電子發燒友網綜合報道，據韓媒報道，SK海力士副總裁李圭（音譯）近日在學術會議上表示，SK海力士正在推行混合鍵合在 HBM 上的應用。目前正處于研發階段，預計最早將應用于HBM4E。
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據介紹，目前客戶對HBM的要求為增加帶寬、提高功率效率、提高集成度。混合鍵合就是可以滿足此類需求的技術。
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混合鍵合技術預計不僅可應用于HBM，還可應用于3D DRAM和NAND Flash。SK海力士副總裁姜志浩（音譯）表示，“目前的做法是分別創建DRAM單元區域和外圍區域，然后使用混合鍵合將它們結合在一起，采用3D結構，將有可能克服當前2D形式DRAM的電路小型化限制。NAND也可以通過類似的結構來增加層數。”
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今年SK海力士將成功實現 HBM4 12 層量產，并根據客戶需求及時供應 HBM4E，從而進一步鞏固 HBM 領域的領先地位。
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SK海力士此前表示，1c工藝技術兼備著最高性能和成本競爭力，公司將其應用于新一代 HBM、LPDDR6、GDDR7等最先進 DRAM 主力產品群，由此為客戶提供差別化的價值。據悉，SK 海力士的 HBM4E內存有望采用1c nm制程的32Gb DRAM裸片。
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據外媒報道，SK海力士的1c nmDRAM內存工藝近期良率約為80%，較去年下半年的六成有明顯提升。一般而言DRAM內存工藝在良率達到80%~90%時就可進入正式量產，SK 海力士的1c nm制程即將達到大規模生產所需的水平。
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混合鍵合通過兩個芯片覆蓋介電材料如二氧化硅，介電材料嵌入與芯片相連的銅接點，接著將兩芯片接點面對合，再透過熱處理讓兩芯片銅接點受熱膨脹對接。與已廣泛使用的微凸塊堆疊技術相比，混合鍵合由于不配置凸塊，可容納較多堆疊層數，也能容納較厚的晶粒厚度，以改善翹曲問題。此外，使用混合鍵合的芯片傳輸速度較快，散熱效果也較好。
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分析機構 TrendForce 集邦咨詢表示，三大 HBM 內存巨頭在對堆疊高度限制、I/O 密度、散熱等要求的考量下，已確定于 HBM5 20hi（20 層堆疊）世代全面應用混合鍵合技術。
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在混合鍵合技術應用于閃存方面，長江存儲憑借 “晶棧（Xtacking）” 混合鍵合技術，在全球 NAND 閃存市場的競爭力不斷提升。長江存儲目前已經開始供應其第五代 3D TLC NAND 閃存產品，該產品有 294 層結構，其中包含 232 個有源層，是目前已經商用的 3D NAND 產品當中堆疊層數最高、存儲密度最高的，采用了 “晶棧（Xtacking）” 混合鍵合技術。
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今年2月韓媒報道稱，三星電子近日與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了專利許可協議，將從后者獲得3D NAND“混合鍵合”專利，該專利是一種將晶圓和晶圓直接鍵合的尖端封裝技術。
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三星此次獲取長江存儲專利授權，將主要用于下一代（V10）閃存芯片開發上，將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨立的硅片上制造，因此需要長江存儲的專利技術混合鍵合以實現直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統的凸點連接，形成間距為10μm及以下的互連。這代芯片計劃于今年下半年量產，堆疊層數將達到420層-430層。由于工藝流程問題，三星難以規避中國企業的專利，獲取授權是必然。此外，SK海力士也正在開發適用于400層以上NAND產品的混合鍵合技術，未來他們也可能需要與長江存儲簽訂專利授權協議。
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