示與講解。

　　針對90納米線寬以下多層銅布線芯片的修改工藝

　　隨著國內(nèi)IC設(shè)計水平的提高，線寬在90nm以下的芯片已經(jīng)趨于普遍。對FIB加工而言，這類芯片操作難度較大，主要體現(xiàn)在：1.金屬層較多；2.金屬線間距小，操作空間小，各層氧化層比較薄，各層都填加dummy metal。納瑞科技經(jīng)過技術(shù)改進(jìn)，能夠為28nm以上所有線寬的芯片進(jìn)行修改，技術(shù)達(dá)到國內(nèi)一流水平。

　　針對模擬IC的低阻值連接和針對長距離連線的低阻值連接

　　納瑞科技的連線電阻最低可以達(dá)到業(yè)界一般水平的1/20；針對一些特殊情況，納瑞還可以滿足客戶特別的阻值要求。

　　新型氣體源FIB切割加工服務(wù)

　　納瑞科技采用新型氣體源，為客戶提供特殊的樣片加工服務(wù)，如切斷Bongding線，縱切焊球截面等。

　　納瑞科技（北京）有限公司（Ion Beam）成立于2006年，由在聚焦離子束（掃描離子顯微鏡）應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域有多年經(jīng)驗的技術(shù)骨干創(chuàng)立而成。公司致力于為集成電路設(shè)計和制造工業(yè)，光電子工業(yè)，納米材料研究領(lǐng)域提供一流的分析技術(shù)服務(wù)，尤其專注離子束應(yīng)用技術(shù)在IC芯片修改以及失效分析領(lǐng)域的技術(shù)應(yīng)用及拓展。公司為研究人員提供截面分析、二次電子像以及透射電鏡樣品制備，同時也為聚焦離子束系統(tǒng)的應(yīng)用客戶提供維修、系統(tǒng)安裝、技術(shù)升級換代、系統(tǒng)耗材以及應(yīng)用開發(fā)和培訓(xùn)服務(wù)，這些服務(wù)將為IC芯片設(shè)計工程師，IC制造工程師縮短設(shè)計、制造時間，提高產(chǎn)品成品率。

　　除納瑞科技外，IIC China 2013 現(xiàn)場將匯集眾多優(yōu)質(zhì)技術(shù)廠商，于今年2月28日，3月1-2日在深圳會展中心舉行，歡迎廣大工程師朋友們蒞臨參觀、學(xué)習(xí)和交流。