盡管受到來(lái)自美國(guó)方面的批評(píng)與制裁,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍受到大陸政府全力扶植,近日傳出,2016年在湖北武漢成立、總投資達(dá)240億美元的長(zhǎng)江存儲(chǔ)正加快建設(shè)步伐,有望在2018年年底投產(chǎn),實(shí)現(xiàn)每月30萬(wàn)片晶
2018-11-14 09:34:07
1845 9月2日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布,其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存(每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位,每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存)正式量產(chǎn),以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 全球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營(yíng)銷(xiāo)領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation, NASDAQ: SIMO)宣布該公司全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2020-09-11 10:03:29
2569 對(duì)相關(guān)業(yè)務(wù)進(jìn)行了重新聚焦:壓縮了NAND部分產(chǎn)品線。 紫光存儲(chǔ)方面表示,未來(lái)隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND穩(wěn)步量產(chǎn),相關(guān)業(yè)務(wù)將逐步轉(zhuǎn)移到長(zhǎng)江存儲(chǔ);同時(shí),還將增強(qiáng)DRAM部分產(chǎn)品線。 去年9月2日,紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布,已開(kāi)始量產(chǎn)中國(guó)首款
2020-03-19 09:18:22
5200 作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存,長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-04-13 14:30:55
1390 2020年4月26日,在中央指導(dǎo)組物資保障組推動(dòng)湖北省工業(yè)品產(chǎn)銷(xiāo)對(duì)接會(huì)上,國(guó)科微與長(zhǎng)江存儲(chǔ)舉辦云簽約儀式,批量采購(gòu)長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存顆粒,全年采購(gòu)金額預(yù)計(jì)突破億元。這是繼今年1月7日簽署戰(zhàn)略合作
2020-04-27 09:46:34
4712 2019年長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)的64層閃存開(kāi)始量產(chǎn)之后,2020年他們又帶來(lái)了128層閃存,2021年則會(huì)帶來(lái)192層閃存。
2021-01-13 09:32:01
3633 3 月 9 日消息,蘋(píng)果正準(zhǔn)備將 10% 的 iPhone 12 生產(chǎn)從中國(guó)轉(zhuǎn)移到印度,新機(jī)不僅將在印度國(guó)內(nèi)銷(xiāo)售,同時(shí)也會(huì)出口海外。
2021-03-09 11:06:31
3198 研發(fā)者能夠證實(shí)對(duì)應(yīng)理論,這就意味著需要把理論工作轉(zhuǎn)移到實(shí)際的測(cè)試臺(tái)上。通過(guò)使用真實(shí)應(yīng)用場(chǎng)景中的實(shí)際波形,研發(fā)者開(kāi)發(fā)出產(chǎn)品原型并確定大規(guī)模MIMO的技術(shù)可行性和商業(yè)可行性。就新型無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)來(lái)說(shuō),把概念
2014-12-24 14:13:12
2016上海世界移動(dòng)大會(huì)期間,中國(guó)移動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)公司副總經(jīng)理喬輝向第一財(cái)經(jīng)等媒體表示,預(yù)計(jì)到2020年,中國(guó)移動(dòng)將實(shí)現(xiàn)1000億元收入規(guī)模,實(shí)現(xiàn)50億互聯(lián)網(wǎng)連接數(shù)。 據(jù)中國(guó)移動(dòng)預(yù)測(cè),到2020年
2016-06-30 14:54:26
軌跡產(chǎn)生的容量斜坡仍然比需求線平坦。面對(duì)此挑戰(zhàn),3GPP 標(biāo)準(zhǔn)實(shí)體近來(lái)提出了數(shù)據(jù)容量“到2020 年增長(zhǎng)1000 倍”的目標(biāo),以滿足演進(jìn)性或革命性創(chuàng)意的需要。這種概念要求基站部署極大規(guī)模的天線陣
2019-07-17 07:54:10
128層甚至更高,外圍電路可能會(huì)占到芯片Xtacking技術(shù)將外圍電路連接到存儲(chǔ)單元之上,從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度。據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存產(chǎn)品將在2020年進(jìn)入
2020-03-19 14:04:57
MT25QU128ABA8E12-1SIT閃存MT25QL128ABA8E12-0AAT在閃存方面,2020年西部數(shù)據(jù)和鎧俠合計(jì)占全球NAND Flash34%的市場(chǎng)份額。技術(shù)方面,今年西部數(shù)據(jù)也有
2022-01-24 09:01:00
的IntelliFlash業(yè)務(wù)對(duì)自身發(fā)展卻有很大的幫助。西部數(shù)據(jù)表示,該交易有望在2019年底完成,單位透露交易相關(guān)的財(cái)務(wù)條款,從2020財(cái)年第三季度(截至2020年4月3日)開(kāi)始,Western Digital計(jì)劃
2022-01-29 12:48:59
STM32開(kāi)發(fā)項(xiàng)目:如何從TRUEStudio轉(zhuǎn)移到STM32CubeIDE以 Ubuntu 18.04 的TRUEStudio(版本號(hào):9.1)轉(zhuǎn)移至macOS STM32CubeIDE(版本號(hào)
2022-02-17 06:28:09
隨著現(xiàn)代集成電路技術(shù)的發(fā)展,尤其是IP的大量使用,芯片的規(guī)模越來(lái)越大,系統(tǒng)功能越來(lái)越復(fù)雜,普通的EDA和FPGA仿真在速度和性能上已經(jīng)無(wú)法勝任芯片仿真驗(yàn)證的要求,功能驗(yàn)證已經(jīng)成為大規(guī)模芯片設(shè)計(jì)的一個(gè)
2010-05-28 13:41:35
579例程里使用的是Keil編譯的,我將工程轉(zhuǎn)移到MounRiver來(lái)編譯,編譯成功了,下載程序跑起來(lái)會(huì),串口會(huì)有幾率亂碼,在轉(zhuǎn)移到MounRiver是有什么要配置的嗎J?還是說(shuō)兼容不MounRiver編譯?
2022-09-02 06:47:45
Altera的cyclone3的EP3C10E144C8的工程文件用到了rom以及mif文件,那這個(gè)工程文件轉(zhuǎn)移到cyclone4 的EP4CE115F29C7中,還需要保留rom模塊和mif文件嗎?
2019-04-11 11:20:13
嗨 - 有關(guān)將某人從vDGA轉(zhuǎn)移到vGPU需要做些什么的想法?我們是否刪除了PCI HOLE條目?“2.調(diào)整pciHole.start。注意:僅當(dāng)虛擬機(jī)的配置內(nèi)存超過(guò)2GB時(shí)才需要此選項(xiàng)。對(duì)于配置
2018-09-07 16:47:48
,它已經(jīng)在向我們走來(lái)。記者從第十九屆高交會(huì)了解到,我國(guó)三大通信運(yùn)營(yíng)商將于2018年邁出5G商用第一步,并力爭(zhēng)在2020年實(shí)現(xiàn)5G的大規(guī)模商用。5G是怎樣的5G?從1G到4G,主要解決的是人與人之間的溝通
2017-12-01 18:52:12
變壓器工作時(shí)電能如何從一個(gè)線圈轉(zhuǎn)移到另一邊?線圈是怎樣傳遞能量的?磁場(chǎng)的作用是介質(zhì)還是什么
2023-03-27 16:08:28
器芯片自主發(fā)展成為當(dāng)務(wù)之急。2019年NAND市場(chǎng)上還有一個(gè)變數(shù),雖然它還是初生牛犢,但它是最有可能重塑存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)格局的,那就是中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司2019年會(huì)大規(guī)模量產(chǎn)3DNAND閃存,跟三星、東芝
2021-07-13 06:38:27
如何去推進(jìn)FTTH大規(guī)模建設(shè)?影響FTTH大規(guī)模建設(shè)的原因有哪些?
2021-05-27 06:58:13
大家好,我最近將我的項(xiàng)目從 Arduino 轉(zhuǎn)移到 ESP32,我在 arduino 上使用引腳 10,9 從我的設(shè)備和庫(kù) SoftwareSerial 傳輸 RX/TX。我想知道我可以在 ESP 中使用哪個(gè)引腳,如果我要使用 ESPSoftwareSerial。
2023-04-12 06:14:40
你好我有一個(gè)新的vc707板。我可以將舊的ISE設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)移到Vivado 2014.1。使用Vivado,我可以通過(guò)USB電纜將我的比特流下載到電路板上,沒(méi)有任何問(wèn)題。但是當(dāng)我嘗試使用Vivado將我
2020-05-29 10:43:03
我們有一個(gè)問(wèn)題,一個(gè)更大的(4096字節(jié))轉(zhuǎn)移到EP0。在Windows 8和超高速,這種轉(zhuǎn)移是失速控制轉(zhuǎn)移。較小(64字節(jié))傳送功。和4096字節(jié)傳輸似乎是工作在高速模式的USB2.0端口。捕捉
2019-04-29 10:22:37
想把dsp c6727代碼轉(zhuǎn)移到dsp c6745上,請(qǐng)問(wèn)需要改動(dòng)大嗎,之前用的是ccs3.3,現(xiàn)在用ccs5.5
2018-08-01 07:01:24
有個(gè)問(wèn)題一直困擾我,到底無(wú)源有損緩沖電路到底是能提高效率,還是把損耗轉(zhuǎn)移到緩沖電路的電阻上去了!!請(qǐng)高手解答一下!!!
2019-03-08 14:07:55
輪胎壓力監(jiān)測(cè)(TPM)系統(tǒng)有望獲得大規(guī)模應(yīng)用。
2021-05-12 06:02:56
APD 14.2 wirebond的檔案轉(zhuǎn)移到15版 1. 前言 若原始APD設(shè)計(jì)檔案是在14.2設(shè)計(jì),后來存成15版,這時(shí)你會(huì)發(fā)現(xiàn)原本在14.2版對(duì)wirebonding可以執(zhí)行的編輯動(dòng)作,例如 rea
2009-09-06 11:03:10
0 在春節(jié)長(zhǎng)假期,國(guó)人歡慶佳節(jié)的時(shí)候,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的工廠依然在加緊建設(shè),以確保今年三季度投產(chǎn)NAND flash,隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)投產(chǎn),中國(guó)可望打破當(dāng)前三星在NAND flash行業(yè)獨(dú)大的局面。
2018-07-02 12:49:00
5365 當(dāng)然中國(guó)的存儲(chǔ)芯片企業(yè)在投產(chǎn)后還需要在技術(shù)方面追趕韓美日等存儲(chǔ)芯片企業(yè),長(zhǎng)江存儲(chǔ)當(dāng)下準(zhǔn)備投產(chǎn)的為32層NAND flash而韓國(guó)三星去年就開(kāi)始大規(guī)模投產(chǎn)64層NAND flash,長(zhǎng)江存儲(chǔ)希望在未來(lái)兩三年實(shí)現(xiàn)64層NAND flash的技術(shù)突破,將技術(shù)差距縮短到兩年內(nèi)。
2018-04-17 09:37:19
40150 按照計(jì)劃,今年四季度,設(shè)備有望點(diǎn)亮投產(chǎn)。紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁、長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)高啟全透露,今年將量產(chǎn)的產(chǎn)品,是去年成功研發(fā)的中國(guó)首顆32層三維NAND閃存芯片,就在4月9日,這顆耗資10億美元
2018-04-23 11:20:00
3309 
目前世界上存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)主要由美、日、韓主導(dǎo),是高度壟斷的寡頭市場(chǎng)格局,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的成立就是希望打破這一行業(yè)壟斷。
2018-11-21 17:40:02
7293 
NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷,中國(guó)公司在此領(lǐng)域毫無(wú)話語(yǔ)權(quán),甚至連收購(gòu)、合作外資公司都沒(méi)可能,想獲得突破還得靠國(guó)產(chǎn)公司自立。紫光公司主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2018-11-23 08:45:28
12115 SCiB可充電電池業(yè)務(wù)將由東芝基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)與解決方案公司(TISS)分拆直接轉(zhuǎn)移到東芝。
2019-01-04 08:42:41
3330 1月30日,據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道,華為正要求臺(tái)積電和日月光等供應(yīng)商將部分生產(chǎn)線轉(zhuǎn)移到大陸,以此來(lái)應(yīng)對(duì)美國(guó)可能采取的禁令。
2019-02-20 09:00:56
3612 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片再下一城,日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱(chēng),中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片,這對(duì)價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場(chǎng)無(wú)疑又將帶來(lái)一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:12
1582 紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)YMTC是國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片陣營(yíng)中主修NAND閃存的公司,也是目前進(jìn)度最好的,去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存,前不久紫光在深圳第七屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)
2019-04-18 16:18:52
2080 據(jù)路透社報(bào)道,LG計(jì)劃暫停在韓國(guó)工廠生產(chǎn)智能手機(jī),或?qū)⑸a(chǎn)轉(zhuǎn)移到其在越南的工廠。
2019-04-30 16:49:16
3010 計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)已經(jīng)從帶有磁鐵的電線轉(zhuǎn)移到硬盤(pán)上,隨后再轉(zhuǎn)移到三維存儲(chǔ)芯片上,但未來(lái)的存儲(chǔ)技術(shù)可能會(huì)使用DNA。
2019-07-01 11:11:21
946 完成“清潔”操作后 在整個(gè)任務(wù)期間–設(shè)計(jì),繪制電路和跟蹤PCB,您需要將設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)移到真實(shí)的板上。從這里開(kāi)始,我稱(chēng)之為“混亂”。設(shè)計(jì)的一部分。在家設(shè)計(jì)時(shí),有幾種選擇–使用原型板或自己制作PCB。在第二種選擇中,您必須將PCB圖像轉(zhuǎn)移到帶有銅層的板上。
2019-10-03 13:12:00
1937 據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國(guó)武漢成立,是一家專(zhuān)注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:00
2612 今年一季度,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)開(kāi)始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-25 16:53:33
824 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片終于“抬起了頭”。
在被美日韓掌控的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上,終于有中國(guó)公司可以殺進(jìn)去跟國(guó)際大廠正面競(jìng)爭(zhēng)了。據(jù)報(bào)道,今年一季度,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)開(kāi)始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-29 09:46:24
3065 由于中國(guó)的LCD(液晶顯示器)品質(zhì)提升,加上產(chǎn)品具價(jià)格優(yōu)勢(shì),市調(diào)公司DSCC指出,明年三星電子、LG電子的LCD電視面板的核心將從韓國(guó)轉(zhuǎn)移到中國(guó)。
2019-11-28 11:43:07
2462 紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2019年9月份正式量產(chǎn)了國(guó)內(nèi)首個(gè)64層堆棧的3D閃存,容量256Gb,TLC芯片,2020年長(zhǎng)江存儲(chǔ)還會(huì)進(jìn)一步提升產(chǎn)能,年底將達(dá)到每月6萬(wàn)片晶圓的水平,是初期產(chǎn)能的10倍。
2020-01-09 09:38:53
3905 今天,長(zhǎng)江存儲(chǔ)召開(kāi)市場(chǎng)合作伙伴新春溝通會(huì),紫光、群聯(lián)、威剛、慧榮等知名大廠前來(lái)站臺(tái),其中威剛還宣布將會(huì)率先推出搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存的消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品。現(xiàn)在根據(jù)科創(chuàng)板電報(bào)的消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存的存儲(chǔ)密度是全球第一,絕不是低端產(chǎn)品。
2020-01-17 10:26:08
3034 據(jù)介紹,長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)了自己的Xtacking堆棧架構(gòu),已經(jīng)可以保證可靠性問(wèn)題。就在日前,長(zhǎng)江存儲(chǔ)確認(rèn)采用Xtacking技術(shù)的64層3D閃存產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),并正擴(kuò)充產(chǎn)能,將盡早達(dá)成10萬(wàn)片晶圓的月產(chǎn)能規(guī)模,并按期建成30萬(wàn)片月產(chǎn)能。
2020-01-17 11:29:17
4775 1月16號(hào),長(zhǎng)江存儲(chǔ)召開(kāi)市場(chǎng)合作伙伴新春溝通會(huì),紫光、群聯(lián)、威剛、慧榮等知名大廠前來(lái)站臺(tái),其中威剛還宣布將會(huì)率先推出搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存的消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品。現(xiàn)在根據(jù)科創(chuàng)板電報(bào)的消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存的存儲(chǔ)密度是全球第一,絕不是低端產(chǎn)品。
2020-01-17 14:43:55
3442 2月21日,據(jù)DigiTimes的一份數(shù)據(jù)顯示,蘋(píng)果公司有意將旗下AirPods、Apple Watch和iPad的部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到中國(guó)臺(tái)灣的代工廠。
2020-02-21 16:23:47
2508 據(jù)證券時(shí)報(bào)消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示,128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工,從中長(zhǎng)期來(lái)看,這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:15
2377 今年初,長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷(xiāo)售資深副總裁龔翔曾公開(kāi)表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將跳過(guò)如今業(yè)界常見(jiàn)的96層堆疊閃存技術(shù),直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。
2020-04-08 16:38:21
861 在今年,全球閃存廠商都在集體奔向100+層,例如SK海力士的128層已經(jīng)穩(wěn)定出貨,并計(jì)劃在年底推出196層內(nèi)存,三星、鎂光、西數(shù)、Intel也都已經(jīng)突破了百層。近期,國(guó)內(nèi)長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷(xiāo)售資深副總裁龔翔表示,將跳過(guò)96層,直接投入128層閃存的技術(shù)研發(fā)和量產(chǎn)。
2020-04-11 16:47:51
3452 今日(4月13日),長(zhǎng)江存儲(chǔ)重磅宣布,其128層QLC 3D閃存(X2-6070)研制成功,并已在多家主控商場(chǎng)SSD等終端產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 09:23:09
805 2020年4月13日,中國(guó)武漢,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)
2020-04-13 09:29:41
5557 的3DNAND閃存,長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量①。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512GbTLC(3bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號(hào):X2-9060),以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2020-04-13 14:25:11
3068 2020年4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 14:41:52
2653 4月13日,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(長(zhǎng)江存儲(chǔ))宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功。
2020-04-13 17:14:49
1128 據(jù)媒體報(bào)道指國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)已開(kāi)發(fā)出128層的NAND flash存儲(chǔ)芯片,這是當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù),意味著中國(guó)的存儲(chǔ)芯片技術(shù)已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:45
12821 4月17日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,知情人士稱(chēng),華為正逐步將公司內(nèi)部設(shè)計(jì)芯片的生產(chǎn)工作,從臺(tái)積電逐步轉(zhuǎn)移到中芯國(guó)際來(lái)完成。知情人士稱(chēng),華為旗下芯片部門(mén),即海思半導(dǎo)體在2019年底開(kāi)始指示部分工程師為中芯國(guó)際而非臺(tái)積電設(shè)計(jì)芯片。
2020-04-17 10:59:07
2694 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,知情人士稱(chēng),華為正將公司內(nèi)部設(shè)計(jì)芯片的生產(chǎn)工作,從臺(tái)積電逐步轉(zhuǎn)移到中芯國(guó)際來(lái)完成。
2020-04-17 14:50:09
2946 長(zhǎng)江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功,型號(hào)為X2-6070,并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:06
2793 對(duì)3D閃存來(lái)說(shuō),堆棧層數(shù)越多,容量就越大,存儲(chǔ)密度就越高,這是3D閃存的核心競(jìng)爭(zhēng)力,2020年全球?qū)?b class="flag-6" style="color: red">大規(guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存。
2020-04-20 09:25:07
3456 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發(fā)成功,已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:00
2648 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功,這標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商向世界最先進(jìn)技術(shù)水準(zhǔn)又邁進(jìn)了一步。
2020-05-07 14:59:22
4866 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-12 09:54:01
4145 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功。同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號(hào):X2-9060),用以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2020-07-06 16:49:42
1372 全球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營(yíng)銷(xiāo)領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation,NASDAQ:SIMO)宣布該公司全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2020-09-11 11:12:16
1889 全球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營(yíng)銷(xiāo)領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation,NASDAQ:SIMO)宣布該公司全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2020-09-11 11:12:19
1922 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,專(zhuān)注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:49
2025 據(jù)外媒報(bào)道,蘋(píng)果已經(jīng)要求富士康將部分iPad和MacBook生產(chǎn)線從中國(guó)轉(zhuǎn)移到越南。 新產(chǎn)線預(yù)計(jì)2021上半年投產(chǎn),地點(diǎn)位于越南北江省。 報(bào)道援引知情人士說(shuō)法稱(chēng),蘋(píng)果處于全球貿(mào)易局勢(shì)考慮做出上述打算
2020-11-27 16:01:18
757 在臺(tái)積電5nm工藝大規(guī)模投產(chǎn)之后,臺(tái)積電將投產(chǎn)的下一代重大芯片制程工藝3nm,目前正在按計(jì)劃推進(jìn),計(jì)劃在2021年開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn)。
2020-09-28 16:54:20
3548 NAND Flash作為全球最為重要的存儲(chǔ)芯片之一,目前被全球六大廠商進(jìn)行壟斷競(jìng)爭(zhēng),中國(guó)NAND Flash廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)已在2020年第一季將128層3D NAND樣品送交存儲(chǔ)控制器廠商,目標(biāo)第三季進(jìn)入投片量產(chǎn),未來(lái)中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望打破國(guó)外在NAND FLASH的壟斷競(jìng)爭(zhēng)格局。
2021-01-11 14:18:33
3386 2019年長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)的64層閃存開(kāi)始量產(chǎn)之后,2020年他們又帶來(lái)了128層閃存,2021年則會(huì)帶來(lái)192層閃存。 日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱(chēng),中國(guó)閃存廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在加速擴(kuò)張閃存產(chǎn)能,計(jì)劃在2021
2021-01-12 14:37:42
6603 昨天日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱(chēng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)2021年的產(chǎn)能將翻倍,達(dá)到10萬(wàn)片晶圓/月,年中還有192層閃存的試產(chǎn),不過(guò)長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天否認(rèn)相關(guān)內(nèi)容。
2021-01-14 10:21:38
2074 2020年4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功,這也是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存。同年8月14日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團(tuán)展臺(tái)上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:36
2093 從TMS320F281xDSP片上FLASH中運(yùn)行應(yīng)用程序_從FLASH轉(zhuǎn)移到RAM運(yùn)行_BIOS(單片機(jī)和嵌入式開(kāi)發(fā))-該文檔為從TMS320F281xDSP片上FLASH中運(yùn)行應(yīng)用程序
2021-07-30 11:54:40
2 STM32開(kāi)發(fā)項(xiàng)目:如何從TRUEStudio轉(zhuǎn)移到STM32CubeIDE以 Ubuntu 18.04 的TRUEStudio(版本號(hào):9.1)轉(zhuǎn)移至macOS STM32CubeIDE(版本號(hào)
2021-12-22 18:54:19
2 2022年4月19日,中國(guó)武漢,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片,可廣泛適用于高端旗艦
2022-04-19 11:08:46
1748 主要的超大規(guī)模參與者期待廣泛的電子行業(yè)和存儲(chǔ)器制造商進(jìn)行大量創(chuàng)新,包括對(duì)現(xiàn)有存儲(chǔ)器(如 DRAM 和 NAND 閃存)的改進(jìn)
2022-08-17 09:57:11
257 
即便長(zhǎng)江存儲(chǔ)的這些芯片產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)認(rèn)證,但在新 iPhone 開(kāi)始量產(chǎn)時(shí),這些 NAND Flash 并沒(méi)有跟著進(jìn)入產(chǎn)線中。
2022-10-20 15:01:27
1613 10月17日消息,據(jù)《日經(jīng)新聞》報(bào)道,雖然蘋(píng)果此前已確認(rèn)正在測(cè)試在iPhone產(chǎn)品中導(dǎo)入中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)的NAND Flash閃存芯片,但是現(xiàn)在,蘋(píng)果似乎已經(jīng)暫停了在旗下產(chǎn)品中使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2022-10-25 20:28:47
634 嵌入式開(kāi)發(fā)中,如何將Flash中的程序轉(zhuǎn)移到RAM中運(yùn)行? Flash存儲(chǔ)器是嵌入式設(shè)備中常用的一種非易失性存儲(chǔ)器,它通常用來(lái)存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)。在某些情況下,我們可能需要將存儲(chǔ)在Flash中的程序
2023-10-29 16:23:58
1192 長(zhǎng)江存儲(chǔ)1Tb TLC芯片的存儲(chǔ)密度已達(dá)15.47Gb每平方毫米,1Tb QLC更是高達(dá)19.8Gb每平方毫米,在兩種閃存類(lèi)型中都無(wú)出其右者。
2023-11-02 11:11:46
844 
長(zhǎng)江存儲(chǔ)在以上起訴書(shū)中稱(chēng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場(chǎng)的重要參與者。長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場(chǎng)的TechInsights公司得出結(jié)論:長(zhǎng)江存儲(chǔ)是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,超過(guò)了美光。
2023-11-13 16:53:04
531 
長(zhǎng)江存儲(chǔ)與美光芯片戰(zhàn)升級(jí)。3D NAND閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ),已于9日在美國(guó)加州北區(qū)地方法院對(duì)美國(guó)記憶芯片龍頭美光科技提告,指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)8項(xiàng)與3D NAND相關(guān)的美國(guó)專(zhuān)利。
2023-11-13 17:24:51
547 通過(guò)轉(zhuǎn)移到SiC技術(shù)來(lái)獲得暖通空調(diào)更佳的SEER等級(jí)
2023-11-28 16:56:41
193 
據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo),友達(dá)光電(2409)將在本月底之前關(guān)閉在新加坡的LCD面板產(chǎn)線,生產(chǎn)設(shè)備轉(zhuǎn)移到中國(guó)臺(tái)灣,將影響多達(dá)500名員工。
2023-12-21 10:20:17
167 存儲(chǔ)芯片在電子產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著非常重要的角色,主要分為閃存和內(nèi)存,閃存包括 NAND Flash 和 NOR Flash ,內(nèi)存主要為 DRAM 。 2019 年,由于市場(chǎng)低迷及產(chǎn)能過(guò)剩,存儲(chǔ)芯片
2020-01-06 08:30:00
25409 在CITE 2020上,紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品,其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:14
4019
評(píng)論