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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>長(zhǎng)江存儲(chǔ)主要精力轉(zhuǎn)移到128層閃存芯片上 有望在2020年大規(guī)模投產(chǎn)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)主要精力轉(zhuǎn)移到128層閃存芯片上 有望在2020年大規(guī)模投產(chǎn)

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嗨 - 有關(guān)將某人從vDGA轉(zhuǎn)移到vGPU需要做些什么的想法?我們是否刪除了PCI HOLE條目?“2.調(diào)整pciHole.start。注意:僅當(dāng)虛擬機(jī)的配置內(nèi)存超過(guò)2GB時(shí)才需要此選項(xiàng)。對(duì)于配置
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層三維NAND閃存芯片量產(chǎn)提上日程 光谷是希望之地

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長(zhǎng)江存儲(chǔ)投產(chǎn)32層3D NAND,計(jì)劃2020年進(jìn)入128層堆疊

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長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)在2019年全速量產(chǎn) 2020年會(huì)趕超國(guó)際領(lǐng)先的閃存公司

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2018-11-23 08:45:2812115

TISS將SCiB可充電電池業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)移到東芝

SCiB可充電電池業(yè)務(wù)將由東芝基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)與解決方案公司(TISS)分拆直接轉(zhuǎn)移到東芝。
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華為要求臺(tái)積電等供應(yīng)商將部分生產(chǎn)線轉(zhuǎn)移到大陸

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與DRAM領(lǐng)域不同 長(zhǎng)江存儲(chǔ)在NAND領(lǐng)域取得了進(jìn)展

紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)YMTC是國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片陣營(yíng)中主修NAND閃存的公司,也是目前進(jìn)度最好的,去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存,前不久紫光在深圳第七屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)
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LG計(jì)劃暫停在韓國(guó)工廠生產(chǎn)智能手機(jī),或?qū)⑸a(chǎn)轉(zhuǎn)移到其在越南的工廠。

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2019-04-30 16:49:163010

16GB維基百科數(shù)據(jù)寫(xiě)入DNA的新存儲(chǔ)技術(shù)

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PCB設(shè)計(jì)文件轉(zhuǎn)移到真實(shí)的電路板上

完成“清潔”操作后 在整個(gè)任務(wù)期間–設(shè)計(jì),繪制電路和跟蹤PCB,您需要將設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)移到真實(shí)的板上。從這里開(kāi)始,我稱(chēng)之為“混亂”。設(shè)計(jì)的一部分。在家設(shè)計(jì)時(shí),有幾種選擇–使用原型板或自己制作PCB。在第二種選擇中,您必須將PCB圖像轉(zhuǎn)移到帶有銅層的板上。
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紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存芯片首次公開(kāi)亮相

據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國(guó)武漢成立,是一家專(zhuān)注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:002612

長(zhǎng)江存儲(chǔ)投產(chǎn)64層堆棧3D閃存 將在年底提高產(chǎn)能到6萬(wàn)片

今年一季度,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)開(kāi)始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-25 16:53:33824

明年長(zhǎng)江存儲(chǔ)將實(shí)現(xiàn)加大3D閃存芯片產(chǎn)能

 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片終于“抬起了頭”。   在被美日韓掌控的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上,終于有中國(guó)公司可以殺進(jìn)去跟國(guó)際大廠正面競(jìng)爭(zhēng)了。據(jù)報(bào)道,今年一季度,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)開(kāi)始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-29 09:46:243065

韓國(guó)LCD制造商核心將轉(zhuǎn)移到中國(guó)

由于中國(guó)的LCD(液晶顯示器)品質(zhì)提升,加上產(chǎn)品具價(jià)格優(yōu)勢(shì),市調(diào)公司DSCC指出,明年三星電子、LG電子的LCD電視面板的核心將從韓國(guó)轉(zhuǎn)移到中國(guó)。
2019-11-28 11:43:072462

中微中標(biāo)9臺(tái)長(zhǎng)江存儲(chǔ)蝕刻機(jī),國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備也很好

紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2019年9月份正式量產(chǎn)了國(guó)內(nèi)首個(gè)64層堆棧的3D閃存,容量256Gb,TLC芯片2020長(zhǎng)江存儲(chǔ)還會(huì)進(jìn)一步提升產(chǎn)能,年底將達(dá)到每月6萬(wàn)片晶圓的水平,是初期產(chǎn)能的10倍。
2020-01-09 09:38:533905

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存存儲(chǔ)密度全球第一

今天,長(zhǎng)江存儲(chǔ)召開(kāi)市場(chǎng)合作伙伴新春溝通會(huì),紫光、群聯(lián)、威剛、慧榮等知名大廠前來(lái)站臺(tái),其中威剛還宣布將會(huì)率先推出搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存的消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品。現(xiàn)在根據(jù)科創(chuàng)板電報(bào)的消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存存儲(chǔ)密度是全球第一,絕不是低端產(chǎn)品。
2020-01-17 10:26:083034

長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存128層堆疊產(chǎn)品里先進(jìn)水平還差多遠(yuǎn)?

據(jù)介紹,長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)了自己的Xtacking堆棧架構(gòu),已經(jīng)可以保證可靠性問(wèn)題。就在日前,長(zhǎng)江存儲(chǔ)確認(rèn)采用Xtacking技術(shù)的64層3D閃存產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),并正擴(kuò)充產(chǎn)能,將盡早達(dá)成10萬(wàn)片晶圓的月產(chǎn)能規(guī)模,并按期建成30萬(wàn)片月產(chǎn)能。
2020-01-17 11:29:174775

搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存的消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品推出

1月16號(hào),長(zhǎng)江存儲(chǔ)召開(kāi)市場(chǎng)合作伙伴新春溝通會(huì),紫光、群聯(lián)、威剛、慧榮等知名大廠前來(lái)站臺(tái),其中威剛還宣布將會(huì)率先推出搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存的消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品。現(xiàn)在根據(jù)科創(chuàng)板電報(bào)的消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存存儲(chǔ)密度是全球第一,絕不是低端產(chǎn)品。
2020-01-17 14:43:553442

受疫情影響,蘋(píng)果欲將手表和AirPods生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到臺(tái)灣?

2月21日,據(jù)DigiTimes的一份數(shù)據(jù)顯示,蘋(píng)果公司有意將旗下AirPods、Apple Watch和iPad的部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到中國(guó)臺(tái)灣的代工廠。
2020-02-21 16:23:472508

長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示128層3D NAND技術(shù)會(huì)按計(jì)劃推出

據(jù)證券時(shí)報(bào)消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示,128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工,從中長(zhǎng)期來(lái)看,這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152377

長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布將跳過(guò)96層堆疊閃存技術(shù)直接投入128閃存研發(fā)和量產(chǎn)

今年初,長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷(xiāo)售資深副總裁龔翔曾公開(kāi)表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將跳過(guò)如今業(yè)界常見(jiàn)的96層堆疊閃存技術(shù),直接投入128閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。
2020-04-08 16:38:21861

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128閃存今年投入技術(shù)研發(fā)和實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

在今年,全球閃存廠商都在集體奔向100+層,例如SK海力士的128層已經(jīng)穩(wěn)定出貨,并計(jì)劃在年底推出196層內(nèi)存,三星、鎂光、西數(shù)、Intel也都已經(jīng)突破了百層。近期,國(guó)內(nèi)長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷(xiāo)售資深副總裁龔翔表示,將跳過(guò)96層,直接投入128閃存的技術(shù)研發(fā)和量產(chǎn)。
2020-04-11 16:47:513452

長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布成功研制128層QLC 3D閃存 將是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3D NAND

今日(4月13日),長(zhǎng)江存儲(chǔ)重磅宣布,其128層QLC 3D閃存(X2-6070)研制成功,并已在多家主控商場(chǎng)SSD等終端產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 09:23:09805

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出 128 層 QLC 閃存,單顆容量達(dá) 1.33Tb

2020年4月13日,中國(guó)武漢,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)
2020-04-13 09:29:415557

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存,滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求

的3DNAND閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量①。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512GbTLC(3bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號(hào):X2-9060),以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2020-04-13 14:25:113068

業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存有哪些特點(diǎn)?

2020年4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 14:41:522653

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首推128層QLC閃存,單顆容量可達(dá)1.33Tb

4月13日,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(長(zhǎng)江存儲(chǔ))宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功。
2020-04-13 17:14:491128

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層NAND flash存儲(chǔ)芯片 中國(guó)存儲(chǔ)芯片國(guó)際領(lǐng)先

據(jù)媒體報(bào)道指國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)已開(kāi)發(fā)出128層的NAND flash存儲(chǔ)芯片,這是當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù),意味著中國(guó)的存儲(chǔ)芯片技術(shù)已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4512821

華為內(nèi)部設(shè)計(jì)芯片生產(chǎn)工作正逐步轉(zhuǎn)移到中芯國(guó)際 資源將向中芯國(guó)際傾斜

4月17日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,知情人士稱(chēng),華為正逐步將公司內(nèi)部設(shè)計(jì)芯片的生產(chǎn)工作,從臺(tái)積電逐步轉(zhuǎn)移到中芯國(guó)際來(lái)完成。知情人士稱(chēng),華為旗下芯片部門(mén),即海思半導(dǎo)體在2019年底開(kāi)始指示部分工程師為中芯國(guó)際而非臺(tái)積電設(shè)計(jì)芯片
2020-04-17 10:59:072694

華為將逐步把芯片生產(chǎn)工作從臺(tái)積電轉(zhuǎn)移到中芯國(guó)際

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,知情人士稱(chēng),華為正將公司內(nèi)部設(shè)計(jì)芯片的生產(chǎn)工作,從臺(tái)積電逐步轉(zhuǎn)移到中芯國(guó)際來(lái)完成。
2020-04-17 14:50:092946

長(zhǎng)江儲(chǔ)存宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品已研發(fā)成功

長(zhǎng)江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功,型號(hào)為X2-6070,并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:062793

中國(guó)128層QLC閃存后 三星正研發(fā)160層閃存

對(duì)3D閃存來(lái)說(shuō),堆棧層數(shù)越多,容量就越大,存儲(chǔ)密度就越高,這是3D閃存的核心競(jìng)爭(zhēng)力,2020年全球?qū)?b class="flag-6" style="color: red">大規(guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存
2020-04-20 09:25:073456

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)創(chuàng)新,128層3D NAND閃存芯片問(wèn)世

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發(fā)成功,已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:002648

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層NAND閃存研發(fā)成功,跳過(guò)了96層

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功,這標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商向世界最先進(jìn)技術(shù)水準(zhǔn)又邁進(jìn)了一步。
2020-05-07 14:59:224866

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC閃存,1.6Gbps單顆容量1.33Tb

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-12 09:54:014145

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首發(fā)128層QLC閃存

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功。同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號(hào):X2-9060),用以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2020-07-06 16:49:421372

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

全球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營(yíng)銷(xiāo)領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation,NASDAQ:SIMO)宣布該公司全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2020-09-11 11:12:161889

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

全球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營(yíng)銷(xiāo)領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation,NASDAQ:SIMO)宣布該公司全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2020-09-11 11:12:191922

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,專(zhuān)注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025

蘋(píng)果計(jì)劃iPad和MacBook生產(chǎn)線轉(zhuǎn)移到越南

據(jù)外媒報(bào)道,蘋(píng)果已經(jīng)要求富士康將部分iPad和MacBook生產(chǎn)線從中國(guó)轉(zhuǎn)移到越南。 新產(chǎn)線預(yù)計(jì)2021上半年投產(chǎn),地點(diǎn)位于越南北江省。 報(bào)道援引知情人士說(shuō)法稱(chēng),蘋(píng)果處于全球貿(mào)易局勢(shì)考慮做出上述打算
2020-11-27 16:01:18757

臺(tái)積電3nm制程工藝計(jì)劃2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn) 或先將供應(yīng)蘋(píng)果

在臺(tái)積電5nm工藝大規(guī)模投產(chǎn)之后,臺(tái)積電將投產(chǎn)的下一代重大芯片制程工藝3nm,目前正在按計(jì)劃推進(jìn),計(jì)劃在2021年開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn)
2020-09-28 16:54:203548

全球六大廠商壟斷競(jìng)爭(zhēng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望打破壟斷

NAND Flash作為全球最為重要的存儲(chǔ)芯片之一,目前被全球六大廠商進(jìn)行壟斷競(jìng)爭(zhēng),中國(guó)NAND Flash廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)已在2020年第一季將128層3D NAND樣品送交存儲(chǔ)控制器廠商,目標(biāo)第三季進(jìn)入投片量產(chǎn),未來(lái)中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望打破國(guó)外在NAND FLASH的壟斷競(jìng)爭(zhēng)格局。
2021-01-11 14:18:333386

長(zhǎng)江存儲(chǔ)最快在2021年中旬試產(chǎn)首批192層閃存,國(guó)產(chǎn)閃存產(chǎn)能年底可占全球7%

2019年長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)的64層閃存開(kāi)始量產(chǎn)之后,2020年他們又帶來(lái)了128閃存,2021年則會(huì)帶來(lái)192層閃存。 日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱(chēng),中國(guó)閃存廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在加速擴(kuò)張閃存產(chǎn)能,計(jì)劃在2021
2021-01-12 14:37:426603

長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存產(chǎn)能翻倍?謠言!

昨天日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱(chēng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)2021年的產(chǎn)能將翻倍,達(dá)到10萬(wàn)片晶圓/月,年中還有192層閃存的試產(chǎn),不過(guò)長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天否認(rèn)相關(guān)內(nèi)容。
2021-01-14 10:21:382074

盤(pán)點(diǎn)2020存儲(chǔ)行業(yè)十大事件

2020年4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功,這也是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存。同年8月14日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團(tuán)展臺(tái)上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362093

從TMS320F281xDSP片上FLASH中運(yùn)行應(yīng)用程序_從FLASH轉(zhuǎn)移到RAM運(yùn)行_BIOS

從TMS320F281xDSP片上FLASH中運(yùn)行應(yīng)用程序_從FLASH轉(zhuǎn)移到RAM運(yùn)行_BIOS(單片機(jī)和嵌入式開(kāi)發(fā))-該文檔為從TMS320F281xDSP片上FLASH中運(yùn)行應(yīng)用程序
2021-07-30 11:54:402

STM32開(kāi)發(fā)項(xiàng)目:如何從TRUEStudio轉(zhuǎn)移到STM32CubeIDE

STM32開(kāi)發(fā)項(xiàng)目:如何從TRUEStudio轉(zhuǎn)移到STM32CubeIDE以 Ubuntu 18.04 的TRUEStudio(版本號(hào):9.1)轉(zhuǎn)移至macOS STM32CubeIDE(版本號(hào)
2021-12-22 18:54:192

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存芯片,加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)

2022年4月19日,中國(guó)武漢,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片,可廣泛適用于高端旗艦
2022-04-19 11:08:461748

大規(guī)模玩家推動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備創(chuàng)新

主要的超大規(guī)模參與者期待廣泛的電子行業(yè)和存儲(chǔ)器制造商進(jìn)行大量創(chuàng)新,包括對(duì)現(xiàn)有存儲(chǔ)器(如 DRAM 和 NAND 閃存)的改進(jìn)
2022-08-17 09:57:11257

傳蘋(píng)果暫停長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存芯片計(jì)劃

即便長(zhǎng)江存儲(chǔ)的這些芯片產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)認(rèn)證,但在新 iPhone 開(kāi)始量產(chǎn)時(shí),這些 NAND Flash 并沒(méi)有跟著進(jìn)入產(chǎn)線中。
2022-10-20 15:01:271613

傳蘋(píng)果已暫停采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND閃存芯片的計(jì)劃

10月17日消息,據(jù)《日經(jīng)新聞》報(bào)道,雖然蘋(píng)果此前已確認(rèn)正在測(cè)試在iPhone產(chǎn)品中導(dǎo)入中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)的NAND Flash閃存芯片,但是現(xiàn)在,蘋(píng)果似乎已經(jīng)暫停了在旗下產(chǎn)品中使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2022-10-25 20:28:47634

嵌入式開(kāi)發(fā)中,如何將Flash中的程序轉(zhuǎn)移到RAM中運(yùn)行?

嵌入式開(kāi)發(fā)中,如何將Flash中的程序轉(zhuǎn)移到RAM中運(yùn)行? Flash存儲(chǔ)器是嵌入式設(shè)備中常用的一種非易失性存儲(chǔ)器,它通常用來(lái)存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)。在某些情況下,我們可能需要將存儲(chǔ)在Flash中的程序
2023-10-29 16:23:581192

長(zhǎng)江存儲(chǔ)232層閃存揭秘

長(zhǎng)江存儲(chǔ)1Tb TLC芯片存儲(chǔ)密度已達(dá)15.47Gb每平方毫米,1Tb QLC更是高達(dá)19.8Gb每平方毫米,在兩種閃存類(lèi)型中都無(wú)出其右者。
2023-11-02 11:11:46844

長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴美光!

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在以上起訴書(shū)中稱(chēng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場(chǎng)的重要參與者。長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場(chǎng)的TechInsights公司得出結(jié)論:長(zhǎng)江存儲(chǔ)是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,超過(guò)了美光。
2023-11-13 16:53:04531

8項(xiàng)專(zhuān)利被侵權(quán)!美光與長(zhǎng)江存儲(chǔ)陷入專(zhuān)利之爭(zhēng)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)與美光芯片戰(zhàn)升級(jí)。3D NAND閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ),已于9日在美國(guó)加州北區(qū)地方法院對(duì)美國(guó)記憶芯片龍頭美光科技提告,指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)8項(xiàng)與3D NAND相關(guān)的美國(guó)專(zhuān)利。
2023-11-13 17:24:51547

通過(guò)轉(zhuǎn)移到SiC技術(shù)來(lái)獲得暖通空調(diào)更佳的SEER等級(jí)

通過(guò)轉(zhuǎn)移到SiC技術(shù)來(lái)獲得暖通空調(diào)更佳的SEER等級(jí)
2023-11-28 16:56:41193

友達(dá)宣布關(guān)閉新加坡LCD面板產(chǎn)線,生產(chǎn)設(shè)備轉(zhuǎn)移到中國(guó)臺(tái)灣

據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo),友達(dá)光電(2409)將在本月底之前關(guān)閉在新加坡的LCD面板產(chǎn)線,生產(chǎn)設(shè)備轉(zhuǎn)移到中國(guó)臺(tái)灣,將影響多達(dá)500名員工。
2023-12-21 10:20:17167

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片新格局:2020年真正實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)!

存儲(chǔ)芯片在電子產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著非常重要的角色,主要分為閃存和內(nèi)存,閃存包括 NAND Flash 和 NOR Flash ,內(nèi)存主要為 DRAM 。 2019 年,由于市場(chǎng)低迷及產(chǎn)能過(guò)剩,存儲(chǔ)芯片
2020-01-06 08:30:0025409

首次亮相!長(zhǎng)江存儲(chǔ)128 層3D NAND 現(xiàn)身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品,其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144019

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